Au/SiO2纳米复合薄膜的微结构及光吸收特性研究

用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1)SiO2(600)]×5多层薄膜在540-560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,且吸收峰的强度随Au的沉积时间增加而增强.基于修正后的Maxwell-Garnett (M-G)有效媒质理论,讨论了金属颗粒的形状对等离子共振吸收峰的峰位和强度的影响.模拟的吸收光谱与实验吸收光谱形状、趋势及吸收峰位相符合.     

Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征

利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜光学吸收强度随薄膜厚度的增加而增强.但当金属颗粒的浓度增加到一定程度时,金属颗粒相互接触,没有观察到纳米层状结构,薄膜不显示共振吸收峰特征.用修正后的M-G(Maxwell-Garnett)理论对吸收光谱进行了模拟,得到了与实验一致的结果.     

Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征

利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO₂纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO₂的沉积时间及SiO₂的沉积时间一定而改变薄膜厚度时，多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明：具有纳米层状结构的Au/SiO₂多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰，吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强，在Au颗粒浓度相同的情况下，复合薄膜 关键词： 2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO₂纳米复合薄膜 多靶磁控溅射 吸收光谱 有效介质理论     

一类矩阵群的完全性

用与[1]不同的方法,把文[1]的结论作两方面的推广,其一是把矩阵的阶数从2推广到任意,其二是把有理数域推广到任意特征不是2的可线性化的域.     

利用变量之间的关系解题

表面上不相关的事物 ,往往是相互关联的 ,抓住变量之间的关系常常是解决问题的关键 .问题中变量之间的关系常常是多种多样 ,错综复杂 ,解题时难以抓住那些有用的信息 ,这时要综合考虑 ,作一些适当地转换 ,才能发现要害之处 .抓住这些要害 ,问题就容易解决了 .1　变量关系的集中如果问题中涉及的变量较多 ,变量之间的关系复杂 ,这时可以考虑把这些关系集中到少数几个与问题紧密相关的变量身上 .例 1　给定正整数 n和正整数 M,对于满足条件 a21+ a2n+ 1≤ M的所有等差数列 a1,a2 ,a3 ,… ,试求 S=an+ 1+ an+ 2 +… + a2 n+ 1的最大值 . ( 1 …     

流形上随机流的渐近平坦性

本文的目的是讨论流形上由随机微分方程确定的扩散过程的体积零化性质。令X_t(x)是描述流形M上的微分同胚流x→X_t(x)的扩散过程,K是M中具有正有限Hausdorff测度的紧致曲面,我们给出X_t(K)的面积在t→∞时几乎必然趋于零的条件,特别地,随机流X_t(·)的渐近零化定向可求长弧r:[0,1]→M的弧长。     

蝌蚪图、△I=1/2增强及ε′/ε

本文分析标准模型中包括t及c夸克中间态的蝌蚪图对K~0→2π的振幅及ε′/s的贡献。结果表明它的贡献很可能是主要的。在对K~0波函数贡献的夸克相对动量割断取合理的数值时,它有可能给出足够的△l=1/2增强。不过,如果CP破坏全部起源于小林-益川相,得到的|ε′/s|偏大,或许可以假定ε主要起源于超弱CP破坏来克服这一困难。     

表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程, 获得double RESURF表面电场的解析式. 借助此模型, 研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响; 计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系, 给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径. 数值结果, 解析结果和试验结果符合较好.     

摆动式声多普勒效应实验仪

针对现有的声多普勒效应实验装置中存在的问题,设计并制作了摆动式声多普勒效应实验仪.该仪器能够分别进行声源运动和观察者运动的声多普勒效应实验,且可定量分析频偏和测量速度.本文详细介绍了该仪器的原理、构造、特点和实验过程,并对实验结果进行了较为全面的分析.     

New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer

A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer.