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本文给出Riccati方程及另外一类具有代表性微分方程的亚纯解(n,1)级的上界估计,在一定条件下确立了文[2]中的猜测的正确性。 相似文献
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本文给出了一个关联图为圈的非负、半正定矩阵A为完全正的一个充要条件.我们还证明了这样的矩阵A(当A为完全正时)的分解指数即为A的阶数. 相似文献
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1引言设A是n阶非负方阵.设矩阵方程(1)AXA=A,(2)XAX=X,(3)(AX)~T= AX,(4)(XA)~T=XA,(5)AX=XA.A具有非负广义逆是指存在非负方阵X满足方程(1)~(4),并记为A~(?).A具有非负群逆是指存在非负方阵X满足方程(1),(2),(5),并记为A~#.在A~(?)存在的前提下,两者相同的充分必要条件有(a)AA~(?)=A~(?)A;(b)A~(?)=p(A),其 相似文献
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48.
混合判断矩阵排序方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了混合判断矩阵及完全一致性混合判断矩阵的概念,提出了混合判断矩阵排序的一种最小偏差法,并给出了其收敛性迭代算法,最后通过算例说明了方法的可行性。 相似文献
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By using the quasi-Lyapunov function, some sufficient conditions of global exponential stability for impulsive systems are established, which is the basis for the following discussion. Then, by employing Riccati inequality and Hamilton-Jacobi inequality approach, some sufficient conditions of robust exponential stability for uncertain linear/nonlinear impulsive systems are derived, respectively. Finally, some examples are given to illustrate the applications of the theory. 相似文献
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Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献