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I2L三值逻辑电路的研究 总被引：1，自引：1，他引：0
本文使用电流表示逻辑值, 对目前二值数字电路中的I2L逻辑电路的工作原理重新进行了解释.并指出, 只要在原来电路的基础上把电流源作成多值的, 并利用电流镜电路,便可把I2L逻辑电路应用于多值数字电路.本文提出的若干I2L 三值组合电路与时序电路补充了原有的电路系列。 相似文献
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应用CMOS电路开关级设计技术对超前进位全加器进行了设计，并用PSPICE模拟进行了功能验证．与传统门级设计电路相比，本文设计的超前进位电路使用了较少的MOS管，并能保持原有的传输延迟． 相似文献
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本文利用多β 晶体管设计了差动式非饱和高速整形开关, 并利用它设计了反相器及存贮单元.它与原有的超高速线性与或门一起组成了完备的逻辑单元集合 相似文献
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以往对组合电路中竞争冒险的分析均基于输出函数对某跳变变量的二项分解形式，由于该分解式中忽略了与跳变变量无关的项，这种分析是有局限性的，作者考虑了该第三项的存在并给出了有关竞争冒险的完整代数分析。 相似文献
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Reed-Muller展开系数的图形表示及其与K图之间的图形转换 总被引：3，自引：2，他引：1
本文介绍了作者在最近提出的Reed-Muller展开系数的图形表示即b_j图,并发展了用图形实现布尔函数二类规范展开形式之间的相互转换的方法,从而进一步揭示了K图与b_j图在结构上的内在联系. 相似文献
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本文综述了逻辑函数综合巾的图形方法 ，介绍了作者在最近提出的 bi系数图与 Ri谱系数图。此外 ，本文又提出了两种新的图形方法 ：变量互斥型 K 图与多函数 K 图， 前者适用于变量互斥的悄况 ，后者可用于多函数的最小化 ． 相似文献
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CMOS门电路的参数是对它本身物理特性的一种定量描述，对参数的设定是实际应用CMOS门电路的基础，本文从理想参数出发归纳了直流CMOS门电路主要参数的设定思想并对各项参数进行了分析讨论，然后介绍了交流CMOS门电路的设计思想及结构与工作原理上的特点，在分析二类CMOS电路差异的基础上，本文采用类比的方法对交流CMOS电路的设定进行了研究。 相似文献
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本文介绍了两类重要的三伯单变量函数 ，即固运算与极性变换在三值逻辑中的 作 用， 并提出了阈运算、全阈运算与全极性变换的 CMOS 电路设计，其中前两者要比以前提出的 简单，而后者则属于初次提出． 相似文献
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基于低功耗设计的要求,对传统设计的俦编码器中的冗余现象加以研究,利用冗余抑制技术重构基于门级设计优先编码器电路结构,该优先编码器经PSPICE模拟验证具有正确的逻辑功能,并且被证明它能达到降低功耗的目的。 相似文献
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吴训威 《浙江大学学报(理学版)》1995,22(2):150-157
根据电流信号与电荷信号具有易于相加的共同特征,本文在电沫型CMOS电路与CCD电路之间建立了类比的关系.由于前者可以用传翰电流开关理论实现开关级设计,因此通过类比便能获得塞于四种荃本逻辑单元的多值CCD电路的设计·文中有关三值CCD电路的设计实例显示了该一类比设计方法的有效性. 相似文献