MSPRK Methods for the Korteweg-de Vries Equation

We consider the Korteweg-de Vries (KdV) equation in the form ut+uux+uxxx=0(1) which is a nonlinear hyperbolic equation and has smooth solutions for all the time. There are a vast of results can be found in the literature for this equation, both theoretical and numerical. However, several good reasons account for needs of another numerical study of this equation are listed in[1]. Among them, the most convincing one might be that the wave equations have the multi-symplectic structure (cf. [2]), and the KdV equation is therefore a     

六种乙酰甲喹衍生物的合成及抗菌活性研究

以乙酰甲喹和取代伯胺为原料，设计、合成了一系列含有席夫碱片段的衍生物，其中四种为新化合物，结构经¹H-NMR、¹³C-NMR和高分辨率质谱表征。首次通过单晶结构证明了选择性还原产生副产物3-乙酰基-2-甲基喹喔啉-1-氧化物的结构。体外抗菌活性结果表明，目标化合物对金黄色葡萄球菌、枯草芽孢杆菌、大肠埃希菌、铜绿假单胞菌等抗菌活性较差，但部分目标化合物在人工胃液中的水解物抗菌活性明显优于乙酰甲喹。     

数据开采中基于用户需求的关联模型

提出一个基于用户需求的关联模型，引入了相关度的概念，给出了启发式查找与相联规则的ＮＥＡ抽取算法，有效的解决数据开采关联模型中查找规则的盲目性和冗余性，并使重要的信息不被丢失．     

加绕变升角宽频带椭圆螺旋天线

 椭圆螺旋天线的结构比传统的圆柱螺旋天线更加适合于卫星通信的终端,然而由于其圆极化特性变差而限制了其广泛应用。把改善轴向模螺旋天线辐射特性的两种方法结合起来应用于椭圆螺旋天线,提出了带有附加螺旋线的变升角轴向模椭圆螺旋天线。以一个5圈、短轴长轴之比为0.65的椭圆螺旋天线为例,用FEKO软件对其辐射特性进行了仿真。结果表明,这种方法提高了椭圆螺旋天线的方向性系数,同时具有较好的圆极化特性。在2.2~4.2 GHz频率范围内,最高增益为12.86 dB,比单绕均匀升角的椭圆螺旋天线提高了1.2 dB。     

Nd掺杂V2O5/TiO2低温NH3选择性催化还原NOx性能研究

采用溶胶凝胶法和浸渍法制备了Nd掺杂V₂O₅/TiO₂催化剂.用XRD和Raman技术对其晶相结构和分散性进行了表征,并在固定床反应器上评价了其催化活性.然后考察了煅烧温度对催化剂脱硝性能的影响,结合XRD表征结果可知煅烧温度没有改变TiO₂的晶型,只影响了其结晶度.同时氮气吸脱附表征及BET计算结果显示350℃煅烧时催化剂比表面积最大.研究了O₂浓度以及氨氮比对催化剂脱硝性能的影响.同时考察了Nd掺杂催化剂的稳定性,发现Nd改性催化剂有较好的稳定性.并对Nd掺杂催化剂做了抗硫抗水考察,研究结果表明,Nd掺杂催化剂有较好的耐硫耐水性.     

水在不均匀纳米通道内自扩散性质的分子动力学研究

本文用分子动力学(MD)方法模拟了受限水在不均匀润湿性微通道中的自扩散性质.通过考察不均匀润湿通道内水的自扩散行为,发现在微通道中水的扩散性质表现出明显的尺度效应,随着通道高度的增加水的扩散增强.更重要的是,由于通道高度的不同,通道内的不均匀润湿段对水的扩散与均匀通道相比有不同的影响.当通道高度为0.8 nm时,不均匀润湿通道内水的扩散增强;当通道高度为1.0 nm时,不均匀润湿通道内水的扩散减弱;而当通道高度达到1.2 nm时,不均匀润湿通道内水的扩散基本相同.     

中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量

中国散裂中子源(CSNS)已于2018年5月建设完工,随后进行了试运行.其中的反角白光中子束线(Back-n)可用于中子核数据测量、中子物理研究和核技术应用等多方面的实验.本文报道对该中子束的品质参数测量实验过程以及最终实验结果.实验主要采用中子飞行时间法,利用~(235)U,~(238)U裂变室和~6Li-Si探测器测量了中子能谱和中子注量率,又利用闪烁体-互补金属氧化物半导体探测系统测量了中子束斑的剖面,得到了该束线的初步实验测量结果.其中白光中子的全能谱测量范围eV—100 MeV,给出了不确定度分析;给出了中子注量率两个实验厅位置的满功率值;给出了白光中子在直径60 mm情况下的全能区束斑.通过与模拟结果的比较探讨了以上结果的合理性,并提出了改进计划.这些实验结果为以后该束线的核数据测量和探测器标定实验奠定了基础.     

钇复合氧化物颜料的制备与表征

通过尿素分解法,把三价铬离子掺入到钇铝石榴石Y₃Al₅O₁₂中,采用共沉淀法制备出绿色颜料。扫描电镜测试表明产物颗粒直径在200 nm左右,用XRD测试复合氧化物的结晶相行为,确定主相是钇铝石榴石相,用紫外可见漫反射光谱测试掺杂离子的配位状态和电子跃迁行为,用色度学测试氧化物颜色特征。将复合氧化物颜料颗粒与高分子聚丙烯共混,熔体纺丝,并通过北京同步辐射X射线CT对制得的纤维加以测试,结果表明复合氧化物颜料在高分子基质中得到良好的分散。这种颜料性能稳定,对环境友好,为实现无水印染技术奠定基础,减少纺织印染工业中所排放的污水。     

天文光纤机械扰模器调制环形光场的实验研究

光纤入射光束的角度和位置的变化对光纤出射光束的远场光强分布有较大影响。通过分析光纤出射光场的光强分布,研究了斜光束的偏轴角对光纤出射光场的影响。光纤耦合理论说明光纤的宏弯曲会使光纤内部模式相互耦合,根据这一原理设计一种能使光纤宏弯曲并以此来改善光纤出射场分布的机械扰模器。在实验中,对不同偏轴角入射及处于不同扰模程度的光斑进行中值滤波、高斯拟合等处理,得到光斑的径向光强分布曲线、高斯拟合度、不同出射焦比范围的能量变化等参数,以此分析机械扰模器的扰模效果。     

Channel temperature determination of multifinger AlGaN/GaN high electron mobility transistor using micro-Raman technique

Self-heating in multifinger AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) is investigated by micro-Raman spectroscopy. The device temperature is probed on the die as a function of applied bias. The operating temperature of AlGaN/GaN HEMT is estimated from the calibration curve of passively heated AlGaN/GaN structure. A linear increase of junction temperature is observed when direct current dissipated power is increased. When the power dissipation is 12.75 W at a drain voltage of 15 V, a peak temperature of 69.1 ℃ is observed at the gate edge on the drain side of the central finger. The position of the highest temperature corresponds to the high-field region at the gate edge.