大尺寸聚合物光纤面板制造新技术的初步研究

利用堆积-热融合工艺,将商用聚甲基丙烯酸甲酯低损耗光纤以六方堆积的方式排列在自行设计的模具中,制备光学聚合物光纤面板预制棒后,对预制棒进行切割、拼接,研究了一种制备超大尺寸光纤面板的新技术.拼接面板样品的厚度2 mm,像素直径500 μm,总像素数 59052, 对大尺寸人或物的像具有很好的传递能力. 利用该技术制备的大尺寸拼接光纤面板,对于液晶拼接屏中拼接缝的清除以及大屏幕的保护具有不可替代的作用.     

全塑料光学生命探测仪关键技术研究

制作了单丝直径为250 μm、像素数为4096、长度为15 m的塑料光纤传像束. 研究表明: 原始图像经过该15 m长的光纤传像束后, 仍有25%保留, 完全可以满足图像目视观察或CCD图像采集的需要. 以此光纤传像束为核心部件, 分别设计、制作了目视式生命探测仪样机, 以及与CCD、图像采集卡、笔记本电脑一体化的智能型光学生命探测仪样机. 最后, 演示了该系统对被困人员搜救的有效性. 此系统不但可用于地震、矿难等场合被埋人员的搜索, 也可用于高压强电磁干扰环境、保密部门、易燃易爆等特殊场合的视频监视.     

一道课本例题的教学与思考

正上海一期课改高中数学课本二年级第二学期第88页有这样一道例题:等比数列的S4=-20,S8=-1640,求a1与q.该题虽然比较简单,而且出现在一期课改     

Ba+N_2O化学发光反应截面的实验研究

本工作利用分子束装置,研究了Ba+N_2O化学发光反应截面σ_(?)与碰撞能E的关系。得全在相对平动能0.1～0.3eV时σ_(?)≌0.1(?)~2。在束一气装置上得到碰撞总截面σ_(101)～92(?),并利用Arrhenius实验曲线给出在T_(N_2O)～300K时活化能E_α~*=1.0千卡/克分子,从而得出,:奖发态的产物粒子仅是总碰撞数的千分之一     

应用Markov链方法分析销售策略

本简单地分析了销售的过程，利用认知心理得到的销售状态指标和Markov链在Pfeifer工作的基础上建立的客户关系模型，对几种不同的销售策略进行了比较。分析结果表明，在与客户关系不好的情况下．采用先改善与客户的关系、后实施销售活动效果比直接销售好些。     

Effect of noncircular orifice plates on the near flow field of turbulent free jets

In this paper, we experimentally investigate the near-field flow characteristics of turbulent free jets respectively issued from circular, triangular, diamond, rectangular, and notched-rectangular orifice plates into air surroundings. All the orifice plates have identical opening areas or equivalent diameters（De） and their aspect ratios（AR） range from 1 to 6.5. Planar particle image velocimetry（PIV） is used to measure the velocity field at the same Reynolds number of Re = 5 × 10^4,where Re = Ue De/ν with Ue being the exit bulk velocity and ν the kinematic viscosity of fluid. The mean and turbulent velocity fields of all the five jets are compared in detail. Results show that the noncircular jets can enhance the entrainment rate, reflected by the higher acceleration rates of mean velocity decay and spread, shorten the length of the unmixed core,expedite the increase of turbulent intensity compared with the circular counterpart shortened unmixed core, and increase turbulent intensity comparing to the circular counterpart. Among the five jets, the rectangular jet（AR = 6.5） produces the greatest decay rate of the near-field mean velocity, postpones the position at which the 鈥榓xis-switching鈥檖henomenon occurs. This supports that axis switching phenomenon strongly depends on jet initial conditions. In addition, the hump in the centerline variation of the turbulence intensity is observed in the rectangular and triangular jets, but not in the circular jet, nor in diamond jet nor in notched-rectangular jet.     

The Heisenberg Model after an Interaction Quench

In accordance with the recent experimental progress of the controllable spin-spin interactions, the Heisenberg model after an interaction quench is discussed. The Hamiltonian of the system out of equilibrium is introduced and treated by the flow equation method. As a result, the spectrum and zero-point spin deviation are obtained with the help of time-evolved operators. Additionally, other methods are applied to verify the results in mathematics. It is found that the observables show an oscillating behavior. The feasible experimental scheme of the concerned scenario is also mentioned.     

基于PLC和Ethernet的铣刨机无线测控系统设计

针对某铣刨机,研制了无线测控系统,其主要由PLC、通信模块、继电器、触摸屏、路由设备、远程终端等组成;在系统设计中,基于GE ifix环境开发了基于Ethernet的测控软件,解决了不同操作系统平台和硬件环境下的兼容问题;提出了主机掉线PLC状态自保持、无线控制与本地控制冗余和控制指令优先级划分的技术思路,实现了系统可靠运行;该系统具备本地控制与无线遥控两种控制方式,并已在该铣刨收机上得到应用,实现了平台所有操作的无线遥控,无指令丢失和误动作。     

两种新型芴衍生物的合成、晶体结构及光谱性能

合成了两种新型芴衍生物:2,7-二（3,5-二（三氟甲基）苯基）-9,9-二乙基芴（1）和2,7-二（4-氟苯基）-9,9-二乙基芴（2）。通过元素分析、红外光谱（IR）、核磁共振氢谱（¹H NMR）以及单晶X射线衍射对其结构进行了表征。化合物1属于单斜晶系,P2₁/c空间群;化合物2属于三斜晶系,P-1空间群。通过紫外-可见吸收和荧光光谱研究了化合物的发光性能。结果表明:在CH₂Cl₂溶液和固态薄膜中,化合物1、2在350～400 nm波段有吸收峰,归属于π-π^*电荷跃迁;化合物1、2的光学带隙E_g分别为3.31 eV和3.30 eV,并且均有强烈的蓝色荧光发射现象（激发波长为330 nm）,在二氯甲烷中的荧光量子效率分别为0.62和0.61,固态荧光寿命分别为6.39 ns和9.00 ns。     

不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。