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31.
32.
采用溶胶-凝胶法制备了单轴M型锶铁氧体SrFe12-x12-xCrxxO 1919(x=0—1)超细晶粒.实验结果表明, 随掺杂量x的增大,质量饱和磁化强 度σss在x≤04范围内增大,在x=02附近达到极大值.矫顽力Hcc在x<05的范围 内单调降低,这对于用作高密度磁记录材料非常有利.当x≤04时,样品是单相结构, 在 x=06以后出现非磁性相α-Fe22O3<
关键词:
锶铁氧体
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结构
磁性 相似文献
33.
硼氧链振动模式及其Raman活性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
作者选取硼酸盐多种链状结构的阴离子,使用从头计算(abinitio)的方法对这些阴离子的进行优化,最终得到它们的平衡构型,在这些结构中,BO3是组成链状结构的基本单元。结构单元中所有的BO3结构单元都参与了硼酸盐的链式弯曲共振的特征振动,该振动是一个共振耦合,它的Raman活性在所有的频率中最大,如果结构单元中的支链的位置相同,该振动的Raman活性与主链中硼原子的数目成正比。如果硼酸盐的链中存在支链,则该支链可能会影响它的第一、第二级近邻的结构单元,并且还会引起结构单元的Raman活性的下降。 相似文献
34.
现行高中教材中,有关“在两个正数间插入若干个正数,使它们成等差数列或等比数列”的问题有不少,2001年全国春季高考题20题也源于此.现将这两个数列的各种平均数大小关系归纳如下. 相似文献
35.
36.
Ge/SiO_2 and Si/SiO_2 films were deposited using the two-target alternation magnetron sputtering technique. The Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures were fabricated and their electroluminescence (EL) characteristics were comparatively studied. Both Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures have rectifying property. All the EL spectra from the two types of the structure have peak positions around 650-660 nm. The EL mechanisms of the structures are discussed. 相似文献
37.
采用真空加热活化法制备出高催化活性的内嵌金属钴纳米粒子的碳纳米管材料.通过增加碳纳米管材料的本征碳缺陷位点,显著提升了材料的催化活性(7倍).高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱(XPS)和拉曼(Raman)光谱表征结果显示,真空加热活化增加了碳纳米管的本征碳缺陷,并减少了碳纳米管碳层的杂原子含量.电化学表征和电催化水裂解实验结果表明,增加碳纳米管的本征碳缺陷位既可以在碳纳米管上产生更多的催化位点,又可以提高碳纳米管界面的电荷迁移能力,进而提高对水裂解的催化性能. 相似文献
38.
为评估混合稀土常乐对人体胚胎的潜在危害, 在光镜和电镜下观察了混合稀土常乐染毒后的胎盘组织, 以了解其在胎盘组织中的存在形式和分布情况, 同时应用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)检测染毒后的孕鼠血清、胚胎组织提取液和羊水中的稀土含量以确定其能否通过胎盘屏障. 染毒于雌鼠妊娠第六天开始, 每天分别以0.3, 2, 5和20 mg·kg-1混合稀土常乐灌胃, 直至妊娠第十八天. 结果显示: 光镜下, 染毒组胎盘绒毛中毛细血管周围合体细胞滋养层胞质内积聚有许多圆形黑色细小颗粒, 颗粒的多少与染毒剂量呈正相关; 电镜下, 染毒组胎盘绒毛中可见有膜包裹的致密体及合体细胞滋养层细胞内线粒体有不同程度的空泡变和嵴断裂; ICP-MS检测: 孕鼠血清铈的含量随染毒剂量的增加而递增, 染毒组胎儿羊水和孕鼠血清中稀土总量, 只有20 mg·kg-1组与对照组相比有显著增加, 其余各组均无显著差异. 胚胎组织提取液中各组的稀土总含量没有变化. 由此得出结论: 胎盘膜对混合稀土常乐进入胚体有很大的限制作用, 但是, 当混合稀土常乐在胎盘膜中积累增加到一定程度时, 可少量透过胎盘屏障, 进入胚体. 相似文献
39.
40.
Zhi-Li Zhu 《中国物理 B》2022,31(7):77101-077101
Charge density wave (CDW) strongly affects the electronic properties of two-dimensional (2D) materials and can be tuned by phase engineering. Among 2D transitional metal dichalcogenides (TMDs), VTe$_{2}$ was predicted to require small energy for its phase transition and shows unexpected CDW states in its T-phase. However, the CDW state of H-VTe$_{2}$ has been barely reported. Here, we investigate the CDW states in monolayer (ML) H-VTe$_{2}$, induced by phase-engineering from T-phase VTe$_{2}$. The phase transition between T- and H-VTe$_{2}$ is revealed with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning transmission electron microscopy (STEM) measurements. For H-VTe$_{2}$, scanning tunneling microscope (STM) and low-energy electron diffraction (LEED) results show a robust $2\sqrt 3 \times 2\sqrt 3 $ CDW superlattice with a transition temperature above 450 K. Our findings provide a promising way for manipulating the CDWs in 2D materials and show great potential in its application of nanoelectronics. 相似文献