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31.
环境水样中9种三唑类农药的固相萃取-气相色谱-质谱分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
游明华  孙广大  陈猛  袁东星 《色谱》2008,26(6):704-708
应用C18柱萃取/富集,NH2柱净化,气相色谱-质谱联用技术检测,建立了环境水样中9种三唑类农药同时分析的方法。9种目标农药在0.025~0.500 mg/L质量浓度范围内线性关系良好,方法的检出限为0.002~0.009 μg/L。以实际水样为基底,加标质量浓度为0.025 μg/L和0.100 μg/L时,9种目标农药的基底加标回收率和相对标准偏差(n=3)分别为68.4%~113.9%,1.6%~6.9%(河水)和70.3%~115.2%,0.8%~8.2%(海水)。该方法操作简单、灵敏度高、选择性好,符合多种农药残留分析的要求,并成功地应用于福建九龙江河口区表层水样中三唑类农药的残留状况调查。  相似文献   
32.
埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件. 关键词: SOI nMOSFET 氮注入 电子迁移率 阈值电压  相似文献   
33.
CO2激光对熔石英表面小尺寸损伤的修复   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
 利用10.6 μm的CO2激光对不同直径的点状损伤和不同宽度的划痕进行了修复。经过波长351 nm的紫外激光考核发现,对于直径小于80 μm的点状损伤和对于宽度小于40 μm的划痕,随着损伤点尺寸和划痕宽度的增加,修复后阈值提高程度逐渐降低。划痕的宽度在达到40 μm以后修复效果非常微弱。修复过程中,由于作用时间较短及温度分布不均产生了热应力导致样片损伤以后产生径向裂痕,后续的紫外激光会使裂痕明显扩展。当样品被置于高温退火炉内退火3 h以后,应力导致开裂的现象得到了解决。  相似文献   
34.
为研究CO2激光预处理参数对熔石英基片表面的影响,采用波长为10.6μm,重复频率为100Hz的CO2激光对完好的熔石英基片进行单点单次辐照处理。实验发现,对于不同的修复程度,面形变化不完全相同,损伤斑的形貌也各不相同。实验得到了适合修复的参数范围,并研究了修复对于材料粗糙度和疏水性的影响。对中度修复的取样点表面的局部粗糙度进行了统计,发现预处理过程中的污染沉积物在一定范围存在。在此基础上对污染的影响范围分布规律进行了统计。  相似文献   
35.
微波萃取法研究进展   总被引:86,自引:2,他引:84  
对近几年微波萃取法的研究进展及其应用进行了综述。具体介绍了微波萃取的原理、特点、萃取参数及其在环境、生化、食品、化工分析和天然产物提取等领域的应用,并从简化样品预处理步骤、开发微波萃取新技术、探讨萃取机理和改进仪器装置4个方面展望了该法的发展前景,引用文献46篇  相似文献   
36.
研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明,辐照前,晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下,经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后,同埋氧未注氮的晶体管相比,埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而,当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时,所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外,对于顶栅氧严重受损的晶体管,其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。  相似文献   
37.
利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,将能量80 keV,剂量1×1017 cm-2的Ti离子注入到薄膜中,并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理,退火温度500—700 ℃.利用X射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化,利用光致发光(PL)和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示,衍射峰在500 ℃退火1 h后有一定程度的恢复;光吸收结果显示,离子注入后光吸收增强,随着退火温度的上升,光吸收逐渐降低,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;PL显示,薄 关键词: ZnS薄膜 离子注入 X射线衍射 光致发光  相似文献   
38.
采用密度泛函、分子力学和分子动力学等方法从交联反应热力学、动力学等方面研究了聚丙烯酰胺/水溶性酚醛体系的交联机理. 以丙酰胺(PA)和(2,4,6)-三羟甲基苯酚(THP)为模型化合物, 采用密度泛函方法分别计算了体系中所有可能发生反应的吉布斯自由能和反应能垒. 研究结果表明, PA/THP共缩合与THP自缩合反应在热力学上都具有自发性. 其中, PA/THP邻位共缩合反应的能垒最小, 仅64.54 kJ/mol, 因此该反应的活性最大. 构建了聚丙烯酰胺/THP体系的交联网络模型, 模拟计算得到参予交联反应的-CONH2为其总量的60%. 对交联产物进行X射线光电子能谱测试, 结果表明, 交联产物中仲胺含量与伯胺含量之比约为1.5∶1, 从而证实了模拟结果.  相似文献   
39.
This paper tries to study cropant morphism of algobraic 3-folds. For certain birational map f between normal 3-folds, when is f an isomorphism in codimension one? The author gives one sufficient condition.  相似文献   
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