基于核酸脱碱基位点的铽离子荧光增强型单核苷酸多态性识别研究

基于核酸脱碱基(AP)位点构建了无机配体稀土铽离子(Tb^3＋)荧光增强型单核苷酸多态性(SNP)识别方法. 在目标链靶标碱基对应的探针链上相应位置引入AP位点, 发现Tb^3＋可以选择性地结合在AP位点, 光激发时发生从DNA碱基到结合的Tb^3＋的能量转移, 使Tb^3＋特征荧光显著增强. 这种荧光增强作用与靶标碱基及AP位点侧翼碱基类型密切相关. 当靶标碱基和侧翼碱基为G时, 荧光最强. 该方法可用于区分肿瘤抑制基因p53密码子177位的C/G碱基变异.     

具有Clifford断面的正则纯正半群

给出了具有Clifford断面的右正规纯正半群的等价刻画,得到了具有Clifford断面的正则纯正半群的次直积分解,证明了具有Clifford断面的正则纯正半群一定是正则纯正群．     

小分子识别DNA脱碱基位点的电化学研究:选择性机理

在活体细胞DNA中每106个碱基含有数十个到数百个AP位点.这些位点能被AP核酸酶识别并通过BER途径所修复.小分子除抑制DNA损伤响应机制而发挥癌症治疗作用外,如果特性药物能强结合到致癌基因的AP位点上,进而影响基因调控与表达,对正确理解药物小分子在基因水平的影响及抗癌药物开发将是一个非常有吸引力的研究方向.2-氨基-7-甲基-1,8-二氮杂萘(AMND)能选择性地与胞嘧啶结合而用于SNP的检测~([1]),本文研究了AMND在AP位点与上下碱基对的堆叠作用.     

生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在c面蓝宝石（α-Al₂O₃）衬底上外延生长了铝镓铟氮（AlGaInN）四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900 ℃,对获得的样品进行对比分析发现：随着生长温度的升高,合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850 ℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900 ℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使V型缺陷的特征尺 关键词： AlGaInN 金属有机物化学气相沉积 生长温度     

某些幂等元半环拟簇中成员的结构

用V1,V2,V3和V4表示正规带的4个给定的拟簇.利用幂等元半环上的同余关系分别给出了.V1,.V2,.V3和.V4中成员的次直积分解和这些拟簇的M al’cev积分解,并借助Zhao X Z的"(2,2)型代数的坚固构架"理论揭示了.V1∩N.B,.V3∩中.NB成员的次直积分解与坚固构架之间的密切联系。     

超氧阴离子

介绍了超氧阴离子 O-·2 的产生、检测、化学性质、反应动力学、生物学研究、应用等方面的研究进展。