AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。     

Strong and broadband terahertz absorber using Si02-based metamaterial structure

We design and experimentally demonstrate a broadband metamaterial absorber in the terahertz （THz） band based on a periodic array of aluminum （A1） squares with two different sizes. A thin silicon dioxide （SiO2） film rather than a conventional polyimide （PI） layer is used as a dielectric spacer to separate A1 squares from the platinum （Pt） ground plane in our design, which significantly improves the design precision and the feasibility of the device fabrication. The combination of different sizes of AI squares gives rise to an absorption bandwidth of over 210 GHz with an absorption of over 90%. Our results also show that our device is almost polarization-insensitive. It works very well for all azimuthal angles with an absorption of beyond 80%.     

《物理》演示实验的研究与探讨

《物理》是一门实践性很强的学科．有些概念、理论比较抽象，教学中适当运用演示实验，可以把抽象难懂的物理理论变得具体生动、形象而直观，从而收到事半功倍的效果．     

A RESEARCH ON SPEECH QUALITY OF CHANNEL VOCODER

2400 bit/s digital vocoder plays a very important role in narrow-band speech communication.This paper presents a channel vocoder designed by using multiple 8085 microprocessors and somespecial hardware. In order to improve the quality of synthesis speech of the vocoder,special attentions were paid tothe improvement of excitation signals by using an all-pass filter,the composite response and groupdelay of the synthesis filter bank adjusted by change bandwidth of filters and with anti-polarity foradjacent filters,and the efficient method of encoding and decoding for Chinese speech parameters.The effect of all these methods has been verified in the results of intelligibility tests. This paper describes the results of intelligibility tests also.     

图的下测地数和上测地数

对于图G(或有向图D)内的任意两点u和v,u—v测地线是指在u和v之间(或从u到v)的最短路．I(u,v)表示位于u—v测地线上所有点的集合,对于S(?)V(G)(或V(D)),I(S)表示所有I(u,v)的并,这里u,v∈S．G(或D)的测地数g(G)(或g(D))是使I(S)=V(G)(或I(S)=V(D))的点集S的最小基数．G的下测地数g~-(G)=min{g(D)：D是G的定向图},G的上测地数g~ (G)=max{g(D)：D是G的定向图}．对于u∈V(G)和v∈V(H),G_u H_v表示在u和v之间加一条边所得的图．本文主要研究图G_u H_v的测地数和上(下)测地数．     

激光准直Cr原子束的实验研究

利用多普勒原理对Cr原子束进行横向准直.应用激光感生荧光技术稳定激光器的频率，把激光器的中心频率稳定在偏离Cr原子共振中心频率-5±0.26MHz的位置.根据理论计算出准直激光束的最小尺寸为13.7mm.根据实验数据选择合适的参数，实现利用多普勒原理横向准直Cr原子束，使原子束的横向分布缩小到原来的1/3. 关键词： 激光准直 激光感生荧光稳频 多普勒冷却     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

珠心算教练职业化的深远意义

在珠算基础上形成的珠心算文化,是珠算文化一次质的飞跃,它在原有的计算功能外挖掘出了珠算很多潜在的启智功能增强记忆能力、理解能力和逻辑思维能力等功能。正是由于这