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| 高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制 | |
| 引用本文： | 盛殊然,廖显伯,孔光临,刁宏伟.高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制[J].中国科学A辑,1997,40(7):653-658. |
| 作者姓名： | 盛殊然 廖显伯 孔光临 刁宏伟 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 100083;中国科学院表面物理国家重点实验室 中国科学院凝聚态物理中心 北京 100080 |
| 摘 要： | 采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σph/σd)达到106量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出:高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。在诸多因素中,大量原子态氢的退火处理和微量的硼补偿起到了重要作用。 |
| 关 键 词： | 氢化非晶硅薄膜 不间断生长/退火 硼补偿 高光敏性 高稳定性 |
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