| 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 |
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| 引用本文： | 曾湘波,廖显伯,王博,刁宏伟,戴松涛,向贤碧,常秀兰,徐艳月,胡志华,郝会颖,孔光临.等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼[J].物理学报,2004,53(12):4410-4413. |
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| 作者姓名： | 曾湘波 廖显伯 王博 刁宏伟 戴松涛 向贤碧 常秀兰 徐艳月 胡志华 郝会颖 孔光临 |
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| 作者单位： | (1)清华大学物理系，原子分子纳米科学教育部重点实验室,北京 100084; (2)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :60 3 760 2 6)资助的课题，清华大学原子分子纳米科学教育部重点实验室开放课题~~ |
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| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底，硅烷 （SiH4）作硅源，硼烷（B2H6）作掺杂气体， Au作催化剂，生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制，探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活，更容易实现纳米线掺杂，进一步有望生长硅纳米线pn结，为研制纳米量级器件提供技术基础.
关键词：
硅纳米线
化学气相沉积
纳米器件
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| 关 键 词： | 硅纳米线 化学气相沉积 纳米器件 |
| 收稿时间： | 2003-11-03 |
Boron-doped silicon nanowires grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition |
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| ZENG Xiang-bo,Liao Xian-Bo,Wang Bo,Diao Hong-Wei,Dai Song-Tao,Xiang Xian-Bi,Chang Xiu-Lan,Xu Yan-Yue,HU Zhi-Hua,Hao Hui-Ying,Kong Guang-Lin.Boron-doped silicon nanowires grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition[J].Acta Physica Sinica,2004,53(12):4410-4413. |
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| Authors: | ZENG Xiang-bo Liao Xian-Bo Wang Bo Diao Hong-Wei Dai Song-Tao Xiang Xian-Bi Chang Xiu-Lan Xu Yan-Yue HU Zhi-Hua Hao Hui-Ying Kong Guang-Lin |
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| Institution: | Zeng Xiang-Bo 1) Liao Xian-Bo 1) Wang Bo 2) Diao Hong-Wei 1) Dai Song-Tao 2) Xiang Xian-Bi 1) Chang Xiu-Lan 1) Xu Yan-Yue 1) Hu Zhi-Hua 1) Hao Hui-Ying 1) Kong Guang-Lin 1) 1) |
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| Abstract: | Boron-doped (B-doped) silicon nanowires have been successfully synthesi zed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 440℃ using silane as the Si source, diborane(（B2H6）) as the dopant gas and Au as the catalyst. It is desirable to extend this technique to the growth of silicon nanowire pn jun ctions because PECVD enables immense chemical reactivity. |
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| Keywords: | silicon nanowires chemical vapor deposition nano-devices |
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