单畴熔融织构YBCO/Ag样品的生长工艺研究

本文研究了用冷籽晶技术制备掺Ag单畴熔融织构YBCO超导块材的工艺.通过引入有效的隔离层避免了籽晶的熔化.使用纯Y1.8粉作为隔离层的材料,并探索出同时施加两个隔离层的方法.对施加隔离层后大块单畴YBCO/Ag样品生长窗口的研究发现,加入隔离层后使慢降温上限温度升高,970℃到955℃是Y123/Ag系单畴生长的主要窗口.制备的直径26mm单畴超导块材的磁浮性能已达到12N/cm2(77K,0.5T).认为如果进一步提高熔化温度或延长保温时间将有助于抑制自发成核.     

大尺寸熔融织构YBCO超导体的制备及磁浮性能

采用熔融织构生长工艺结合籽晶技术制备出大尺寸ＹＢＣＯ超导块格。微观结构观察表明，其结晶取向在一定程度上得了控制，而且晶畴尺寸比较大，测量了样品的磁浮性能，得到了超导样品和永久磁铁之间的作用力与距离的关系曲线。     

半导体材料科学中的能量输运模型

这是一篇关于半导体材料科学中能量输运模型的综述性章。该在这两个方面讨论了具有绝缘边值的两种典型能量输运模型的初边值问题，一方面得到了一种强解的存在性，另一方面得到了光滑解全局存在性和大时间行为。     

球形改性壳聚糖的制备及吸附牛血清蛋白性能的研究

采用反相悬浮交联法制备了壳聚糖多孔微球树脂,讨论了交联剂环氧氯丙烷浓度、致孔剂PEG2000浓度对成球性能的影响.红外光谱、光学显微镜和扫描电镜的结果表明,树脂为蜂窝状多孔微球,色泽好,粒度均匀,阴离子交换容量为3-4mmol/g,不溶于水、酸、碱.从吸附牛血清蛋白（BSA）的实验发现,交联剂浓度对吸附有很大影响,交联浓度为0.04 mol·L-1时得到的微球树脂对牛血清蛋白有较好的吸附,其饱和吸附容量达到 116mg/g.     

半导体漂移-扩散方程速度饱和情形的稳态解

考虑半导体方程稳态模型的混合边值问题，应用Schauder不动点定理证明了逼近解的存在性，通过一系列先验估计的获得，利用紧致性原理证明了稳态解的存在性。     

我国超导研究出现新突破

今年初,北京有色金属研究总院采用熔融织构生长法(MTG)成功制备出高临界电流密度的钇钡铜氧化合物超导体.经过中科院物理所连续四次复测,临界电流密度达到每平方厘米23800安培(77K,2特斯拉)。这样高电流密度的高温超导体至今未见国际上有报道.该测试采用直流持续电流四引线法进行,失超判据为每厘米1微伏,磁场方向垂直于测试电流方向.当外磁场增加到7特斯拉时,临界电流密度仍能达到每平方厘米8600安培.由于通入电流过大,电流     

拟线性双曲型守恒律组的整体解的研究

本文共分两部分,第一部分是研究最简气体动力学方程组较文献[6]更一般的始值问题,得出了解的大范围存在性及始值所具有的性质对时间t的不变性,并对解的性质进行了某些研究。在假设用(u₀(±∞),v₀(±∞))(u₀(x),v₀(x)表示始值)解黎曼问题时存在某一向激波的情形,证明了解必然包含一条某一向激波。应该指出,同向激波和稀疏波的相互作用是本文所研究的始值的一个特例。第二部分是把第一部分中所得的主要结果推广到文献[7]中研究过的方程组上去。     

半导体漂移-扩散方程解的上下界整体估计

研究半导体方程解的整体性质,应用Stampacchia的最大模估计方法,证明了解的上下界整体估计.     

表面印迹纳米磁性壳聚糖的制备及对Cu(Ⅱ)的吸附研究

将壳聚糖与自制的纳米四氧化三铁反应,加入一定量的铜盐使其与壳聚糖络合,再用环氧氯丙烷交联,用酸洗脱铜离子,得到表面印迹的纳米磁性壳聚糖.考察了阴离子、交联剂浓度对铜印迹效果的影响.用振动磁力仪及透射电镜对样品的性质进行表征.研究了表面印迹的纳米磁性壳聚糖对Cu2 的吸附性能.研究结果显示,用硝酸铜印迹制备的表面印迹纳米磁性壳聚糖吸附剂平均粒径为25nm,饱和磁化强度为98.56emu/g,壳聚糖含量为18.7%.吸附剂吸附容量大,吸附速度快.在Cu2 初始浓度为3.91mmol/L,pH为5时,15min即达到吸附平衡,以壳聚糖计Cu2 的饱和吸附量为4.07mmol/g,比纯壳聚糖粉高2倍.在含Zn2 或Cd2 、Pb2 的二元体系溶液中,离子印迹吸附剂对Cu2 具有明显的选择吸附性,而未印迹的纯壳聚糖粉几乎没有选择性.吸附剂易回收,重复使用性好,重复使用4次后,吸附量约保留最初饱和吸附量的98%.     

大畴YBCO超导块

叙述了用熔融织构生长 ( MTG)工艺和顶部籽晶法制备大畴 YBCO超导块材的工艺过程 ;还叙述了样品磁悬浮力及冻结磁场的测量方法及所达到的性能 ;综述了大畴 YBCO超导块材潜在的实际应用。