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31.
本文用第一性原理解 Schr(?)dinger 方程的 recursion 方法在紧束缚近似下计算了YBa_2Cu_3O_7和 Y_(0.5)Sc_(0.5)Ba_2Cu_3O_7晶体的局域电子态密度.考虑到 Cu 晶位的晶场分裂和采用了修正过的参量后,YBa_2Cu_3O_7的计算结果比原来有改进.Sc 散代 Y 晶位对电子结构的影响不大.如果不考虑 Sc 替代时对氧缺位的影响,Sc 替代本身并不直接导致 Cu 的价数的明显变化.  相似文献   
32.
用~(11)B连续波核磁共振谱研究了锂硼钒酸盐玻璃的结构,测量了BO_4,BO_(3s)和BO_(3A)各结构单元的比例。实验表明,锂硼钒酸盐玻璃中N_4的最大值近似为一常数,与V_2O_5的含量无关。Li_2O被V_2O_5和B_2O_3分享。并推测V_2O_5与B_2O_3可能结合生成(BV_(4.5)基团。  相似文献   
33.
本文应用变温11B核磁共振技术研究了RNa2O·B2O3玻璃体系在室温和300℃时硼原子的配位情况。结果表明,当R>0.5时,四配位硼原子数随温度的上升而减少。因此,玻璃态结构也可能随温度变化而改变。  相似文献   
34.
光导纤维化学传感器的新进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
  相似文献   
35.
成功地在六路高功率Nd玻璃激光装置上建立了2660紫外激光探针和适合紫外波段的Normaski干涉仪,首次将可见波长的连续激光应用于紫外干涉仪中靶成像调整和光路准直。利用该紫外光干涉仪,在铜柱状靶(φ500μm)上测量了厚等离子体中高达0.6n。的电子密度。  相似文献   
36.
一、前言关于固体的热物性值的重要性,作者们已经进行了论述。但是,其必要性的认识,可靠的资料还少。特别是,在高温下各种材料的热导率的评论及其测定的方法,还有很多的问题。关于这些问题,AGARD 的报告书提到的通电加热法,是测定热导率的各种方法中,在中温(900~1300K)到高温(>1300  相似文献   
37.
根据模糊矩阵的截矩阵性质,提出了利用截矩阵求模糊关系矩阵传递闭包的一种新算法。  相似文献   
38.
巧用战略     
Peter  Steid  章海贤翻译 《珠算》2009,(8):30-31
当前的经济衰退正在迫使许多行业进行重大变革。在巨大变革不可预测的年代,企业需要有一个明确的战略重心。有些企业力保生存;有些企业则会努力寻找动荡年代可能带来的机会,并充分利用这些机会;还有少数企业则会利用这一变革时期,通过业务或营销创新,来进行企业创新。  相似文献   
39.
在酸性介质中, 痕量Cr(Ⅵ)对高碘酸钾氧化罗丹明B的褪色反应有催化作用, 使罗丹明B的荧光减弱, 据此建立了催化动力学荧光法测定痕量Cr(Ⅵ)的新方法. 考察了该催化反应的最佳条件, 在最优化条件下, Cr(Ⅵ)质量浓度在1×10-8~7×10-7 g/L范围内与荧光强度呈良好的线性关系, 方法的检出限为3×10-9 g/L, 对1×10-7 g/L的Cr(Ⅵ)标准溶液进行11次平行测定, 得相对标准偏差(RSD)为1.4%. 该法已用于眼影中Cr(Ⅵ)含量的测定, 回收率为97.4%~102.6%.  相似文献   
40.
高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品。MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率。结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1%,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量。  相似文献   
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