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31.
BCC(体心立方)和FCC(面心立方)结构共存的高熵合金通常具有优异的综合力学性能, Al元素可以促进含Cu高熵合金由FCC向BCC结构转变.本文基于Chan-Hilliard方程和Allen-Cahn方程,建立AlxCuMnNiFe高熵合金三维相场模型,模拟了AlxCuMnNiFe高熵合金(x=0.4, 0.5, 0.6, 0.7)在823 K等温时效时纳米富Cu相的微观演化过程.结果表明, AlxCuMnNiFe高熵合金时效时会产生两种复杂核壳结构:富Cu核/B2s壳以及B2c核/FeMn壳,通过讨论分析发现形成的B2c对纳米富Cu相的形成起到抑制作用,这种抑制作用随着Al元素的增加而变大;结合经验公式做出AlxCuMnNiFe高熵合金富Cu相的屈服强度随时效时间的变化曲线,得到峰值屈服强度的时效时间和合金体系,可以为时效工艺提供参考. 相似文献
32.
33.
金属锂因其具有极高的理论容量(3860 mAh·g?1)、最低的电极电位(?3.04 V vs.标准氢电极)和低的密度(0.534 g·cm?3),被认为是最具潜力的负极材料。但循环过程中不可控的枝晶生长及不稳定的固体电解质相界面膜所引起的安全隐患和电池库伦效率低等问题严重阻碍了锂金属负极的发展。通过在电极表面构建人造保护膜可以有效调控锂离子沉积行为,因此人造保护膜的构建是一种简单高效抑制锂枝晶生长的策略。本综述将从聚合物保护膜、无机保护膜、有机-无机复合保护膜和合金保护膜总结了人造保护膜的构建方法、抑制锂枝晶生长机理,为促进高比能锂金属电池的商业化应用提供借鉴参考作用。 相似文献
34.
在室温条件下合成了2个配合物[Ni(DBTA)(DMF)(H2O)4](1)和[Co(DBTA)(DMF)(H2O)4](2)(D-H2DBTA=D-(+)-二苯甲酰酒石酸,DMF=N,N-二甲基甲酰胺),并通过元素分析、FT-IR光谱、X射线单晶及粉末衍射表征了2个配合物的结构。X射线单晶衍射结果表明,2个配合物同构,属于单斜晶系,P21空间群。配合物由配位键形成零维结构,再通过分子间氢键形成三维网状结构。荧光分析表明当激发波长为280 nm时,配合物1和2具有较强的荧光。尽管2个配合物同构,但表现出不同的磁性质:配合物1主要表现出Ni2+离子间弱的反铁磁相互作用,而配合物2则表现为Co2+离子的磁各向异性以及Co2+离子间强的反铁磁相互作用。 相似文献
35.
以1,1′-二羟基-5,5′-联四唑(H_2BTO)为配体,镧系金属离子作为金属中心,采用溶剂热法制备了5种金属配合物:[La_2(BTO)_3(H_2O)_8]·2H_2O (1)、[Ce_2(BTO)_3(H_2O)_8]·2H_2O (2)、[Pr_2(BTO)_3(H_2O)_8]·2H_2O (3)、[Sm_2(BTO)_3(H_2O)_8]·2H_2O (4)和[Nd_2(BTO)_3(DMF)_4]·6H_2O (5)。通过单晶X射线衍射和元素分析对5种配合物的结构进行了表征。结果表明,5种配合物均属于单斜晶系,P2_1/n空间群。利用差示扫描量热法研究了配合物1~4的热稳定性,采用Kissinger法和Ozawa法分别计算了其热分解动力学参数。 相似文献
36.
在水热条件下合成并表征了2例基于柔性配体构筑的Co(Ⅱ)-MOFs:{[Co(glu)(bimb)]·4H2O}n (1),[Co(glu)(bix)0.5]n (2)(H2glu=戊二酸;bimb=1,4-双(咪唑-1-基)-丁烷;bix=1,4-双(咪唑-1-基-亚甲基)-苯)。配合物1显示非穿插的(4,4)-菱形网格,通过层间氢键和π…π作用拓展为三维超分子结构。加热失水后1的结构不可逆地降解。配合物2呈现典型的柱-层状三维结构,其拓扑符号为41263,中心Co(Ⅱ)离子采用四方锥构型。此外,性质研究表明:配合物1在水溶液中对染料甲基橙具有显著的吸附活性,配合物2表现出弱的反铁磁行为。 相似文献
37.
对于合成化学家来说,通过合成策略调控单离子磁体的磁动力学是一项艰巨的任务。我们以三(2-羟基亚苄基)三氨基胍配体(L)合成了2例单核Dy(Ⅲ)配合物[Dy(L)2(H2O)2]ClO4·2H2O·2CH3CN·CH3OH(1)和[Dy(L)2(H2O)2]CF3SO3·4H2O·2CH3OH(2)。对其结构和磁性研究表明,不同的抗衡阴离子对于配合物1和2的动态磁行为有显著影响。2个配合物中,Dy(Ⅲ)中心都具有三角形十二面体D2d对称性,在零直流场下表现出单离子磁体的行为,其有效能垒分别为358 K(1)和309 K(2)。结构参数对比表明轴向位置的键长和键角微小变化对轴向配体场产生了显著的影响,而轴向配体场的微小变化导致了2个配合物交流磁性的差异。 相似文献
38.
39.
该文以4-乙烯基吡啶和甲基丙烯酸酯为原料制备了一种可用于检测奥卡西平(OXC)的磁性分子印迹 电化学传感器(MNPs-MIP/MCPE)。首先,依据密度泛函数理论(DFT/B3LYP/6-31 + G)计算,实验成功地 筛选和构建出 OXC与功能单体的最佳组合及比例。随后,基于沉淀聚合法合成了能够识别 OXC的磁性分子 印迹膜(MNPs-MIP),将MNPs-MIP覆于碳糊电极(MCPE)表面制成MNPs-MIP/MCPE。采用差分脉冲伏安 法(DPV)将 MNPs-MIP/MCPE 传感器用于不同浓度 OXC 的测定。结果显示,传感器的峰电流信号随 OXC 浓 度的增大而增大,且OXC分别在5 × 10-8 ~3 × 10-6 mol/L和3 × 10-6 ~1. 5 × 10-4 mol/L浓度范围内与其峰电流 信号呈线性关系,其线性方程分别为:Ip (μA)= 1. 755 + 1. 097c(μmol/L),相关系数(r)= 0. 999 7 和 Ip (μA)= 0. 131 + 5. 177c(μmol/L),r = 0. 999 6。OXC的检出限(LOD = 3S/m)为2. 06 × 10-8 mol/L。该传感器成 功用于实际样品中OXC含量的检测,其回收率为99. 4%~101%,相对标准偏差(RSD)为1. 5%~2. 5%。 相似文献
40.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算Fe_3O_4,Fe_3O_4(001)表面以及过渡元素掺杂表面的电子结构和磁性。结果表明Fe_3O_4的半金属性主要来源于B位Fe离子,并且Fe的3d轨道发生强烈自旋极化;比较(001)表面不同终端A和B终端的表面能和电子结构,得出两种终端稳定性存在差异且A终端较稳定同时表现半金属性;由过渡元素V、Cr、Mn、Co、Cu和Zn取代Fe_3O_4(001)表面A终端A位Fe进行掺杂,形成的6种新表面结构都保持了半金属性。对比它们的表面能和磁矩,Mn掺杂的表面结构最稳定并且磁矩明显增大。 相似文献