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31.
采用电化学手段以及Mott-Schottky理论, 并结合氧化膜点缺陷模型(PDM)分析研究了Co-W合金镀层在1 mol• L-1 NaOH溶液中表面氧化膜的半导体性质, 并分别计算出了不同W含量的Co-W合金镀层在-0.15, -0.25和-0.35 V三个不同电位下阳极氧化后氧化膜的供体密度、平带电位及氧空穴扩散系数. 结果表明, Co-W合金镀层在1 mol•L-1 NaOH溶液中表面氧化膜的Mott-Schottky曲线线性区斜率为正, 表现出N型半导体性质|随着阳极氧化电位的升高或合金镀层W含量的降低, 氧化膜供体密度ND逐渐增大, 导致氧化膜被破坏或发生点蚀的几率升高|随着阳极氧化电位的降低或合金镀层W含量的降低, 氧化膜平带电位呈降低趋势, 说明其耐蚀性升高|不同W含量的Co-W合金镀层在三个不同电位下阳极氧化后的氧化膜的氧空穴扩散系数为(1.543~8.533)×10-14 cm2•s-1. 相似文献
32.
研究了2-(4-二甲氨基苯基)-5-氟-6-吗啉-1-氢-苯并咪唑(1)在不同pH条件下的紫外-可见吸收光谱,采用非线性最小二乘法得出分子1的三级加质子常数lgβ1, lgβ2, lgβ3分别为4.96±0.03, 5.72±0.07和7.95±0.10。当pH 3.40时,分子1主要以一价离子状态存在,紫外-可见吸收光谱及荧光光谱表明该条件下分子与小牛胸腺DNA存在明显的相互作用,并得出分子1与DNA的结合常数Kb为(2.30±0.10)×104 mol-1·L。当分子浓度为10-8~1.2×10-6 mol·L-1时,荧光强度随DNA含量的增加而线性增强,分子1是一种潜在的测定DNA的定量试剂。 相似文献
33.
We demonstrated a method for measurement of central corneal thickness(CCT) with a sub-micrometer sensitivity using a spectral domain optical coherence tomography system without needing a super broad bandwidth light source. By combining the frequency and phase components of Fourier transform, the method is capable of measurement of a large dynamic range with a high sensitivity. Absolute phases are retrieved by comparing the correlations between the detected and simulated interference fringes. The phase unwrapping ability of the present method was quantitatively tested by measuring the displacement of a piezo linear stage. The human CCTs of six volunteers were measured to verify its clinical application. It provides a potential tool for clinical diagnosis and research applications in ophthalmology. 相似文献
34.
为分析一维弹道修正弹阻力片不同修正能力下,其打开后对弹丸飞行稳定性的影响大小,以某型100mm一维弹道修正弹为研究对象,运用Simulink软件建立了6自由度刚体弹道模型,通过设置不同仿真条件,利用阻力片打开后弹丸攻角变化、陀螺稳定性判据、动态稳定性判据判断弹丸飞行稳定性。求出了在阻力片分别产生原来弹丸阻力系数3倍、4倍、5倍阻力下,为保证弹丸飞行稳定应控制阻力片打开后产生的新的静力矩的极限值应分别小于原弹丸静力矩的3倍、3.5倍、4倍。通过研究阻力片打开时间对弹丸飞行稳定性的影响,结果表明,阻力片打开时间越晚其对弹丸飞行稳定性的影响越大;分析了阻力片一定修正能力下,以不同射角射击时为保证阻力片打开后弹丸飞行稳定性,阻力片最晚打开时间。 相似文献
35.
基于衰减透射原理的高能X射线能谱测量,采用蒙特卡罗成像模拟的方法研究衰减材料选择对能谱准确稳定重建的影响。设计多孔准直模型模拟X射线穿过不同衰减材料的透射过程,并在单次成像中获得完整的衰减透射率曲线。由衰减透射率求解能谱是一种病态条件问题,采用改进的迭代扰动法进行解谱,计算时考虑透射率计算值与真实值的差异最小化要求以及高能能谱分布曲线的平滑性特点。通过计算分析了材料在能谱范围内的衰减特性变化趋势与能谱准确稳定重建的内在联系。结果表明,选用材料的质量衰减系数需满足在整个能谱分布范围内单调递减的要求。 相似文献
36.
石金水 邓建军 章林文 李劲 夏连胜 陈思富 代志勇 李勤 李洪 赖青贵 禹海军 江孝国 杨安民 黄子平 李远 张篁 李欣 蒋薇 秦玲 刘小平 谌怡 廖树清 谢宇彤 陈德彪 何佳龙 章文卫 朱隽 丁亨松 戴光森 王远 王毅 马冰 王敏鸿 《强激光与粒子束》2016,28(1):010201-8
神龙二号加速器是一台以M H z 猝发率猝发工作的三脉冲直线感应电子加速器.该加速器输出的三脉冲电子束,相邻两脉冲间最小时间间隔300 n s ,而且可调,每个脉冲电子束的电子能量1 8 -20 M e V 、束流强度大于等于2 k A .当电子束与轫致辐射转换靶相互作用时,可产生三个强X 光脉冲,X 光斑点尺寸小于等于2 m m ( F W H M ),距靶1 m 处照射量大于等于7 . 7 4 × 1 0^- 2C /k g ( 0 0 R ).该加速器涉及的主要关键技术包括三脉冲功率源设计、三脉冲强流高品质电子束源的产生、加速场建造、束流传输线设计、轫致辐射转换靶设计、测量与诊断技术等. 相似文献
37.
H2在K0-MWCNTs上储存和吸附/脱附特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压容积法辅以卸压升温脱附排水法,测定金属K修饰多壁碳纳米管对H2的吸附储存容量.结果表明,在室温(25℃),7.25MPa实验条件下,x%K^0-MWCNTs (x%=30%~35%,质量百分数)对H2的吸附储存容量可达3.80wt%(质量百分数),是相同条件下单纯MWCNTs氢吸附储量的2.5倍;室温下卸至常压的脱附氢量为3.36wt%(占总吸附氢量的~88%),后续升温至673K的脱附氢量为0.41wt%(占总吸附氢量的~11%).利用LRS和H2-TPD-GC/MS等谱学方法对H2/K^0-MWCNTs吸附体系的表征研究表明,H2在K^0-MWCNTs上吸附存在非解离(即分子态)和解离(即原子态)两种吸附态;在≤723K温度下,H2/K^0-MWCNTs体系的脱附产物几乎全为H2气;723K以上高温脱附产物不仅含H2,也含有CH4,C2H4和C2H2等C1/C2-烃. 相似文献
38.
Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AlGaN/GaN HEMTs by using Schottky drain 下载免费PDF全文
In this paper, we demonstrate that a Schottky drain can improve the forward and reverse blocking voltages(BVs)simultaneously in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors(HEMTs). The mechanism of improving the two BVs is investigated by analysing the leakage current components and by software simulation. The forward BV increases from72 V to 149 V due to the good Schottky contact morphology. During the reverse bias, the buffer leakage in the Ohmicdrain HEMT increases significantly with the increase of the negative drain bias. For the Schottky-drain HEMT, the buffer leakage is suppressed effectively by the formation of the depletion region at the drain terminal. As a result, the reverse BV is enhanced from-5 V to-49 V by using a Schottky drain. Experiments and the simulation indicate that a Schottky drain is desirable for power electronic applications. 相似文献
39.
40.