CdTe/CdS量子点与丝裂霉素的相互作用及其应用

在水相中合成了硫普罗宁(Tiopronin,TP)修饰的CdTe/CdS量子点(TP-CdTe/CdS QDs).利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱研究了TP-CdTe/CdS QDs与丝裂霉素(mitomycin C,MMC)的相互作用机理.在pH=7.6的tris-HCl缓冲溶液介质中,TP-CdTe/CdS QDs与MMC相互作用,使TP-CdTe/CdS QDs的荧光发生猝灭,并且QDs的荧光强度与MMC的浓度有良好的线性关系(r=0.9991),线性范围4.7×10-9～1.2×10-8g/mL,检出限(3σ)为1.4×10-g/mL.此方法快速简便,用于尿样中丝裂霉素的测定,实验结果令人满意.     

不同Yb掺杂量的Yb:Y3Al5O12晶体的光谱分析

采用提拉法生长了Yb³⁺掺杂量分别为5.4at%, 16.3at%, 27.1at%, 53.6at%和100at%的Yb:Y₃Al₅O₁₂晶体.系统地表征和分析了Yb³⁺掺杂量对晶体吸收光谱和荧光光谱的影响.随着Yb³⁺掺杂量的增加，各峰值吸收系数呈线性增加的趋势.应用Smakula公式计算了各吸收峰对应的振荡强度，并分析了Yb³⁺掺杂量对振荡强度的影 关键词： 吸收光谱 荧光光谱 自吸收 浓度猝灭     

不同Yb掺杂量的Yb:Y3Al5O12晶体的光谱分析

采用提拉法生长了Yb3+掺杂量分别为5.4at%, 16.3at%, 27.1at%, 53.6at%和100at%的Yb:Y3Al5O12晶体.系统地表征和分析了Yb3+掺杂量对晶体吸收光谱和荧光光谱的影响.随着Yb3+掺杂量的增加,各峰值吸收系数呈线性增加的趋势.应用Smakula公式计算了各吸收峰对应的振荡强度,并分析了Yb3+掺杂量对振荡强度的影响.当Yb3+掺杂量增加到27.1at%时观察到了荧光猝灭现象;当Yb3+掺杂量增加到53.6at%时,荧光光谱的线形发生了很大的变化.     

基于FPGA与Matlab的数字正交解调器的设计

为有效提取测控系统输入信号的幅度和相位信息,设计了基于FPGA与Matlab的信号数参考文献6文献类型、文献出处、年份字正交解调器。在Matlab/Simulink环境中产生一路调幅信号,并在此环境下利用5个直接I型的4阶FIR滤波器节搭建了20阶FIR滤波器;利用FPGA查表法实现数控振荡器(NCO),并控制1路调幅信号与正交的正、余弦信号分别进行数字混频处理;对经FPGA数字混频处理后的两路倍频分量和基频分量信号进行滤波处理,经处理后的信号在FPGA的控制下进行相加处理。最后在硬件平台上进行了仿真测试实验,验证了该方案的正确性和可行性。     

PBO的合成、表征及磷含量的测定

以4,6-二氨基-1,3-苯二酚盐酸盐和对苯二甲酸为原料,多聚磷酸为介质,缩聚得到聚对苯撑苯并二噁唑(PBO).通过实验得到最佳条件:聚合反应在减压及氮气保护下进行,聚合温度100℃~180℃,控制最终w(P2O5)=83%~84%.通过红外光谱、热重分析对PBO进行了表征.结果表明,合成的PBO具有优良的耐热性能.采用分光光度法测定聚合物中残余的磷含量,测定了最大吸收波长、绘制了磷标准曲线、考察了回流时间对聚合物中残余磷含量的影响.实验结果表明硫酸为溶剂、测定波长710 nm、当聚合物在水中回流30 h后,磷含量≤0.12%.     

PI/ZnO-UV/类Fenton光催化降解甲基橙废水

采用超声-离子交换法制备PI/ZnO复合薄膜,采用SEM、EDS、XRD、XPS、UV-vis DRS、TGA等对其形貌、结构进行表征.结果表明,复合薄膜表面以六方纤锌型纳米ZnO存在,颗粒均匀、无团聚现象,复合薄膜的可见光吸收范围增加,保留了原有PI的耐高温性能.考察了溶液初始pH、H2 O2用量、紫外光强度、光催化时间等因素对PL/ZnO-UV/类Fenton光催化降解反应的影响.结果表明,以50 mL,10 g/mL的甲基橙模拟废水为目标产物进行光催化性能试验,取PI/ZnO复合薄膜(10 mm× 30mm),调节初始pH为3.5,30;的双氧水投加量为0.06 mL(约1滴),紫外光强度300 W,空气流速为0.03 MPa/s,60s后降解率可达到98.5;以上.     

基于水溶性CdTe量子点-绿原酸-血管紧张素Ⅰ 相互作用的荧光可逆调控

在水相中合成了巯基丙酸(MPA)包覆的CdTe量子点(QDs), 采用透射电子显微镜和原子力显微镜对其进行表征. 利用荧光光谱、紫外-可见吸收光谱和红外光谱研究了CdTe QDs与绿原酸(CHA)的相互作用. 结果表明, CHA可显著猝灭CdTe QDs的荧光, 在一定的浓度范围内, 荧光猝灭值与CHA的浓度呈现一定的线性关系. 推断其主要猝灭机理为动态猝灭, 并实现了荧光光谱法测定CHA. 向CdTe QDs-CHA体系中加入血管紧张素Ⅰ(AngⅠ)后, CdTe QDs荧光在一定浓度范围内逐渐恢复, 从而实现了CdTe QDs的荧光可逆调控. CdTe QDs荧光的猝灭与恢复过程对于荧光传感的设计以及荧光可逆调控机理的研究具有指导意义.     

羧基化氧化石墨烯-谷氨酸复合物的抗凝血性能

将手性的L-谷氨酸(Glu)接枝到羧基化氧化石墨烯片层上, 制备了一种羧基化氧化的氧化石墨烯-谷氨酸复合物(GeneO-Glu), 提高了羧基化的氧化石墨烯的生物相容性. 利用红外光谱、 静态水接触角、 X射线衍射及热重分析等手段对所合成的GeneO-Glu复合物进行了表征, 并对其复合机理进行了探讨. 结果表明, Glu可在一定条件下通过化学反应键合在羧基化的氧化石墨烯片层上. 血浆复钙时间随着复合物浓度的增加而增加; 不同pH值条件下合成的复合物在不同浓度下的溶血率均小于5%, GeneO-Glu复合物在低浓度时即表现出优良的抗凝血性能.     

多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体.采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响.结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI.按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2h可制备出六边形薄片状γ-CuI.不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响.纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9 Ω·cm.