自发产生相干对Y型四能级原子系统探测吸收的影响

在与三个场相互作用的Y型四能级原子系统中,利用密度矩阵方程计算了介质对探测场的吸收,分析了自发产生相干对探测吸收的影响.结果发现:随着自发产生相干的影响,在共振中心处,探测吸收表现出不同的现象.当自发产生相干对探测吸收产生相消干涉时,随着自发产生相干的增强,在共振中心处削弱吸收,出现增益.当自发产生相干对探测吸收产生相长干涉时,随着自发产生相干的增强,在共振中心处出现吸收增强,也即出现电磁诱导吸收(electromagnetically induced absorption,简称EIA),在共振两侧的双电磁感应透明强度(electromagnetically induced transparency,简称EIT)增强,窗口变宽.同时,在能级| 3〉→| 2〉与| 4〉→| 2〉的自发衰减速率比值不变下,当能级|3〉→|2〉与|4〉→|2〉的自发衰减速率减小时,在共振中心处,吸收线宽变窄,共振两侧的透明窗口变宽.     

超导芯片铟焊质量试验研究

为考察超导芯片接地钎焊质量,参照电子元器件试验方法相关国家标准,模拟超导器件工作温度和真空环境制作了试验装置,对钎焊后的超导芯片样品进行了温度冲击试验、完整超导器件系列环境试验,并对试验数据和结果进行了分析。     

Local thermal conductivity of polycrystalline AlN ceramics measured by scanning thermal microscopy and complementary scanning electron microscopy techniques

The local thermal conductivity of polycrystalline aluminum nitride (AlN) ceramics is measured and imaged by using a scanning thermal microscope (SThM) and complementary scanning electron microscope (SEM) based techniques at room temperature.The quantitative thermal conductivity for the AlN sample is gained by using a SThM with a spatial resolution of sub-micrometer scale through using the 3ω method.A thermal conductivity of 308 W/m·K within grains corresponding to that of high-purity single crystal AlN is obtained.The slight differences in thermal conduction between the adjacent grains are found to result from crystallographic misorientations,as demonstrated in the electron backscattered diffraction.A much lower thermal conductivity at the grain boundary is due to impurities and defects enriched in these sites,as indicated by energy dispersive X-ray spectroscopy.     

珠算教学中德育和美育的渗透

珠算教学中渗透德育、美育是素质教育的需求,是珠算教学改革中应积极探索的一个领域。爱因斯坦关于教育曾有这样的卓见:“用专业知识教育人是不够的。通过专业教育,他可以成为一种有用的机器,但是不能成为一个和谐发展的人。要使学生对价值有所理解并且产生热烈的感情,那是最基本的。他     

Effect of NaCl doped into Bphen layer on the performance of tandem organic light-emitting diodes

To improve the performance of tandem organic light-emitting diodes （OLEDs）, we study the novel NaCl as n-type dopant in Bphen：NaCl layer. By analyzing their relevant energy levels and cartier transporting characteristics, we discuss the mechanisms of the effective charge generation layer （CGL） of Bphen：NaCl （6 wt%）/MoO3. In addition, we use the Bphen：NaC1 （20 wt%） layer as the electron injection layer （ELL） combining the CGL to further improve the performance of tandem device. For this tandem device, the maximal current efficiency of 9.32 cd/A and the maximal power efficiency of 1.93 lm/W are obtained, which are enhanced approximately by 2.1 and 1.1 times compared with those of the single- emissive-unit device respectively. We attribute this improvement to the increase of electron injection ability by introducing of Bphen：NaCl layer. Moreover, the CGL is almost completely transparent in the visible light region, which is also important to achieve an efficient tandem OLEDs.     

常用激光峰值功率公式误差分析

为分析脉冲激光中常用峰值功率公式的误差,对高斯脉冲、双曲正割脉冲、洛仑兹脉冲、非对称双曲正割脉冲的常用峰值功率公式的误差进行了解析计算。结果表明：高斯脉冲、双曲正割脉冲、洛仑兹脉冲、非对称双曲正割脉冲中,常规峰值功率公式的结果与实际峰值功率的误差分别为6.3%,13.6%,22.1%,20.9%。在具体实验基础上采用数值方法分析了非常规脉冲的情形,给出了精确计算峰值功率的方法。     

用拉曼光谱测量GeSbSe玻璃的热导率

本文根据斯托克斯和反斯托克斯拉曼光谱散射截面的不同,测量样品表面温度,并进一步提出了一种测量材料热导率的新方法.利用该方法系统地研究了GexSb10Se90-x,GexSb15Se85-x和GexSb20Se80-x三个系列的GeSbSe玻璃的热导率,从而证明该方法的实用性和可靠性,同时分析其化学组分对材料结构和热导率的影响.该方法测量获得的热导率与文献报道的热导率基本一致,表明拉曼光谱法测试材料的热导率简单、快捷,是一种实用的测量材料热导率的方法.结果表明每个系列硫系玻璃的热导率随着Ge浓度的增加而增加,在等于或近似化学配比组分处,硫系玻璃的热导率达到最大值,然后随着Ge含量的继续增加而降低.认为GeSbSe硫系玻璃热导率表现出的阈值现象归因于GeSbSe三元网络结构分离为二元结构的结果.     

非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响

利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。