射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究

在不同的衬底温度下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品.用X射线衍射仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析.薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200?C时薄膜的结晶性最好.用椭偏仪测试样品,建立物理模型计算出氮化锌薄膜在430—850 nm范围内的折射率和消光系数等光学参数.利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73—1.79 eV之间.     

用拉曼光谱测量GeSbSe玻璃的热导率

本文根据斯托克斯和反斯托克斯拉曼光谱散射截面的不同,测量样品表面温度,并进一步提出了一种测量材料热导率的新方法.利用该方法系统地研究了GexSb10Se90-x,GexSb15Se85-x和GexSb20Se80-x三个系列的GeSbSe玻璃的热导率,从而证明该方法的实用性和可靠性,同时分析其化学组分对材料结构和热导率的影响.该方法测量获得的热导率与文献报道的热导率基本一致,表明拉曼光谱法测试材料的热导率简单、快捷,是一种实用的测量材料热导率的方法.结果表明每个系列硫系玻璃的热导率随着Ge浓度的增加而增加,在等于或近似化学配比组分处,硫系玻璃的热导率达到最大值,然后随着Ge含量的继续增加而降低.认为GeSbSe硫系玻璃热导率表现出的阈值现象归因于GeSbSe三元网络结构分离为二元结构的结果.     

苯海拉明的拉曼光谱和红外光谱研究

测量并分析了盐酸苯海拉明的红外光谱和拉曼光谱。在Raman光谱中, 1001 cm-1出现一个极强峰, 在1030 cm-1和618 cm-1各有一个中等峰,此外,在红外光谱中, 714 cm-1和757 cm-1附近出现极强的吸收峰,认定这个化合物中存在单取代苯。C-N的对称伸缩振动出现在837 cm-1, 1433 cm-1和1470 cm-1分别为CH2和CH3的变形振动, 在红外光谱中, 1020 cm-1处明显的吸收峰属于C-O-C反对称伸缩振动。此外, 测量得到含量为25 mg苯海拉明药片的拉曼光谱与纯苯海拉明的拉曼峰比较一致, 可作为无损快速检测该药物的手段。     

木糖醇的红外光谱和拉曼光谱研究

实验测量了木糖醇的拉曼光谱和红外光谱,在相关文献的帮助下,对其谱带进行了初步指认。在拉曼光谱中,1000cm-1～1110cm-1之间的中等强度振动属于C-O伸缩振动和H-C-O弯曲振动。850cm-1到920cm-1之间的振动属于C-C伸缩振动。羟基面内弯曲振动在红外吸收光谱中出现在1300～1500cm-1,O-H的变形振动δO-H出现在1420～1380cm-1。     

聚合物分散液晶的制备及拉曼光谱分析

用溶致相分离的方法制备了以PMMA为基体的四种不同配比的聚合物分散液晶(PDLC),四氢呋喃为引发剂,并且通过傅立叶拉曼光谱仪对其进行检测,分析其光谱,观察各单体混合前后性质的变化,鉴别聚合物分散液晶的物质构成。此外,在指定的组分前提下,根据液晶最强峰与PMMA特征峰的相对强度拟合曲线得出PDLC中液晶与PMMA的质量百分比,为下一步研究聚合物分散液晶系统的光折变特性提供指导。     

The electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films

Cubic boron nitride (c-BN) thin films are deposited on p-type Si wafers using radio frequency (RF) sputtering and then doped by implanting S ions. The implantation energy of the ions is 19 keV, and the implantation dose is between 10 15 ions/cm 2 and 10 16 ions/cm 2 . The doped c-BN thin films are then annealed at a temperature between 400°C and 800 C. The results show that the surface resistivity of doped and annealed c-BN thin films is lowered by two to three orders, and the activation energy of c-BN thin films is 0.18 eV.     

β-Ga2O3薄膜掺杂工艺及性能研究进展

β-Ga2O3薄膜因其禁带宽度大,稳定性高,生产成本低等优势,被认为是在光电探测器、发光器件等领域非常有前景的材料之一.但β-Ga2O3较低的导电率限制了其在某些领域的应用,通过掺杂技术改进β-Ga2O3薄膜在光学和电学的性能吸引了大量科研者的目光.本文介绍了几种常用的掺杂手段及掺杂对β-Ga2O3薄膜结构和光电特性的影响,并对以后的研究工作进行了展望.     

单壁碳纳米管晶格振动模及红外吸收光谱的研究

碳纳米管晶格动力学的研究可以提供碳纳米管结构和螺旋性等方面的相关信息。在室温下测量了单壁碳纳米管的红外吸收光谱,首次在透射法模式下观察到了其晶格振动模的红外吸收峰,通过与晶格动力学理论计算值对照,做出了振动模的初步归属。讨论了单壁碳纳米管高频振动模与管径的关系,并与高取向热解石墨振动模进行了对比。结果表明,红外吸收光谱包含有碳纳米管的许多信息,是研究其晶格动力学的有效方法。     

Bi4Ge3O12晶体及其掺杂晶体的拉曼光谱研究

利用拉曼光谱分别对Bi4 Ge3O12(BGO)晶体以及BGO:Pb(0.02 wt%),BGO:Al(0.02 wt%)进行了分析研究.测得的拉曼光谱显示,掺杂晶体对比纯的BGO晶体,在某些特征峰处,相对强度发生改变.此外,对于掺杂的晶体,部分拉曼特征峰会有偏移.因此,可以通过测定拉曼光谱来判定样品是否含有杂质.     

Deposition of hexagonal boron nitride thin films on silver nanoparticle substrates and surface enhanced infrared absorption

Silver nanoparticle thin films with different average particle diameters are grown on silicon substrates. Boron nitride thin films are then deposited on the silver nanoparticle interlayers by radio frequency （RF） magnetron sputtering. The boron nitride thin films are characterized by Fourier transform infrared spectra. The average particle diameters of silver nanoparticle thin films are 126.6, 78.4, and 178.8 nm. The results show that the sizes of the silver nanoparticles have effects on the intensities of infrared spectra of boron nitride thin films. An enhanced infrared absorption is detected for boron nitride thin film grown on silver nanoparticle thin film. This result is helpful to study the growth mechanism of boron nitride thin film.