超导芯片铟焊质量试验研究

为考察超导芯片接地钎焊质量,参照电子元器件试验方法相关国家标准,模拟超导器件工作温度和真空环境制作了试验装置,对钎焊后的超导芯片样品进行了温度冲击试验、完整超导器件系列环境试验,并对试验数据和结果进行了分析。     

自发产生相干对Y型四能级原子系统探测吸收的影响

在与三个场相互作用的Y型四能级原子系统中,利用密度矩阵方程计算了介质对探测场的吸收,分析了自发产生相干对探测吸收的影响.结果发现:随着自发产生相干的影响,在共振中心处,探测吸收表现出不同的现象.当自发产生相干对探测吸收产生相消干涉时,随着自发产生相干的增强,在共振中心处削弱吸收,出现增益.当自发产生相干对探测吸收产生相长干涉时,随着自发产生相干的增强,在共振中心处出现吸收增强,也即出现电磁诱导吸收(electromagnetically induced absorption,简称EIA),在共振两侧的双电磁感应透明强度(electromagnetically induced transparency,简称EIT)增强,窗口变宽.同时,在能级| 3〉→| 2〉与| 4〉→| 2〉的自发衰减速率比值不变下,当能级|3〉→|2〉与|4〉→|2〉的自发衰减速率减小时,在共振中心处,吸收线宽变窄,共振两侧的透明窗口变宽.     

Local thermal conductivity of polycrystalline AlN ceramics measured by scanning thermal microscopy and complementary scanning electron microscopy techniques

The local thermal conductivity of polycrystalline aluminum nitride (AlN) ceramics is measured and imaged by using a scanning thermal microscope (SThM) and complementary scanning electron microscope (SEM) based techniques at room temperature.The quantitative thermal conductivity for the AlN sample is gained by using a SThM with a spatial resolution of sub-micrometer scale through using the 3ω method.A thermal conductivity of 308 W/m·K within grains corresponding to that of high-purity single crystal AlN is obtained.The slight differences in thermal conduction between the adjacent grains are found to result from crystallographic misorientations,as demonstrated in the electron backscattered diffraction.A much lower thermal conductivity at the grain boundary is due to impurities and defects enriched in these sites,as indicated by energy dispersive X-ray spectroscopy.     

CONVERGENCE RATES IN THE LAW OF LARGE NUMBERS FOR B-VALUED RANDOM ELEMENTS

1 Introduction and Main ResultsLet {X.,n > 1} be a sequence of random variables in the same probability space andnput Sn = Z Xj, n 2 1. ln real-valued case1 the rates of convergence to zero of qualltitiesi = 1P(lS.I/n'/' > E) (0 < f < 2) are described by the well-known theorem of Baum and Katz(1965):Theorem BK Let 0 < t < 2,r 2 1, and let {X., n 2 1} be real valued iid r.v.'s, when1 5 t < 2, EXl = 0. ThenIn l985, Bai and Su generalized Theorem BK and obtained the correspondillg resul…     

金属Cu熔化结晶过程的分子动力学模拟

采用常温、常压分子动力学模拟技术,研究了在周期性边界条件下,由864个Cu原子构成的模型系统的熔化、结晶过程。原子间相互作用势采用EAM势。模拟结果表明：在连续升温过程中,金属Cu在1520 K熔化;以不同的冷速进行冷却,在较慢冷却条件下,液态Cu在1010 K结晶;当冷速较快时,液态Cu形成非晶态。分析了升降温过程中熔体偶分布函数、原子体积、能量、MSD随温度的变化特征。     

Au3Ag合金的快速凝固及晶体生长过程的分子动力学模拟

采用常温、常压分子动力学模拟技术,研究了液态Au3Ag合金在不同冷却条件下形成晶体及非晶的过程.模型采用EAM作用势,计算了不同温度,不同冷却条件下的偶分布函数及非晶转变温度;分析了不同冷却条件下体系的相变热力学及动力学过程;最后采用液固两层构型法,描述了晶体的生长过程.     

水中流光放电流光丝的再发光和暂停行为

水中流光放电是研究水中放电基本物理、化学过程的主要研究对象.本文利用四分幅超高速相机、采用针-板电极结构、在20—800μS/cm水电导率范围内研究了水中微秒脉冲流光放电流光丝的再发光和暂停行为,探讨了高水电导率下观测不到流光丝的再发光的原因.结果发现:再发光在不同的流光丝之间交替发生并存在两种模式:一种为整根丝熄灭后再发光;一种为只有先端部分发光熄灭随后恢复发光.随着水电导率的增大,观测到流光丝的再发光现象的频度急剧减小, 540μS/cm水电导率时降到零;在20—800μS/cm水电导率条件下都可观测到流光丝伴生冲击波串分段现象,冲击波串分段现象的出现频度在65%以上,表明在20—800μS/cm水电导率条件下流光丝的暂停是一种普遍行为.通过测量两段冲击波的半径差得到流光的暂停时间平均为157 ns,几乎不受水电导率的影响;随着水电导率的增大,流光丝的发光强度显著增大,水电导率大于350μS/cm时,流光丝暂停期间内流光丝的光强度无法衰减到相机分辨水平以下,在相机获得的发光图像上看上去是持续发光的,难以分辨出流光丝"熄灭-再发光"过程.     

高效液相色谱-荧光法或超高效液相色谱-四极杆/轨道阱质谱法测定抑郁症小鼠海马中5-羟色胺和相关的2种物质含量的比较

为测定抑郁症小鼠海马中5-羟色胺(5-HT)、色氨酸(TRP)和5-羟吲哚乙酸(5-HIAA),比较了两种测定方法的应用,即带荧光检测器的高效液相色谱法(HPLC-FLD)和超高效液相色谱-四极杆/轨道阱质谱法(UHPLC-Q-Obitrap-MS)的比较。样品的前处理选用0.4 mol·L~(-1)高氯酸溶液以1∶5(g∶mL)比例加入于小鼠海马组织的匀浆液中沉淀其中的蛋白,经涡旋和离心后取上清液,分别按上述两种方法进行测定。在两种方法中均采用C_(18)柱分离。试验结果表明:Q-Obitrap-MS测定显示较强的基质干扰,而HPLC-FLD测得的5-HT、TRP和5-HIAA的色谱峰形对称,峰宽窄,基质无明显干扰。3种目标物的质量浓度在500.0μg·L~(-1)以内呈线性。不同浓度水平的加标回收率为86.2%,92.1%,91.0%。上述3项测定目标物的检出限(3S/N)依次为1.0,1.0,0.5μg·L~(-1)。     

非平衡等离子体放电模式及反应器结构对氨气分解制氢的影响

在常压下研究了不同等离子体放电模式及反应器结构对氨分解制氢反应的影响.实验中调节反应器结构分别产生了介质阻挡放电和交流弧放电两种放电模式.通过对两种放电模式的放电图像、电压-电流波形和氨分解过程中等离子体区活性物种的发射光谱(OES)研究发现,与介质阻挡放电相比,交流弧放电为局部强放电,具有更高的电源效率和电子密度.因此,在介质阻挡放电中氨气分子大部分通过生成电子激发态物种NH3*,再与载能电子碰撞断裂N―H键进行氨分解反应;而在交流弧放电中载能电子具有更高的平均电子能量,可直接断裂氨气分子的N―H键生成NH2和NH等高活性物种,促进氨分解反应的进行.结果表明,交流弧放电的氨分解效果要明显优于介质阻挡放电.在交流弧放电模式下不同类型反应器对氨气分解转化率由高到低的顺序为:管-管管-板针-板板-板.在输入功率为30 W,气隙间距为6 mm时,管-管交流弧放电的氨气转化率达到60%左右,而板-板介质阻挡放电的氨气转化率仅为4%.