CdS量子点与CdSe量子点间荧光共振能量转移研究

在有机相中合成了不同尺寸的CdS和CdSe量子点, 并利用Langmuir-Blodgett (LB)技术将相同尺寸的CdS和CdSe量子点组装成多层复合纳米有序结构. 采用荧光光谱研究了CdS和CdSe量子点在混合体系和多层复合纳米有序结构状态下的荧光共振能量转移(Fluorescence resonance energy transfer, FRET). 我们观察到CdS和CdSe量子点混合溶液与当溶剂挥发形成固态膜中, CdS量子点的荧光强度较溶液状态下强烈猝灭, 表明当颗粒间距离减小时CdS和CdSe量子点间产生较高效率的荧光共振能量转移. 在多层复合纳米有序结构中, 随着给体CdS量子点层数的增加, 单层受体CdSe量子点的荧光逐步增强, 这表明层间纵向能量转移率随给体层数的增加而提高.     

单晶硅表面周期性微结构的减反射特性及光伏特性

利用聚苯乙烯胶体球自组装技术和纳米压印技术在单晶硅表面构筑了两种周期性微结构. 反射光谱表明, 两种周期性微结构都能够对特定波长的入射光有一定的减反射效果; 表面光电压谱和吸收光谱相对应, 在具有减反射效果的波长范围内观察到了表面光电压增强的现象, 说明这种表面构筑微结构的技术可以有效地利用在单晶硅太阳能电池的制造和设计上, 从而提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率. 对这种周期性微结构的减反射机理进行了初步探讨.     

β-FeOOH纳米线的制备及表征

通过无机铁(III)盐的水解在常温条件下制备了β-FeOOH 纳米线, 并用透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)及选区电子衍射(SAED)对其形貌及结构进行了表征. 电镜结果表明, 所得到的纳米线直径约 60 nm, 长度为4～5 μm, 且沿[001]方向生长. XRD结果表明纳米线为四方相β-FeOOH, 在常温下结晶性良好. 研究表明FeCl₃浓度对纳米线生长有很大影响, 只有当FeCl₃浓度合适时, 才能制备出高质量的纳米线.     

2,5-双(乙炔基二茂铁)噻吩/钨磷杂多酸纳米杂化LB膜的制备与光电性质研究

以含有共轭大π键的2,5-双(乙炔基二茂铁)噻吩(BFET)和二甲基双十八烷基铵(DMDOA)与Keggin结构和Dawson结构钨磷杂多酸做成膜材料, 用LB技术组装了两种新型无机-有机杂化LB膜. 用π-A曲线、UV-vis吸收光谱、原子力显微镜(AFM)、扫描隧道显微镜(STM)、荧光光谱和表面光电压谱(SPS)对标题LB膜的成膜性能、结构及光电性质进行了研究, 发现标题杂化LB膜的粒子具有纳米尺寸, 在可见光区有较强的光电压响应, 在电压为±2.0 V时, 隧道电流值达到±100 nA.     

聚乙烯基咔唑-花生酸有序复合膜的光电性质研究

用LB技术在石英和硅衬底上制备了聚乙烯基咔唑(PVK)的固态有序薄膜.荧光光谱研究表明,PVK在膜中的光致发光主要呈现激基缔合物的发射,其中心波长为418nm;表面光电压谱的测试揭示了PVK聚合物膜/p-Si体系具有显著的表面光伏效应.     

D-π-A分子H-聚集体的电子光谱

合成了具有强化给体和强电子受体的D-π-A分子5-(4-N,N-二甲氨基苯乙烯基)-(1H,3H)-2,4,6-嘧啶三酮(AB1)和5-(4-N,N-双十八烷基氨基苯乙烯基)-(1H,3H)-2,4,6-嘧啶三酮(AB18),并对其电子光谱进行了研究,AB18在环 聚集体的吸收光谱及AB1和AP18的表面光电压谱在450nm附近出现H-聚集体的谱带,比其在氯仿溶液中单体的ICT带蓝移了30nm左右,AB1和AB18固体及其高浓度的氯仿溶液分别在620nm和610nm附近出现来源于H-聚集体的激基缔合物的荧光,620nm带比单体红移3000cm^01 左右,还探讨具有强电子给体和受体的D-π-A分子间π-π相互作用.     

用离子液前驱体合成高荧光性能的ZnO和CdS纳米材料

合成了含Cd和Zn的离子液,使其提供金属离子,与Na2S反应制备离子液包裹的半导体纳米材料．X射线衍射和透射电子显微镜分析结果显示：在Cd离子液与Na2S反应中,得到的是尺寸在5～6nm、离子液包裹CdS纳米晶,而在Zn的体系中,最终产物为尺寸在1μm左右六方盘形貌的ZnO颗粒．用热力学和结晶动力学详细讨论了造成Cd和Zn体系在反应条件相同时,产物的形貌和结构差别的原因．荧光性质的测试结果表明：该方法制备的ZnO和CdS纳米粒子具有很好的荧光性能．     

利用牛血清蛋白合成CdS纳米棒和网状纳米线

采用简单易控、对环境友好的矿化方法, 利用牛血清蛋白(BSA)做模板, 通过Cd2+与硫代乙酰胺(TAA)反应制备了形貌均一的CdS纳米棒和网状纳米线. 分别采用透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、荧光(PL)发射谱和导电原子力显微镜(C-AFM)等方法对不同实验温度下制备的CdS样品的结构形貌、成分组成和光学性质及微区电子传输行为进行了表征. 结果表明: 在实验反应温度为20 ℃时, 得到的产物为单分散性好的CdS 纳米棒, 长度为250 nm, 直径为30 nm; 在50 ℃时, 得到网状CdS纳米线, 其长度为2-3 μm; CdS纳米棒和网状纳米线均为立方相闪锌矿结构. 荧光性质的测试表明, CdS纳米棒和网状纳米线具有优良的荧光性能, 电流-电压(I-V)特性的表征表明CdS纳米线具有很好的电导特性.     

多肽Langmuir膜控制下方解石晶体的生长

本文研究了聚β-苯甲基天门冬氨酸(PBA)Langmuir膜对碳酸钙成核和生长的诱导控制作用。在PBA Langmuir单分子膜作用下,我们得到形状规则、边缘清晰的花瓣状碳酸钙晶体。XRD分析表明所得碳酸钙晶体为沿(104)和(208)晶面取向生长的方解石晶型;AFM、TEM和SEM观察显示了方解石形貌的变化过程。结果表明多肽PBA Langmuir单分子膜对碳酸钙的结晶、生长取向和形貌具有良好的诱导和调控作用。     

聚乙烯烷酮修饰CdS纳米微粒的制备及其光电转移特性

以聚乙烯烷酮（PVP）为修饰剂,制备了CdS纳米微粒。实验结果表明PVP与CdS纳米微粒间存在着强的相互作用,PVP和CdS纳米微粒的荧光都在很大程度上发生淬灭。其原因在于作为修饰剂的PVP与CdS纳米微粒子间发生了特殊缔合．受激时形成共振激发态,电子能量弛豫被延迟。