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以乙基黄酸锌(ZnR2)作为单分子前驱体, SBA-15作为模板, 合成高度有序的ZnS纳米束, 并通过透射电子显微镜(TEM)、热重-差热分析(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附、紫外-可见(UV-Vis)光谱、荧光光谱和扫描电子显微镜(SEM)等一系列手段对其形貌、结构及性能进行表征. 结果表明, 此阵列具有高度有序的六方介孔结构, 同时具有类似于母模板的纤维状形貌. 采用一种简单的交流电场辅助的方法把纳米束组装到电极上, 然后通过半导体表征仪器进行测试, 表征结果发现单束ZnS纳米束呈现出非线性的整流行为, 在紫外光照射下, 其电流-电压(I-V)曲线发生了很大的变化, 说明利用它们组装的纳米器件具有良好的光开关效应,并对整流及光响应机理进行了解释. 相似文献
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CeOx与ZnO纳米复合粉体的制备及其发光性能 总被引:3,自引:0,他引:3
通过溶胶-凝胶法制备CeOx/ZnO纳米复合粉体,并对其结构和光致发光特性进行了研究。发现500℃烧结出的复合粉体在502nm处的绿光发射同纯ZnO的相比有显著的增强;600℃烧结的样品在603nm出现新的发光峰。通过XRD和XPS分析认为荧光增强的主要原因同粉体中铈主要以Ce^3 形式存在有关,新的发光峰可能来源于ZnO/CeO2界面处形成的新的能级跃迁。 相似文献
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Sol-gel法制备纳米SnO2气敏材料的研究 总被引:14,自引:2,他引:12
用Sol-gel法制备SnO2纳米粒子,并用XRD、紫外吸收光谱和激光Raman光谱进行了表征和分析。XRD实验证实了所制备的粒子具有较理想的纳料尺寸,其粒径随热退火温度升高而增大;Raman光谱表明低温退火时SnO2纳米材料的氧缺位较大;紫外吸收光谱表明退火温度在300-500℃粒径变化很大,但光的吸收稳定不变,可望利用这些性质,提高SnO2气敏器件的性能。 相似文献
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1,4-双二茂铁噻吩/纳米二氧化锡异质结光伏性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用LB技术制备了1,4-双二茂铁噻吩与纳米二氧化锡复合膜异质结.用AFM和XRD分别表征了纳米二氧化锡和异质结的成膜特性以及二氧化锡的物相结构;用紫外可见吸收光谱和表面光电压谱(surface photovoltage spectra, SPS)对其光吸收和光伏性质进行了研究,发现复合膜异质结在紫外可见光区(300~550 nm)有很好的光伏性能,相对于单一薄膜材料的光伏响应范围有一定程度的拓展,而且响应强度也有较大提高. 相似文献
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C60 Langmuir-Blodgett膜的微结构形态 总被引:4,自引:0,他引:4
利用LB(Langmuir-Blodgett)方法组装C60复合膜, 以二十二酸 (BA)、二十酸 (AA)、十八酸 (SA) 和十八胺 (OA) 作为辅助成膜材料, 改变辅助成膜材料的摩尔比, 成功地控制了C60的聚集结构. Dynamic force microscopy(DFM)形貌结果表明由摩尔比nC60∶nSA∶nAA∶nOA=2∶3∶3∶4组成的特定C60组装体具有两种结构: 一种为粒径大约180 nm左右的大颗粒, 另一种结构是粒径大约在30 nm左右的小团簇. 等链长的酸胺混合以及其它比例组成的C60聚集体颗粒大小不均且结构单一. UV-Vis吸收光谱也说明C60分子在LB膜中通过相互作用发生一定程度的聚集. 相似文献
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采用垂直提拉法将单层双炔酸膜转移到云母基片上,同时将13层双炔酸膜转移到经过亲水处理的单晶硅片和石英片上,使双炔酸在紫外光照射下发生拓扑聚合制备双炔酸聚合LB膜,并对双炔酸和经紫外光照射后聚合双炔酸LB膜的结构及摩擦磨损特性进行研究.结果表明:双炔酸在可见区无吸收峰,但经紫外光照射后因双炔酸聚合后形成的共轭大π键在可见区出现了吸收峰;双炔酸LB膜均匀平整,厚度约为3.5 nm,聚合后其结构发生变化,厚度降至约1.5 nm;而聚合后双炔酸LB膜的减摩性能基本保持不变,聚合前后双炔酸LB膜的摩擦系数不随载荷而变化,符合阿芒顿定律,其抗磨特性得到明显提高;磨痕结果充分表明聚合双炔酸耐磨性能较好. 相似文献
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At low temperature (400℃), chemical vapour deposition (CVD) is employed to make comb-like Co-doped ZnO nanocantilever arrays (NAs). The magnetization curves of the as-synthesized Co-doped ZnO NAs indicate the existence of above-room-temperature ferromagnetism (ARTFM) (Curie temperature, Tc 〉 300 K) whereas undoped ZnO NAs does not. The corresponding ferromagnetic source mechanism is discussed, in which defects play an important role due to the strong green light emission. 相似文献