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双峰倍增配平法用于同步,导数—同步荧光法同时测定邻羟基苯甲酸和间 … 总被引:2,自引:0,他引:2
邻羟基苯甲酸(o-HBA)和间羟基苯甲酸(m-HBA)荧光光谱严重重叠,同步及导数技术虽使选择性有所改善,但仍不能完全分辨开重叠谱。用双峰倍配平计算法结合同步,一阶导数-同步荧光法对双组分体系(邻羟基苯甲酸/间羟基苯甲酸,pH12介质)同时测定,结合计算的两种测定方法精密度,回收率和不同组分间浓度比范围均优于一阶导数-同步荧光法。 相似文献
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新型主体试剂交联聚合β-环糊精-邻香草醛苯甲酰腙的合成及荧光法识别锌 总被引:7,自引:0,他引:7
合成了新型主体试剂交联聚合 β 环糊精 邻香草醛苯甲酰腙 (β CDP OVBH) ,探讨了与Zn2 + 的荧光识别反应。在pH =8.30的NH3·H2 O NH4 Ac ,5 .0 0mLDMF中 ,β CDP OVBH与Zn2 + 络合生成 1∶1的包合物 ;线性范围 2 .5 0~ 5 0 0 μg L ;检测限 0 .6 0 8μg L ;2 8种常见离子干扰实验的研究 ,显示出该主体试剂对客体Zn2 + 有较高的选择识别效果。方法简便、快速地用于茶叶、人发中痕量锌的测定 ,结果满意。 相似文献
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荧光/化学发光探针成像检测超氧阴离子自由基的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
超氧阴离子自由基(O·-2)是细胞内氧气单电子还原后最先产生的一类含氧的高活性物种(活性氧,ROS),与生命过程息息相关.正常稳态浓度的O·-2起重要的信号调控作用,包括细胞的增殖、分化、自噬等.但O·-2浓度的异常,又与癌症、神经退行性疾病、糖尿病等多种疾病的发生发展密切相关.因此,监测O·-2浓度的变化对揭示相关疾病的机理具有至关重要作用.由于荧光成像检测方法具有诸多优势,发展高灵敏、高选择性检测O·-2的荧光探针成为揭示相关疾病发生发展分子机制的关键切入点.近年来,随着荧光显微技术的发展,研究者开发了多种荧光/化学发光探针,实现了对细胞及活体内O·-2水平的可视化监测.本文综述了近五年用于检测O·-2的分子探针、纳米探针、蛋白探针以及化学发光探针的研究进展,并对其发展前景进行了展望. 相似文献
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采用简单、易重现的两步后合成法成功制备了Ce-Beta分子筛。制备过程中, H-Beta分子筛首先经过脱铝处理得到Si-Beta分子筛,然后再以异丙醇铈为前驱体,通过干法浸渍的途径向Si-Beta分子筛引入Ce (IV)。利用XRD, FT-IR, UV-Vis和1H MAS NMR等对其结构进行了表征,结果表明, Ce(IV)物种以四配位的形式成功引入Beta分子筛的骨架, Ce原子进入分子筛骨架的机理通过DRIFT光谱得以证实。通过环氧化合物水合制备1,2-二醇反应对所制的Ce-Beta催化剂进行了催化性能评价。 相似文献
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制备了纳米金/碳纳米管复合修饰电极,研究了对氯苯酚在此修饰电极上的电化学行为,结果表明对氯苯酚在磷酸盐缓冲液(PBS)中有良好的伏安曲线。在pH为6.5,14μL修饰剂用量,富集时间为30s时,对氯苯酚于0.645V处有一灵敏的氧化峰。在对氯苯酚浓度为9.0×10-7~1.0×10-5mol.L-1时,峰电流与浓度呈良好的线性范围。在扫速为0.01~0.3V.s-1时,氧化峰电流与扫速呈线性关系,表明对氯苯酚的电极反应是受吸附控制的电极过程。计时电量实验中得到电量与时间的平方根的线性关系,其斜率为2.024μC/s1/2,根据Cottrell方程积分式得到扩散系数(D)为4.62×10-7cm2.s-1。根据所推导出的电荷转移数、参与反应的质子数,提出了对氯苯酚的电化学反应过程。 相似文献
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Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations 下载免费PDF全文
The thickness effect of the TiN capping layer on the time dependent dielectric breakdown(TDDB) characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET is investigated in this paper.Based on experimental results,it is found that the device with a thicker TiN layer has a more promising reliability characteristic than that with a thinner TiN layer.From the charge pumping measurement and secondary ion mass spectroscopy(SIMS) analysis,it is indicated that the sample with the thicker TiN layer introduces more Cl passivation at the IL/Si interface and exhibits a lower interface trap density.In addition,the influences of interface and bulk trap density ratio N_(it)/N_(ot) are studied by TDDB simulations through combining percolation theory and the kinetic Monte Carlo(kMC) method.The lifetime reduction and Weibull slope lowering are explained by interface trap effects for TiN capping layers with different thicknesses. 相似文献
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