《中国光学》征稿启事

《中国光学》为双月刊,A4开本;刊号:ISSN 2095-1531/CN 22-1400/O4;国内外公开发行,邮发代号:国内12-140,国外BM6782。★荷兰Scopus数据库★美国《乌利希国际期刊指南》★美国《化学文献》★波兰《哥白尼索引》★俄罗斯《文摘杂志》★美国工程索引(Ei)数据库★美国ESCI数据库[]★中国精品科技期刊★中国科技核心期刊★中国光学学会会刊★中国科技论文与引文数据库★中国期刊全文数据库★万方数字化期刊全文数据库★中国科技期刊数据库★中国光学期刊网数据库主要栏目:微纳光学、信息光学、集成光电子、光谱学和光谱仪器、激光技术与应用、光学功能材料、光学设计与工艺、大气与空间光学、光学仪器与测试、综述、前沿动态、产业资讯、科普教学、实验室介绍、自然科学基金项目进展、前沿热点访谈、热点论文等。发稿类型:学术价值显著、实验数据完整的原创性论文;研究前景广阔,具有实用、推广价值的技术报告;有创新意识,能够反映当前先进水平的阶段性研究简报;对当前学科领域的研究热点和前沿问题的专题报告;以及综合评述国内外光学技术研究现状、发展动态和未来发展趋势的综述性论文。     

Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能

采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显著调控GaN纳米线的形貌,当反应温度为950℃时,生长出的GaN微米片为六边形;当反应温度为1000℃时,生长出了长度为10-20μm的超长GaN纳米线.随着反应时间增加, GaN纳米线的长度增加. GaN纳米线内部存在着压应力,应力大小为0.84 GPa.同时,也进一步讨论了GaN纳米线无催化剂生长机制. GaN纳米线光致发光结果显示, GaN纳米线缺陷较少,结晶质量良好,在360 nm处有一个较为尖锐的本征发光峰,可应用于紫外激光器等光电子器件.本研究结果将为新型光电器件低成本绿色制备提供一个可行的技术方案.     

配位化学课程中研究型教学模式探讨

In this paper, the implementation of research-oriented teaching mode in coordination chemistry was introduced, including the strategies, main contents and evaluation.     

离子束辅助沉积二氧化铪薄膜紫外光学特性研究

利用离子束辅助沉积方法制备单层二氧化铪薄膜,对薄膜样品的折射率、吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺参数有着密切的关系,沉积速率、烘烤温度、离子束流、氧气流量均对单层二氧化铪薄膜紫外光学特性有着不同程度的影响。实验分析了不同工艺因素对单层二氧化铪薄膜的影响,并且找到了在一定范围内的最佳工艺参数。针对可能对紫外波段造成较大散射吸收损耗的微观表面形貌,利用SEM分析了典型工艺因素对表面形貌的影响。     

有机反应机理研究综述发表

<正>有机反应机理研究,尤其是催化反应的机理研究已经成为计算有机化学最重要和活跃的领域之一。北京大学深圳研究生院化学生物学与生物技术学院吴云东课题组利用理论和实验结合的优势,在有机反应机理研究以及预测领域取得了一系列的前沿研究成果。他们对organcatalyst,hydrofunctionalization     

非化学专业无机及分析化学“讲练考”教学模式改革

This article discussed "teaching-practice-test" teaching mode with teaching practical experience and content matching.Results showed that this mode highlighted the proportion of practice and problem-solving in the process of learning; improved students' ability to solve problems using professional and disciplinary knowledge; changed learning styles from cramming way to autonomous learning step by step and trained students' creativity.     

上海材料研究所期刊展览事业部在线投审稿系统新旧更替通知

<正>由上海材料研究所主办的《理化检验-化学分册》、《理化检验-物理分册》、《无损检测》、《机械工程材料》、《腐蚀与防护》等期刊目前使用的投稿系统因系统本身技术落后,数据库已无法满足大负荷稿件的有效运行和作者对于投稿系统的人性化、多元化需求,且因设备陈旧,故障风险出现的几率也在不断变大。鉴于此,为了给全国广大科研人员及行业的工作者提供更加人性化、更优质的服务,提高编辑部     

中学化学必修教材中“离子知识”的编排研究

电解质、电离、离子反应等一系列"离子知识"有其自身的发展逻辑,学生学习离子知识的进程并不同于科学发展的进程。人教版、苏教版《化学1》教材对于离子知识的编排都较好地符合知识的逻辑顺序、学生的认知顺序和学生的心理发展顺序相结合的要求。     

钴掺杂MoSe2共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究

采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、MoO3、Se粉末为前驱物,710℃下在SiO2衬底上生长掺钴MoSe2纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属化合物以及横向生长中需要的CoMoSe化合物分子的生成;AFM(Atomic Force Microscope)结果表明氢气有利于生长单层二维超薄掺钴MoSe2.随着Co3O4前驱物用量的增加,样品的拉曼和PL(Photoluminescence)谱图分别表现出红移和蓝移现象,带隙实现从1.52—1.57 eV的调制.XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)结果分析得到Co的元素组分比为4.4%.通过SQUID-VSM(Superconducting QUantum Interference Device)和器件电学测试分析了样品的磁电特性,结果表明Co掺入后MoSe2由抗磁性变为软磁性;背栅FETs器件的阈值电压比纯MoSe2向正向偏移5 V且关态电流更低;为超薄二维材料磁电特性研究及应用拓展提供了基础探索.