Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能

采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显著调控GaN纳米线的形貌,当反应温度为950℃时,生长出的GaN微米片为六边形;当反应温度为1000℃时,生长出了长度为10-20μm的超长GaN纳米线.随着反应时间增加, GaN纳米线的长度增加. GaN纳米线内部存在着压应力,应力大小为0.84 GPa.同时,也进一步讨论了GaN纳米线无催化剂生长机制. GaN纳米线光致发光结果显示, GaN纳米线缺陷较少,结晶质量良好,在360 nm处有一个较为尖锐的本征发光峰,可应用于紫外激光器等光电子器件.本研究结果将为新型光电器件低成本绿色制备提供一个可行的技术方案.     

光电校靶中捷联惯导轴线的表征校准方法

光电校靶采用捷联惯导系统,需将惯导轴线用光电自准直系统表征捷联,用于对设备轴线的测量。光电自准直系统所表征的轴线与惯导轴线的一致性是影响校靶精度的重要因素,为提高光电校靶系统测量精度和效率,提出了一种惯导轴线的光电表征和校准方法。该方法是在分析测量结果偏差与一致性关系的基础上,采用实验数据拟合的方式得到自准直系统光轴与惯导轴之间的角度偏差值,用于系统修正,从而实现高精度校准。通过试验,将传统光机校正法和光电校准法结合使用,可大幅度提高系统校正效率,同时得到惯导与光轴一致性精度在15″以内。试验结果表明,与传统光学平晶引出的光机校正法相比,该方法的表征准确度和校准精度更高,适用于高精度惯性测量系统。     

MoO3的水热法制备、表征及储锂性能

以钼酸钠和水杨酸钠为原料,通过水热法合成了MoO3.借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等对材料的结构和形貌进行表征,采用电化学工作站和充放电仪对电池的电化学性能进行测试.研究结果表明:在180 ℃下水热反应12 h制备得到六方相MoO3(h-MoO3)纳米块相较于在180 ℃下水热反应24 h制备得到正交相MoO3(α-MoO3)纳米片的电化学性能更佳.当h-MoO3 作为锂离子电池负极电极材料时,其首次放电比容量为2068.1 mAh/g.在电流密度为50 mA/g下循环50次后,其放电比容量仍然高达946.4 mAh/g,这归因于h-MoO3较小的电化学转移阻抗.     

一维变换与二维变换的等价问题

一、引言定义1 设X是NM维向量(或长为NM的序列),当且仅当N×M维矩阵(X)的元素有 (1) 时,称[X]为X的矩阵表示,反之称X是(X)的向量表示。定义2 设矩阵(X)是X的矩阵表示,矩阵[R]、[P]、[Q]分别是NM×NM,N×N、M×M阶,作变换 (2)     

A simple method to synthesize worm-like AlN nanowires and its field emission studies

The worm-like AlN nanowires are fabricated by the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on Si substrates through using Al powder and N₂ as precursors, CaF₂ as fluxing medium, Au as catalyst, respectively. The as-grown worm-like AlN nanowires each have a polycrystalline and hexagonal wurtzite structure. Their diameters are about 300 nm, and the lengths are over 10 μm. The growth mechanism of worm-like AlN nanowires is discussed. Hydrogen plasma plays a very important role in forming the polycrystalline structure and rough surfaces of worm-like AlN nanowires. The worm-like AlN nanowires exhibit an excellent field-emission (FE) property with a low turn-on field of 4.5 V/μm at a current density of 0.01 mA/cm² and low threshold field of 9.9 V/μm at 1 mA/cm². The emission current densities of worm-like AlN nanowires each have a good stability. The enhanced FE properties of worm-like AlN nanowires may be due to their polycrystalline and rough structure with nanosize and high aspect ratio. The excellent FE properties of worm-like AlN nanowires can be explained by a grain boundary conduction mechanism. The results demonstrate that the worm-like AlN nanowires prepared by the proposed simple and the PECVD method possesses the potential applications in photoelectric and field-emission devices.     

Influence of inherent error of fiber-optic image inverter on application北大核心CSCD

The low-level-light image intensifier is an important photoelectric detection and imaging device in the field of night vision, and it is widely used in head-mounted display, hand-held observation and night aiming. The super-second-generation inverted image low-level-light image intensifier with fiber-optic image inverter is widely used in the night aiming system. According to the requirement of practical application, the influence of turning angle error and snake-shaped distortion in the inherent error of inverted image low-level-light image intensifier on the measurement error of aiming and stroke difference in application was analyzed. The analyses show that when the image turning angle error is less than 30' and the snake distortion is less than 30 μm, it can meet the requirements of close-range aiming and measurement of stroke difference. A detection device was developed to control the error, which solved the problem and put forward the relevant quality control points for the production and manufacture of image intensifiers for this kind of application. © 2022 Editorial office of Journal of Applied Optics. All rights reserved.     

电子背散衍射花样的数学特征

电子背散衍射(EBSD)花样揭示了材料的物相成分、晶体结构、晶粒取向、晶粒大小和晶界的信息。EBSD花样非常复杂,通常需要借助专门的计算软件才能解析。本文系统地研究了EBSD花样的数学特征,建立了任意晶体取向与EBSD花样之间的数理关系,推导了面心立方、体心立方和六方晶体的基本晶带轴的理论EBSD花样的数学特征,以及面心立方晶体的(001)<110>取向和(001)<100>取向的理论菊池(Kikuchi)花样特征。在实测EBSD花样的分析中与各晶系各点阵的基本晶带轴的理论EBSD花样特征比较,即通过图像特征对比,就可以直接确定实测EBSD花样所属的晶系、点阵和Kikuchi线交点对应的晶带轴[uvw],再由基本晶带轴的坐标计算出晶体取向,还能提供基本晶面信息,如原子密排晶面在样品中的空间分布,这有利于晶体的变形或生长机理研究。EBSD为单晶芯片质量检验提供了新方法。     

纳米尖晶石型Co2MnO4的形成过程及其F-T反应性能

用溶胶凝胶法制备了尖晶石型Ｃｏ２ＭｎＯ４超细粒子，用ＤＴＡＴＧ，ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＦＴＩＲ等手段研究了Ｃｏ２ＭｎＯ４超细粒子的形成过程，进而用反应评价结合ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＢＥＴ比表面积测试研究了Ｃｏ２ＭｎＯ４催化剂的比表面积和表面结构与其ＦＴ反应性能间的关系．结果表明，Ｃｏ２ＭｎＯ４超细粒子可以在较低温度（２５０～３５０℃）下形成，并具有粒度小，分布均匀等特点．用该法制备的超细粒子Ｃｏ２ＭｎＯ４，其催化活性明显优于相同组成的大颗粒催化剂．     

PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能

采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量和弄清GaN薄膜光响应机制,研究了GaN缓冲层制备温度对GaN薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究表明,随着GaN缓冲层制备温度的增加,GaN薄膜的结晶质量先提高后降低,在缓冲层温度为875℃时,结晶质量最高,此时计算得出的总位错密度为9.74×10~9 cm^-2,载流子迁移率为0.713 cm~2/(V·s).经过退火后,GaN薄膜的总位错密度降低到7.38×10~9 cm^-2,载流子迁移率增大到43.5 cm~2(V·s),此时GaN薄膜光响应度为0.20 A/W,光响应时间为15.4 s,恢复时间为24 s,可应用于紫外光探测器.通过Hall测试和X射线光电子能谱仪分析得出,GaN薄膜内部存在着N空位、Ga空位或O掺杂,它们作为深阱能级束缚和复合光生电子和空穴,使得光响应度与偏压呈抛物线关系;另外,空位和O掺杂形成的深阱能级也是导致GaN薄膜的光电流响应和恢复缓慢的根本原因.     

超微载体

从组成、结构、性能、制备方法及其应用等方面介绍了5种超微载体,其中包括微乳液、微胶囊、球形液晶、脂质体和纳能托.