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通常,对称模糊优化模型的求解是一个迭代过程,要多次求解规划问题。本文根据对称模糊最优判决准则,给出一种直接求解法,只需求解一次规划问题,即可求出问题的最优解。 相似文献
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设计合成了新的饱和烷基类线型硝酮捕捉剂N-(亚乙基)-t-丁胺-N-氧化物(EBN)和N-(亚乙基)-1-二乙氧基磷酰基-1-甲基乙基胺N-氧化物(EPN),并运用ESR、MS、IR、UV等一系列手段对其结构进行了表征,同时对Fenton体系中产生的羟基及不同类型的氧中心、碳中心和硫中心自由基的捕获能力进行了系统的研究. 结果表明,这两种捕捉剂合成方法比较简单,产率较高,对羟基等自由基有比较强的捕捉能力. 期望本文的工作能为自由基捕捉剂的研究提供一个新的思路. 相似文献
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自从1945年前苏联科学家Zavoisky在固体中观察到电子顺磁共振(EPR)这一奇妙的物理现象以来,电子顺磁共振波谱学已经经历了60多年漫长的发展历程. 在世界上,20世纪50、60年代是EPR的基本理论、实验技术和实验方法迅速发展的时期,同时对我国产生了很大的影响. 从60年代开始至今,EPR波谱学在我国已有50多年的发展,其间大约可以分为3个阶段: (一) 20世纪60~80年代初是EPR波谱设备研制和技术发展的初始阶段;(二) 20世纪80年代到21世纪初主要是EPR实验技术进一步发展和实验方法及其在化学、物理学、生物学、医学等学科中的应用研究阶段;(三) 21世纪以来,开始了新的实验技术和开展更加广泛深入的应用研究,特别是开始脉冲EPR波谱学的应用和相关设备的研制. 相似文献
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基于纳米复合树脂的吸附分离技术是实现含氟废水提标减排的有效手段,而树脂含氟脱附液的分离回用将大幅度降低其运行费用。本文利用扩散渗析技术开展树脂含氟脱附液的资源化分离和回用研究,考察了膜种类、温度、渗析时间、搅拌速度及脱附液浓度等因素对树脂脱附液分离回用性能的影响。扩散渗析的结果表明,LF膜的分离回收性能最优,最佳温度为25℃、最佳渗析时间为2h、最佳搅拌速度为300r/min,脱附液中NaOH最佳浓度为5wt%~6wt%。板式扩散渗析膜组件实验表明,渗析液流速为0.6L/h、流量比为1时,碱回收率可达45%。树脂吸附除氟-脱附液分离回用联合实验表明,扩散渗析分离回用后碱液的树脂脱附性能没有显著降低。 相似文献
36.
本文研究了圆周上带希尔伯特核的柯西奇异积分的复合梯型公式.利用连续的分片线性函数逼近被积函数,得到积分公式的误差估计;然后用积分公式构造求解对应奇异积分方程的两种格式;最后给出数值实验验证理论分析结果. 相似文献
37.
Evaluation of a gate-first process for AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with low ohmic annealing temperature 下载免费PDF全文
In this paper, TiN/AlO_x gated Al Ga N/Ga N metal–oxide–semiconductor heterostructure field-effect transistors(MOSHFETs) were fabricated for gate-first process evaluation. By employing a low temperature ohmic process, ohmic contact can be obtained by annealing at 600℃ with the contact resistance approximately 1.6 ?·mm. The ohmic annealing process also acts as a post-deposition annealing on the oxide film, resulting in good device performance. Those results demonstrated that the TiN/AlO_x gated MOS-HFETs with low temperature ohmic process can be applied for self-aligned gate Al Ga N/Ga N MOS-HFETs. 相似文献
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Yue-Bo Liu 《中国物理 B》2021,30(12):128102-128102
The uniform distribution model of the surface donor states in AlGaN/GaN heterostructures has been widely used in the theoretical calculation. A common and a triple-channel AlGaN/GaN heterostructure Schottky barrier diodes have been fabricated to verify the models, but the calculation results show the uniform distribution model can not provide enough electrons to form three separate 2DEGs in the triple-channel AlGaN/GaN heterostructure. Our experiments indicate the uniform distribution model is not quite right, especially for the multiple-channel AlGaN/GaN heterostructures. Besides, it is found the exponential distribution model possibly matches the actual distribution of the surface donor states better, which allows the 2DEG to form in each channel structure during the calculation. The exponential distribution model would be helpful in the research field. 相似文献