β—SiC外延层中晶体缺陷的观察

用腐蚀法研究了β-SiC外延层中的晶体缺陷。腐蚀剂为熔融氢氧化钾。三角形尖底蚀坑对应于位错。在β-SiC中的全位错为立方晶系的73°位错和60°位错。不同堆垛方式的β-siC生长层相遇时将形成{111}交界层错,其腐蚀图象为平行于<110>方向的直线。60°位错可分解为两个1/6<112>SchockLey不全位错,并夹着一片{111}层错构成扩展位错。三个1/6<110>压杆位错与三片{111}层错可构成层错锥体。正、反堆垛的β-SiC可形成尖晶石律双晶,双晶面为(111)。腐蚀法和X射线劳厄法证实了这种双晶的存在。 关键词：     

两种新的SiC高层多型体——417R和453R

本文根据倒易点阵原理,详细分析了碳化硅劳埃照相中各种SiC三方多型体斑点和SiC基本类型6H斑点间的相互配置关系。这种关系共总结出不外乎十二种,本文提出利用这种关系,以及两6H类型斑点(hOl)间未知三方多型体的斑点数目,来计算未知多型体类型层数的方法。利用这一方法,对在实验室条件下以升华法制备的若干碳化硅单晶体进行了分析,发现了两种同时与6H类型连生的新的碳化硅高层多型体417R和453R,其空间群为R3m(C_3v⁵),点阵参数以六方晶胞表示时为 417R:α_H=3.0806?,c=1050.7?,z=417; 453R:α_H=3.0806?,c=1141.4?,z=453。以三方晶胞描述时则为 417R:α_R=350.4?,α=30.4′,z=139; 453R:α_R=380.6?,α=27.8′,z=151。     

衍射分析用的X射线管谱线纯度的定量测定

本文提出了衍射分析用的X射线管谱线纯度的定量测定方法。在国产衍射仪上用石英单晶作分光晶体进行展谱测定。实验测得的各种波长X射线的强度应还原为X射线管窗口处的出射强度。对影响强度的各种因素作了详细的理论分析,给出了对应于不同靶、不同杂质元素的强度还原换算因子表。X射线管阳极靶元素主特征谱线强度用铜或铝吸收箔进行衰减,以避免计数损失造成的误差。用这一方法,对许多X射线管进行了测定。 关键词：     

用X射线形貌术测定晶片的曲率

人区培育的晶体或天然的晶体一般都带有一定程度的应变.用单晶体制作器件时,往往又需加工成较薄的晶片.通过各种工序,晶片受到机械、高温等的作用,将进一步产生范性或弹性形变.过大的形变会影响器件的性能,甚至不能使用.因此,对不同工艺过程中的晶片或经过使用的成品晶片,进行弯曲形变程度的非破坏性定量测定是十分必要的. Juleff[1]曾对硅单晶器件晶片的单轴均匀弯曲用X射线形貌照相法作过测量.Cohen[2]曾用双晶衍射仪测定晶片弯曲.这些方法分析了单轴均匀弯曲且弯曲轴垂直于仪器水平面的情形.本文对适用性强而又简匣的透射形貌术用于星…     

求解低对称晶系晶胞参数的联立方程组法

本文提出了利用所有可能利用的衍射数据求解低对称晶系(三斜、单斜、正交)晶胞参数的联立方程组法。测量误差会引起约10％数据偏离较大,但大量数据仍统计平均分布于真值附近。故采用一定程序的抛弃法可以得到较好的晶胞参数平均值结果。 关键词：     

多晶X射线衍射图指标化的叠代修正法

本文提出了一种在粗略晶胞参数已知的情形下对化合物多晶衍射图进行指标化的叠代逼近法。当原始粗略晶胞参数误差不太大(关键词：     

K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3—Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系统铁电陶瓷相界的X射线研究

用X射线衍射方法测定了K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-Na(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系统不同组分试样的点阵常数和相变温度,确定了四方-三方相界组成。给出了K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3和Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3的多晶X射线衍射数据。     

研究固体微结构的X射线粉末衍射全谱图拟合方法

Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法是一种有效的晶体结构和微结构的分析方法。本文介绍了Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法的基本原理,综述了该方法中的线形分析、校正及其在晶体结构分析、微结构分析、相定量分析和衍射图谱指标化等方面应用的最新进展。文章最后介绍了在实验方案选取方面的新概念     

原子吸收限附近完整晶体内的能流方向

研究了原子吸收限附近对称劳厄和布拉格情况下完整晶体内的能流方向．发现在对称劳厄情况下，只有当原子散射因子的虚部对衍射的贡献可以与实部的贡献相比较时，晶体内与色散面上某一结点相对应的能流会偏离色散面的实部的法向；而在对称布拉格情况下，即使在原子散射因子的虚部对衍射的贡献可以忽略时，在所谓的“全反射”区内也会偏离．当衍射仅由原子的虚部引起时，这种偏离在对称劳厄情况下最大，而在对称布拉格情况下最小． 关键词：     

吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

利用同步辐射光源，在Ga和As的K吸收限之间调节入射X射线的能量时，在对称劳厄情况下，GaAs的(200)衍射峰附近可观测到从GaAs的入射面出射的Ga的K系荧光X射线.当入射X射线的能量改变时，荧光曲线的非对称性会发生变化，变化趋势与相应的对称布喇格情况相类似.但是，劳厄情况下的变化不能解释为晶体内部X射线驻波的波节面相对于GaAs(200)格子面的移动.在劳厄情况下，X射线驻波的振幅随入射角的变化与结构因子的相位密切相关，因此结构因子的相位变化也会导致荧光曲线的非对称性变化.在假设原子的荧光溢出与该原 关键词：