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利用同步辐射光源,在Ga和As的K吸收限之间调节入射X射线的能量时,在对称劳厄情况下,GaAs的(200)衍射峰附近可观测到从GaAs的入射面出射的Ga的K系荧光X射线.当入射X射线的能量改变时,荧光曲线的非对称性会发生变化,变化趋势与相应的对称布喇格情况相类似.但是,劳厄情况下的变化不能解释为晶体内部X射线驻波的波节面相对于GaAs(200)格子面的移动.在劳厄情况下,X射线驻波的振幅随入射角的变化与结构因子的相位密切相关,因此结构因子的相位变化也会导致荧光曲线的非对称性变化.在假设原子的荧光溢出与该原
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