α—SiC晶体中的位错

用腐蚀法和X射线形貌术研究了α-SiC晶体中的位错。所用的腐蚀剂为熔融氢氧化钾。证实了尖底蚀坑与位错的一一对应关系。由于[0001]方向的螺型位错的Burgers矢量比刃型位错的Burgers矢量大得多,故可从蚀坑的深浅来判别螺型位错和刃型位错。给出了蚀坑形状和多型体晶体结构的对应关系。研究了表面生长蜷线的形态与SiC晶体中的位错及位错运动的关系。X射线形貌图显示了α-SiC晶体中相当数量的位错处于基面C面上。生长位错从晶体“根部”成核并随着晶体生长前沿的向前推进而延伸,因而位错线的方向常常沿[101O]和[1120]方向。将腐蚀法和X射线形貌术结合起来才能全面显示α-SiC晶体中的位错。 关键词：     

评《科学家谈物理》丛书的两本新著:《晶态面面观》和《放眼晶态之外》

十分欣喜地读到了湖南教育出版社出版的冯端院土和冯步云的两本涉及凝聚态物理的高级科普新著──《晶态面面观》和《放眼晶态之外》．绝大多数固体是晶态物质，晶体学自然地成为凝聚态物理学的基础．由于天然矿物晶体的规则几何外形，很早以来就吸引了人们开始对晶体的科学研究．继而发现了晶体与其化学成分和分子结构有着密切的关系，于是引起人们研究晶体内部构造的兴趣．只有到了本世纪初，Ｘ射线衍射方法揭示了晶体内部的周期性以后，才将晶体学的研究深入到微观世界的层次，并将物理学推向晶体研究的前沿．《晶态面面观》（以下简称《…     

通用无标样X射线衍射定量相分析的新方法

本文提出了通用的无标样X射线衍射定量相分析的新方法。它克服了Zevin无标样定量分析方法要求参考试样与待测试样相组成完全相同的限制条件的缺点。参考试样相对于待测试样相组成而言,可以缺相,也可以多相(不纯)。因而本文的方法具有普遍性和适用性。对物相质量吸收系数已知和未知两种情况分别作了讨论。实例定量分析表明,无标样定量新方法简便实用,通用性强,并可得到精确满意的定量结果。 关键词：     

侵蚀法测定碳化硅结构极性的研究

碳化硅作为一种高温半导体材料和受激光发射材料,其表面的性质是很重要的。由于SiC的极性,它的两个(0001)面,即两个c面(硅面和碳面)无论在物理性质或是在晶体生长的某些习性上都会有显著的区别。不少人曾试图用各种方法判别SiC的两种c面,但至今尚未见有一种是方便而可靠的。一般用于判别极性晶面的方法有X射线反常吸收法、侵蚀法和生长外形分析法。X射线反常吸收法已成功地用于一些Ⅲ-Ⅴ族的半导体,如InSb,GaAs中,但因碳和硅原子序数低,吸收限波长大,而难于应用。     

属特殊结构系列的若干碳化硅多型体的晶体结构

碳化硅(SiC)是典型的层状结构化合物。到目前为止,已发现了150种以上的多型体。作者曾发展了一种特殊的劳厄法可有效地鉴定碳化硅多型体。这种方法,我们发现了85种碳化硅新多型体。为了测定其中一些多型体的结构,拍摄了回摆和魏森堡照相作结构分析,但没有成功。因为这些照相中只有一些基本类型6H,15R和8H的衍射斑点而没有高层多型体的斑点,这是由于新多型体在晶体中含量很少且这些薄晶体多型体处于基本类型6H,8H,15R中间的缘故。本文提出了一种测定碳化硅多型体晶体结构的劳厄法。提出了计算劳厄斑点衍射强度的方法。对结构系列[(33)_m32]₃,[(33)_m34]₃,[(22)_m23]₃和[(44)_m43]₃多型体的结构因子F_hkl的计算方法作了简化。利用这种方法对9种碳化硅新多型体的晶体结构作了测定,其结构用z字形堆垛(Жданов符号)表示时为231R:[(33)₁₂32]₃,249R:[(33)₁₃32]₃,321R:[(33)₁₇32]₃, 339R:[(33)₁₈32]₃,237R:[(33)₁₂34]₃,417R:[(33)₂₂34]₃, 453R:[(33)₂₄34]₃,93R:[(44)₃43]₃,261R:[(44)₁₀43]₃。 关键词：     

X射线光谱与神经网络中单组分型神经群结构研究

研究、比较了神经群结构与常规神经网络算法的预测性能,考察了过拟合与最佳拟合态等的关系。结果表明,在多元体系中,将神经网络单组分预测模型应用于Ｘ射线荧光光谱分析时,在预测准确度、模型稳定性和外推预测能力方面,神经群结构优于常规神经网络模型。