氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0, 0.51, 0.85)的生长溶液中生长氘化KH₂PO₄(KDP) 晶体, 利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD) 结构分析, 对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究, 讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化; 正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加, 引起晶体晶格畸变; 氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷, 缺陷浓度不断减少; 团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应, 缺陷浓度表现为不断减少. 多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升, 晶体内部各类缺陷表现为同步变化. 实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱, 而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.     

基于模量重构的张量互补问题的光滑牛顿算法（英文）

近年来,张量作为矩阵的推广,得到了广泛的研究.在众多张量相关的问题中,张量互补问题(TCP)是许多学者研究的一个重要领域,人们提出了许多解决TCP的方法.本文在强P-张量张量和光滑逼近函数的基础上,提出一种基于基于模的重构的TCP光滑牛顿算法,证明光滑牛顿方法是全局收敛的.数值算例验证了光滑牛顿算法的有效性.     

优化两色组合场参数获得单个阿秒脉冲

基于经典方法优化了组合场中基频场和低频场的强度比,利用优化后的组合场驱动一维氦原子,通过求解含时薛定谔方程研究了氦原子产生的高次谐波,其截止位置得到扩展,再考虑基频场初相位对产生高次谐波的影响,能够得到脉宽为37as的单个阿秒脉冲.     

金属铁磁性理论—其发展和现状

在对金属磁性理论的历史背景作了简短的回顾以后,本文概要地综述了在此领域中基于非常普遍的自旋涨落概念的磁性统一图象的新近进展。人们熟知的局域矩图象是普遍自旋涨落理论的一个极限形式,而其相反的极限则为弱铁磁金属。这里,主导的是自旋涨落的长波模式。后者的理论是在最近廿年内建立的。许多铁磁金属,包括铁和镍,被认为是处于这两个极限的中间情况。最近的研究集中在发展一个内插于这两个相互对立的极限中间的统一理论。对现状及今后的问题进行了讨论。     

对硝基偶氮氯膦光度法测定微量钙

不对称变色酸双偶氮类衍生物是测定钍和稀土的新显色剂。本文研究了对硝基偶氮氯膦(简称CPA-PN)对钙形成络合物的最佳条件。实验表明,在PH为6.6时,ε=2.6×10~4,氧化钙在0—30μg/25ml范围内符合比尔定律。本法灵敏度和选择性较好,能够在大量镁离子存在下测定微量钙。实验部分 (一)主要试剂和仪器 CPA-PN溶液:配成2×10_(-4)M水溶液。钙标准溶液;准确称取经105℃烘干的基准碳酸钙,用盐酸溶解后配成lmg CaO/ml,再稀释成10μgCaO/ml。     

变应力寿命试验的统计分析

本文利用 S-N-P 曲线和累积损伤原理,给出了变应力下产品的寿命分布,此分布不仅与应力水平有关,而且与各应力水平的次序有直接关系.在此分布的基础上,给出了变应力寿命试验的统计分析方法.这种方法不仅适用于疲劳试验,而且还可用于单项可变动应力寿命试验和加速寿命试验,以及各种应力组合的可变应力的寿命试验和加速寿命试验.为利用可变动组合应力的加速寿命试验,估计正常可变应力下的寿命特征提供了一种解决的方法.     

陶瓷的摩擦学

本文讨论了影响陶瓷摩擦学特性的主要因素。一般而论,环境对陶瓷摩擦和磨损性能的影响大于对金属材料的。靠近陶瓷表面的外层通常受表面吸附层的物理影响,而有时也化学地形成反应产物层。无论是物理性质的还是化学性质的表面层,均以具有高屈服压力,并起到诸如固体润滑层作用的陶瓷固体结构为支撑。     

多脉冲加载下材料的绝缘特性

利用多脉冲实验平台分别对尼龙与交联聚苯乙烯两种绝缘材料在单脉冲与三脉冲两种不同加载条件下的绝缘特性差异进行初步研究,得到了两种绝缘材料在不同加载条件下沿面闪络场强的统计平均值,结合实验现象对所得实验结果做出了初步分析。通过进行单脉冲与三脉冲加载条件下材料沿面闪络场强的对比实验,为新型绝缘器件设计中相关参数的确定提供了实验依据。     

聚变反应时间历程的双峰结构测量

利用新研制的聚变反应速率测量系统,在神光Ⅲ原型装置上测量了间接驱动时充DT气体的玻璃球壳内爆靶丸的聚变反应速率的时间历程,获得了DT中子产额约为1010时的聚变反应速率随时间的变化过程,发现了聚变中子发射在时间上的双峰结构。利用辐射流体程序对聚变中子在时间上的双峰结构进行了数值模拟,发现双峰结构分别由冲击压缩过程和惯性压缩过程产生,靶丸壳层厚度不同时产生的聚变中子发射双峰强度比变化可能是由靶丸的初始表面调制度不同所致。通过理论模拟与实验结果的对比,验证了中子聚变反应历程的双峰结构。     

GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究

利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性. 并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取. 通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ω_TO向高频方向移动,γ,ε_∞和ε_s均增加,而ω_LO基本保持不变. 文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及 关键词： 稀磁半导体GaMnN材料 遗传算法 洛伦兹振子模型 参数提取