形变超晶格Si/Ge的能带结构

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)₆/(Ge)₄和(Si)₈/(Ge)₂超晶格在Si_1-xG 关键词：     

可溶性聚酰亚胺的电化学行为

聚酚亚胺（PI）以其优良的热稳定性、化学稳定性和作为优良的绝缘材料而被广泛应用于电子工业'．Haushalt。了和Kra。l。e等Li发现I'I膜在一定条件下可进行电化学反应．PI由于在电沉积等方面有潜在的应用价值,现已有一些这方面的研究工作卜一'．但所用的材料都是不溶性的PI,且用不同的方法制备PI薄膜修饰电极,因此所报道的PI在水或非水溶液中的电化学行为各不相同［'－'j．另外,以往的研究大都用一种商品化的l'I,而没有系统地研究PI结构对电化学行为的影响．本文报道了由相同的二胺和不同的二欧经化学环化制备的5种可溶性PI…     

广州市3～6岁幼儿膳食硒营养状况探讨

通过对广州市幼儿园3～6岁生长发育不正常及正常儿童的配对膳食结构进行了调查，以及对进食的普通釉米与营养豆米中硒进行了比较，并通过大白鼠的喂养试验对营养米中硒的吸收利用效果进行了初步观察，从而对改进膳食中硒的营养水平进行初步的探讨．     

横观各向同性压电材料的基本解

推导得到一组在体积力作用下压电材料平衡方程的一般解,对横观各向同性压电材料,利用一般解结合体积势理论及构造一类调和函数的方法,得到了无限体在集中力和点电荷作用下的位移和电势的有限形式的表达式,从而给出了边界元法中可用的基本解.     

(Si)n/(Ge)n超晶格几何结构

本文用Keating模型计算了Si_1-xGe_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_1-xGe_x作衬底有利于超晶格的生长。 关键词：     

新会柑皮中抗白血病主要成分的鉴定

本实验采用ＧＣ／ＭＳ分离、鉴定新会柑皮抗小鼠髓性单核细胞性白血病提取物中的５种成分，即化合物Ⅰ为４’，５，６，７，８－五甲氧基黄酮，化合物Ⅱ为４’，５，７，８－四甲氧基黄酮，化合物Ⅲ为５－羟基，３’，４’，６，７，８－五甲摒在黄酮，化合物Ⅳ为３’，４’，５，６，７，８－     

旋转状态下篦齿-蜂窝结构封严特性研究

本文对篦齿-蜂窝封严结构的封严特性进行了三维数值仿真,研究了不同结构参数、旋转速度及气动参数对其封严特性的影响,并与篦齿-涂层封严结构进行了对比.结果表明:采用蜂窝结构能改变篦齿腔内气体的流动,有效降低泄漏;篦齿前后腔气动参数一定时,齿数增加、篦齿节流间隙宽度减小或转速增加,泄漏量和泄漏系数都会相应减少.     

关于Hardy-Hilbert不等式的一个改进

本文研究关于重级数型Hardy-Hilbert不等式改进的问题.引入可变单位向量的概念,利用Gram矩阵的正定性创建了一个新的不等式.借助于Euler-Maclaurin求和公式,得到了Hardy-Hilbert不等式的结果.当p=2时,给出了经典的Hilbert重级数定理的一个改进.     

LATTICE DYNAMICS OF WURTZITE SEMICONDUCTORS GaN AND AlN

The lattice dynamics of wurtzite GaN and AlN is studied within the framework of a rigid-ion model. Short-range interactions up to the third nearest neighbors are described by using a valence-force-field potential and the long-range Coulomb interactions between ions are calculated via an Ewald summation. Phonon dispersion curves, density of states and specific heats are presented.