脉冲慢正电子束流的直流化装置

在基于加速器的北京慢正电子强束流装置上, 用Penning-Trap技术实现了脉冲慢正电子束流的存储和直流化. 实验表明, 系统的真空度对正电子的存储效率有严重影响, 脉冲正电子的释放方式决定了直流化后束流的能量分散; 改变释放级信号波形以及释放方式可以得到能量分散小于1eV的准直流化慢正电子束流.     

Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金的磁致伸缩、自旋重取向和穆斯堡尔谱研究

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3,0.35)合金中金属Al替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、各向异性和自旋重取向的影响.结果发现,x<0.4时,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95完全保持MgCl2立方Laves相结构,晶格常量a随Al含量x的增加而增大.磁致伸缩测量发现,随着替代量x的增多磁致伸缩减小,x>0.15时超磁致伸缩效应消失 x<0.15时磁致伸缩在低场下(H≤4kAm)有小幅增加,高场下迅速减小,而且易趋于饱和,说明添加少量Al有助于减小磁晶各向异性.内禀磁致伸缩λ111随Al替代量x的增加大幅度降低.对于0≤x<0.15,穆斯堡尔效应表明,随Al含量的增加Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金中发生了自旋重取向,易磁化方向经历了[111]→[uv0]→[uvw]的转变.由相对磁化率随温度的变化关系可以看出,Al替代Fe使自旋重取向温度降低.当x=0.15时,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金中出现了少量非磁性相 x>0.15时,合金在室温下呈现顺磁性 关键词： 磁致伸缩 立方Laves相 自旋重取向 各向异性 穆斯堡尔谱     

磁性纳米线反磁化过程的截椭球链模型

依据实际的纳米线形貌，提出了描述磁性纳米线反磁化过程的截椭球链模型.基于此模型，推导了纳米线反磁化过程中不可逆磁化的临界场和矫顽力在一致转动和对称扇形模式下的表达式.同时，还研究了椭球间接触角、单轴磁晶各向异性、外场与链轴方向夹角、截椭球个数和椭球形状因子对临界场和矫顽力的影响.利用该模型解释了镍纳米线的反磁化过程可能是对称扇形的模式. 关键词： 截椭球链模型 反磁化 一致转动 对称扇形     

Anti-function solution of uniaxial anisotropic Stoner-Wohlfarth model

The anti-trigonometric function is used to strictly solve the uniaxial anisotropic Stoner-Wohlfarth (SW) model, which can obtain the relation of the angle α (θ) between the magnetization (the anisotropy field) and the applied magnetic field. Using this analytic solution, the hysteresis loops of uniaxial anisotropic SW particles magnetized in typical directions could be numerically calculated. Then, the hysteresis loops are obtained in randomly distributed SW particle ensembles while ignoring the dipole interaction among them with the analytic solution. Finally, the correctness of the analytic solution is verified by the exact solutions of remanence, switching field, and coercivity from the SW model. The analytic solution provides an important reference for understanding the magnetizing and magnetization reversal processes of magnetic materials.     

Stoner-Wohlfarth模型的磁滞回线特征量分析

针对磁化强度的一致转动:Stoner-Wohlfarth模型,在磁滞回线不能严格求解的现实情况下,我们获得了描述磁滞回线的特征量:剩磁、矫顽力、饱和场的严格解.依据磁化强度一致转动过程的分析,我们提出了剩磁、矫顽力、饱和场这3个特征量的确定条件,并得到以上磁性材料的技术磁化特征量与材料内禀参量饱和磁化强度和各向异性等效场的关系.同时,我们利用磁滞回线在3个特殊角度下的严格解和一般情况下的数值解验证了以上特征量关系的正确性.本研究结果对于判断磁性材料的磁化反磁化过程和深入理解一致转动过程具有重要参考意义.     

不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究

使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40 ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响. 关键词： 电子偶素 正电子湮没谱学方法 多孔硅     

Abnormal Photoluminescence Properties of Polycrystalline ZnO Nanowire Arrays Synthesized by Electrodeposition

Large-scale ZnO nanowire arrays are synthesized by electrodeposition with subsequent heat treatment in atmosphere ambient at 450-650℃. Photoluminescence （PL） is investigated at 295K. Abnormal PL properties of an unusual sharp emission at 485 nm and a broad ultraviolet emission which are different from the other works of ZnO PL before are observed. Field emission scanning electronic microscopy and transmission electron microscopy results show that the length of Zn 0 nanowires is nearly 5μm and their diameter is about 70 nm. X-ray diffraction and electron diffraction results reveal that the ZnO nanowires are a polycrystalline structure.     

段化(A/B)m复合纳米线阵列的矫顽力机理

基于球链模型的对称扇形转动机理，考虑了段间的界面交换耦合作用，对利用电化学沉积方法制备的段化复合磁性纳米线六角阵列的磁滞回线进行了系统的研究，提出了矫顽力随复合段数m的变化规律.指出在这种段化复合纳米线阵列中，段间的交换耦合作用对磁化反转起着重要的影响. 关键词： 球链模型 复合纳米线 矫顽力 交换耦合     

非平衡磁控溅射沉积MoS2-Ti复合薄膜结构与磨擦摩损性能研究

采用非平衡磁控溅射法制备出不同Ti含量的MoS2-Ti复合薄膜并对其结构进行表征,采用显微硬度仪测量MoS2-Ti复合薄膜的显微硬度,在球-盘摩擦磨损试验机上评价其在大气中的摩擦磨损性能.结果表明:不同Ti含量的MoS2-Ti复合薄膜呈岛状生长模式,断面呈致密细柱状,结晶状态均为无定形态;薄膜的显微硬度随Ti含量增加而升高;MoS2-Ti复合薄膜在大气中的摩擦磨损性能优于MoS2薄膜,掺杂适当Ti可以使MoS2-Ti复合薄膜的摩擦曲线波动减小,耐磨寿命提高,在本试验研究范围内,含30%Ti复合薄膜的耐磨寿命最长,当Ti掺杂量达到50%时MoS2-Ti复合薄膜失去润滑性能.     

单摆近似周期的新形式及构造分析

通过对比单摆严格周期的级数展开式,给出了一个新的单摆周期近似公式及其修正形式.在振幅小于114°(136°)的范围内,近似公式(修正形式)的计算结果相对于严格周期的数值计算结果相对误差小于1‰.同时,对单摆近似周期的构造进行了分析.