MoO3催化碳酸二甲酯与乙酸苯酯合成碳酸二苯酯

采用焙烧法制备了MoO3催化剂并将其用于碳酸二甲酯(DMC)与乙酸苯酯(PA)合成碳酸二苯酯(DPC)反应,考察了焙烧温度对催化荆性能的影响,并用X射线衍射(XRD)对催化剂结构进行了表征.结果发现,在400或500℃焙烧的催化剂具有良好的催化性能,DMC转化率为73.9%,DPC和甲基苯基碳酸酯的选择性分别为39.5%和56.5%.XRD结果表明,该催化剂物相组成为正交晶系MoO3,且(021)或/和(110)晶面有利于酯交换反应.催化剂使用5次后DMC转化率从73.9%降至10.2%,多次重复使用后的催化剂在窄气气氛中于400或500℃焙烧即可再生,再生后催化剂的性能几乎和新鲜催化剂相当.     

混合物理化学气相沉积法制备MgB$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;单晶纳米晶片的研究

利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的MgB₂单晶纳米晶片. 利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上, 以便对其精细结构等物性进行表征. 电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性: T_conset=38 K, T_c(0)=33 K. 扫描电子显微镜图像表明, 晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间, 宽度从几微米到上百微米; 高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹. 选区电子衍射数据与MgB₂已有的单晶衍射数据相符. 这些测量结果证实了其确为高质量单晶MgB₂超导纳米晶片. 本文不仅提出了一种全新的制备单晶MgB₂的方法, 也观察到了纳米尺度MgB₂单晶的零电阻现象, 为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材. 关键词： 2')" href="#">单晶MgB₂ 超导纳米晶片 零电阻 混合物理化学气相沉积法     

TBPe与MEH-PPV共掺杂的有机电致发光器件的优化研究

采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。     

The Existence of Periodic Orbits for Higher Dimensional Autonomous Systemswith Small Perturbations

ＴｈｅＥｘｉｓｔｅｎｃｅｏｆＰｅｒｉｏｄｉｃＯｒｂｉｔｓｆｏｒＨｉｇｈｅｒＤｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＡｕｔｏｎｏｍｏｕｓＳｙｓｔｅｍｓｗｉｔｈＳｍａｌｌＰｅｒｔｕｒｂａｔｉｏｎｓＪｉａｎｇＬｉｑｉｎｇ（蒋里强）；ＺｈｏｕＹｉ（周毅）；ＦａｎＹｅ（范晔）（...     

加权Banach空间中指数函数系完备的稳定性（英文）

本文研究了加权Banach空间中指数函数系完备的稳定性问题.利用解析函数扰动的方法,获得了加权Banach空间中指数函数系完备的稳定性若干结果,推广了现有有限区间Banach空间上的经典结果.     

全系数模糊的广义模糊变量线性规划

构建并讨论了一类约束条件与目标函数均含模糊系数的广义模糊变量线性规划问题.首先,简单介绍了模糊结构元理论并基于模糊结构元理论定义了表征模糊数面积信息的散度指标.其次,兼顾距离与面积信息,给出了三角模糊数与拟三角模糊数比较排序的新方法,将全系数模糊的广义模糊变量线性规划转化为普通的多目标线性规划.最后,借鉴分层规划的思想,结合模糊数本身性质,给出了此类问题的一种简化求解方法.     

最优化方法在拟合正交系晶体弹性及压电系数中的应用

由布里渊散射实验可以得到晶体弹性及压电系数。本文介绍了最优化方法在拟合正交晶体弹性及压电系数中的应用 ,并对几种主要的最优化算法的稳定性、初值选取、拟合数据结果的判断及评价等关键问题做了详细的讨论     

手性配合物[M(bipy)_3]~(2+)(M=Fe,Ru,Os)圆二色谱的理论解析

应用密度泛函理论,在DFT/B3LYP/LanL2DZ水平上优化了铁族配合物[M(bipy)3]2+(M=Fe,Ru,Os;bipy=2,2′-联吡啶)在溶液中的基态几何结构,并用TDDFT/B3LYP方法和相同的基组计算了该类配合物的激发能、旋转强度和振子强度,绘制了相应的圆二色谱.计算的谱带位置虽有一定的红移或蓝移,但各谱带的带形和符号均与实验谱吻合.对跃迁性质的分析表明,三个配合物在长波区,除[Fe(bipy)3]2+的第一个谱带是以d-d跃迁为主外,其他谱带均是荷移跃迁为主.短波区的两个强带则是以π-π*跃迁为主的激子耦合带:对于铁配合物,TDDFT可以正确预言其正负带的强度比,但对钌和锇配合物而言,由于对激子跃迁中荷移成份的贡献估计不足,计算的比值偏小.这一结论为进一步改进有关的计算模型指明了方向.     

A field-effect WSe2/Si heterojunction diode

It is significant to develop a heterogeneous integration technology to promote the application of two-dimensional (2D) materials in silicon roadmap. In this paper, we reported a field-effect WSe₂/Si heterojunction diode based on ambipolar 2D WSe₂ and silicon on insulator (SOI). Our results indicate that the device exhibits a p-n diode behavior with a rectifying ratio of ～ 300 and an ideality factor of 1.37. As a photodetector, it has optoelectronic properties with a response time of 0.13 ms, responsivity of 0.045 A/W, detectivity of 4.5×10¹⁰ Jones and external quantum efficiency (EQE) of 8.9 %. Due to the ambipolar behavior of the WSe₂, the rectifying and optoelectronic properties of the heterojunction diode can be modulated by the gate electrical field, enabling various potential applications such as logic optoelectronic devices and neuromorphic optoelectronic devices for in-sensor computing circuits. Thanks to the process based on the mature SOI technique, our field-effect heterojunction diode should have obvious advantages in device isolation and integration.