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71.
为实现频率选择表面(FSS)谐振频率的光电可调控特性,提出一种光电可调控频率选择表面.利用光电导薄膜光照导电特性控制金属FSS结构尺寸变化,实现FSS的主动可调.理论阐述了光电导及FSS选频特性原理,采用CST软件分别仿真了"Y"形带通型、"圆"形带通型和"Y"形带阻型三种FSS在光照时的频选特性.结果表明:随着结构尺寸变化,FSS的中心谐振频率分别从18 GHz、25 GHz、20.5GHz变为20.5GHz、29GHz、16.5GHz.采用镀膜、刻蚀及电子束蒸发等技术分别制作了单元结构尺寸变化前的金属FSS,以及变化后的金属与光电导薄膜结合的FSS,并对样件进行测试,结果表明:中心谐振频率分别从18GHz、24GHz、20GHz变为20GHz、28GHz、17GHz,与仿真变化趋势基本一致.采用该方法既可实现FSS中心谐振频率的可调控,也可从结构上实现FSS带通型和带阻型的转变. 相似文献
72.
以农业废弃物玉米苞衣为碳源,采用一步热解法制备荧光碳点(CDs),利用透射电子显微镜、红外光谱、 X射线光电子能谱、紫外-可见光谱和荧光光谱等对CDs的结构和光学性能进行了表征。结果表明,制备得到的CDs呈球形,粒径约为5.5 nm,其表面富含羟基和羧基。CDs在紫外光照射下可以发出明亮的蓝色荧光。Hg2+对CDs溶液的荧光具有显著的猝灭作用,据此建立了检测Hg2+的新体系。在0~4.0μmol/L范围内,CDs溶液的荧光猝灭程度与Hg2+浓度呈良好的线性关系,检出限为0.011μmol/L。本方法适用于自来水和湖水水样中Hg2+的测定。 相似文献
73.
74.
75.
茂钛类络合物催化碳酸二甲酯和苯酚酯交换反应合成碳酸二苯酯的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
首次将二氯二茂钛用于碳酸二甲酯和苯酚酯交换合成碳酸二苯酯的反应, 发现二氯二茂钛对该反应来讲是一种性能优良的催化剂; 和钛酸酯类催化剂相比, 茂钛类催化剂在空气中更稳定, 从而更适合于工业化应用. 同时探讨了不同种类茂钛类化合物的催化性能, 发现位阻效应、环戊二烯环的电子分散效应以及取代基的吸电子效应等, 都会影响中心钛原子的Lewis酸性以及相应的催化活性. 总体来讲, 位阻效应越小、环戊二烯环的电子分散效应越大、与中心钛原子连接的取代基的吸电子能力越强, 越有利于反应的进行. 相似文献
76.
本文利用坐标变换的方法,探讨了LiNbO3与LiTaO3晶体压电系数d33,d31和机电耦合系数k33,k31随空间方向变化的规律,分别得到这2种晶体的d33,d31,k33和k31的最大值及其方向.对于LiNbO3而言,maxd33=39.6pC/N,maxk33=0.60,在镜面yoz内分别右偏z轴61.0°和57.0°,数值分别是原来约6.4倍和3.7倍.对于LiTaO3而言,maxd33=14.6pC/N,maxk33=0.35,在镜面yoz内分别右偏z轴56.5°和54.0°,数值分别是原来的1.8倍和2.1倍. 相似文献
77.
研究了二丁基氧化锡催化碳酸二甲酯与苯酚酯交换合成碳酸二苯酯的反应机理, 发现原料苯酚和产物DPC都能与二丁基氧化锡生成同一种中间体, 并测定了其晶体结构. 该晶体属于单斜晶系, P21/n空间群; 晶胞参数: a=1.3336(2) nm, b=1.7208(2) nm, c=1.3759(3) nm, β=101.00(2)°; V=3.0993(9) nm3; Dc=1.432 g/cm3; Z=4; F(000)=1352; μ=1.635 mm-1. 分析结果显示该中间体是一种新型的二聚四烃基二锡氧烷化合物[Bu2Sn(OPh)OSnBu2O(Ph)]2 (I), 该化合物具有中心对称的层状结构. MS和XPS结果证实I在酯交换反应条件下能稳定存在. 基于实验结果, 本文提出了一个合理的酯交换反应机理. 相似文献
78.
针对一类基于夹片弹簧的压电振动能量收集器,利用材料力学莫尔积分理论建立了振荡俘能结构中夹片弹簧的等效刚度模型,通过万能拉伸试验机验证了模型精度。在此基础上,讨论了夹片弹簧刚度线性简化的两种途径:拉伸曲线线性拟合和固有频率修正。研究结果表明,从夹片弹簧拉伸曲线上看,将其等效成线性弹簧具有一定的合理性;而在实际振动能量收集器结构中,若振动加速度相对较小,通过固有频率修正法对夹片弹簧刚度进行线性简化,其幅频响应特性与非线性模型的特性相近。该研究成果为压电振动能量收集器的动力学和机电耦合模型简化提供了理论支撑。 相似文献
79.
用磁荷法计算磁铁产生磁场分布,进而计算圆柱形磁铁在金属管中的下落时间.实验测量圆柱形磁铁在金属管中的下落时间,得到与理论计算相符的结果. 相似文献
80.
通过混合物理化学气相沉积法 (hybrid physical-chemical vapor deposition, HPCVD), 在(000l) SiC 衬底上制得一系列从10 nm到8 μm的MgB2超导膜样品, 并对它们的形貌、超导转变温度Tc 和临界电流密度Jc与膜厚度的关系进行了研究. 观察到Tc随膜厚度增加上升到最大值后, 尽管膜继续增厚, 但Tc值保持近乎平稳, 而Jc则先随膜厚度增加上升到最高值后, 继而则随膜的厚度的增加而下降. MgB2膜的Tc(0)和Tc(onset)值与膜厚的关系基本一致, Tc(0)在膜厚为230 nm处达到最大值Tc(0)=41.4 K, 而Jc(5K,0T)在膜厚为100 nm时达到最大值, Jc (5 K, 0 T)=2.3×108A·cm-2, 这也说明了我们能用HPCVD方法制备出高质量干净MgB2超导膜. 本文研究的超导膜厚度变化跨度非常大, 从10 nm级的超薄膜到100 nm级的薄膜, 再到几微米的厚膜, 如此Tc和Jc对膜厚度变化的依赖就有了较完整、成体系的研究. 并且本文的工作对MgB2超导薄膜制备的厚度选取具有实际应用意义.
关键词:
2超导膜')" href="#">MgB2超导膜
混合物理化学气相沉积法
厚度
临界电流密度 相似文献