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21.
利用前驱物形貌导向法,成功制备了Co9S8/MoS2异质结构催化剂,该催化剂在碱性析氢反应(HER)中表现出优异的催化活性及稳定性,其在10 mA·cm-2处的过电势仅为84 mV.通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、电子自旋共振(ESR)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)和同步辐射(XAFS)等表征,证明了CoS2/MoS2在H2氛围下煅烧形成Co9S8/MoS2的过程中,CoS2中Co的配位模式从部分八面体向Co9S8中的四面体转变,这种转变可活化MoS2的惰性平面,从而使其更有利于吸附H*.除此之外,接触角数据表明:该催化剂具有良好的亲水性,有利于电解液渗透及气体分子的迅速扩散,从而促进HER反应速率.由于异质结构间具有强烈的相互作用,该催化剂可表现出良好的结构稳定性.本工作基于Co9S8/MoS2异质结构的成功构筑及对其HER催化机理的充分探讨,为后续硫化物异质结及其在电催化中的应用提供了良好的思路和研究基础. 相似文献
22.
对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究. 通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应. 通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型.
关键词:
p型金属氧化物半导体场效应晶体管
60Co γ射线')" href="#">60Co γ射线
电离辐射损伤
低剂量率辐射损伤增强效应 相似文献
23.
本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形
关键词:
60Coγ')" href="#">60Coγ
总剂量辐射损伤效应
SRAM型FPGA
CMOS单元 相似文献
24.
铅、镉等重金属对环境的污染和人体健康的影响很大,当人们食用了含有高浓度铅、镉的食物时,经过血液的运输,使肝脏、脾脏和肾脏都积存了铅、镉,易引起铅、镉中毒。铅中毒会造成贫血、高血压、神经痛、骨质松软、肾炎和分泌失调等病症;镉中毒会首先出现呼吸道刺激症状,口干、流涕、咽痛等,伴 相似文献
25.
26.
27.
After the separation of the donor, the aeceptor, and the σ-type bridge from the π-σ-π system, the geometries of biphenyl, biphenyl anion radical, naphthalene, and naphthalene anion radical are optimized, and then the reorganization energy for the intermolecular electron transfer (ET) at the levels of HF/4-31G and HF/DZP is calculated. The ET matrix elements of the self-exchange reactions of the π-σ-π systems have been calculated by means of both the direct calculation based on the variational principle, and the transition energy between the molecular orbitals at the linear coordinate R=0.5. For the cross reactions, the ET matrix element and the geometry of the transition state are determined by searching the minimum energy splitting △_(min) along the reaction coordinate. In the evaluation of the solvent reorganization energy of the ET in solution, the Marcus' two-sphere model has been invoked. A few of ET rate constants for the intramolecular ET reactions for the π-σ-π systems, which contain 相似文献
28.
29.
The bias dependence of radiation-induced narrow-width channel effects(RINCEs) in 65-nm n-type metal-oxidesemiconductor field-effect transistors(NMOSFETs) is investigated. The threshold voltage of the narrow-width65 nm NMOSFET is negatively shifted by total ionizing dose irradiation, due to the RINCE. The experimental results show that the 65 nm narrow-channel NMOSFET has a larger threshold shift when the gate terminal is kept in the ground, which is contrary to the conclusion obtained in the old generation devices. Depending on the three-dimensional simulation, we conclude that electric field distribution alteration caused by shallow trench isolation scaling is responsible for the anomalous RINCE bias dependence in 65 nm technology. 相似文献
30.
利用四苯基甲烷中碳原子特殊的sp3轨道杂化结构来打断并控制分子内共轭程度,并采用硅原子替换四苯基甲烷中的碳原子合成四苯基硅烷.将这两种结构作为核,在其四周以四苯乙烯(TPE)或三苯乙烯(triPE)修饰,设计并合成了六个具有聚集诱导发光(AIE)效应的小分子.这些分子均可以溶解在常见有机溶剂中并具有良好的热稳定性.通过溶液旋涂法将其应用到有机电致发光器件(OLED)中,得到最好的器件效率为亮度最大值(Lmax)1730 cd·m-2,电流效率最大值(Lmax)2.21 cd·A-1,功率最大值(ηp,max)0.77 lm·W-1,外量子效率最大值(ηext,max)1.01%. 相似文献