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91.
Li—Ni—La—O系复合氧化物催化剂上甲烷氧化偶联的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
考察了Li-Ni-La-O系催化剂的组成、结构及反应条件对甲烷氧化偶联反应活性的影响。在780℃、CH4:O2:N2=2:1:7、空速15000h^-1时,C2烃收率可达25.8%。XRD、IR、XPS及SEM等的结构分析表明,在LiLa1-xNixO2催化剂中,当0.1≤x≤0.9时,该催化剂由LiNiO2和La2Ni1-yLiyO4-λ两相组成,x<0.3时出现了LiLaO2相,La2Ni1- 相似文献
92.
将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正,得到一个π-σ-π型分子。UHF/6-31G**研究表明,此体系具有更高的能垒和小得多的电子转移耦合,而且其耦合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现。外电场效应的研究进一步发现,该体系在无外场条件下几乎没有电子转移反应发生,但当外电场增至0.001463au时,反应的能垒消失,其电子转移速率达到10^5d^-1数量级。所有特征均显示,该体系具有作为单分子电子器件的分子原型的巨大潜力。 相似文献
93.
1949年,wilson等[1,2]在有机化合物的电解还原中,发现某些α、β日一不鲍和接酸及其衍生物进行了聚合。随后,其他的工作者〔3一]利用电解方法引发了各种烯类单体的聚合反应。初期工作表明,他们的目的井不在于寻找新的聚合方法,而是企图通过对聚合作用的研究,探索某些电极过程或其反应机理。 相似文献
94.
本文建议一种Huckel-Hubbard参数化法,并用Huckel-Hubbard理论首次计算了氮叶立德[2,3]和氮[1,3]σ键迁移反应的基态和低激发态势能面。根据计算得到的势能面,对相应的基态和激发态反应途径进行了讨论,得到有价值的结论。 相似文献
95.
96.
用电子转移半经典理论,在谐振势近似下,导出交叉反应电子转移的动力学模型,在UHF/6-31G基组水平上,优化电子转移NO_2~++NO→NO_2+NO~+的碰撞络合物结构,用线性反应坐标研究了电子转移反应的透热势能面,反应活化能,电子转移矩阵元等动力学参量,对此交叉反应及相应的自交换反应体系NO_2~+/NO_2和NO~+/NO作动力学计算,得这3个基元步骤的活化能分别为81.4,128.8,和39.3KJ·mol~1.用过渡态结构参数估算溶剂重组对活化能的贡献,计算了300K时的速率常数.高的活化能垒可能影响NO_2~+在芳烃硝化中作为氧化剂的反应活性. 相似文献
97.
重金属污染土壤的治理与修复是当前社会关注和国内外研究的热点.在众多重金属污染治理方法中,基于表面活性剂的化学淋洗技术由于具有原位、高效、治理成本低、可同时去除多种重金属和非水溶性有机污染物等特性成为研究的重点.相对于化学表面活性剂,生物表面活性剂因其优良的耐极端温度、耐盐碱、可生物降解、不产生二次污染的绿色安全特性成为目前国内外研究的热点.经过近年的发展,生物表面活性剂在重金属污染土壤修复方面的应用已取得诸多成果,本文从去除土壤重金属的机理方面总结了国内外生物表面活性剂研究的发展历程和最新进展,并对应用生物表面活性剂修复重金属污染土壤的未来发展进行了展望. 相似文献
98.
采用ANSYS FLUENT软件建立了基于欧拉壁面液膜模型的光滑管内蒸汽冷凝流动过程的三维数学模型。模拟管长为500 mm,内径为38 mm。模拟工况为入口蒸汽饱和温度分别为70℃,总传热温差为5℃和7℃,入口蒸汽速度为1420 m/s。模拟结果表明,液膜厚度在管道底部随着流动距离的增加而增加,液膜厚度在管顶部先增大后趋于稳定,更大的蒸汽入口速度产生更高的液膜厚度。液膜流动速度在管道底部随着流动距离的增加而增加,液膜流动速度在管顶部先增大后缓慢降低,更大的蒸汽入口速度产生更高的液膜流动速度。 相似文献
99.
基于非平衡溶剂化理论和连续介质模型修改了GAMESS中的相关程序,实现了电子转移溶剂重组能的数值计算. 采用修改后的程序计算得到了联苯-雄甾烷-萘和联苯-雄甾烷-菲这两个体系电子转移的溶剂重组能约为60 kJ/mol. 这个结果与实验拟合值符合的很好. 利用线性反应坐标与Koopmans定理计算了电子转移耦合矩阵元,结果与实验拟合值有可比性. 相似文献
100.
The bias dependence of radiation-induced narrow-width channel effects(RINCEs) in 65-nm n-type metal-oxidesemiconductor field-effect transistors(NMOSFETs) is investigated. The threshold voltage of the narrow-width65 nm NMOSFET is negatively shifted by total ionizing dose irradiation, due to the RINCE. The experimental results show that the 65 nm narrow-channel NMOSFET has a larger threshold shift when the gate terminal is kept in the ground, which is contrary to the conclusion obtained in the old generation devices. Depending on the three-dimensional simulation, we conclude that electric field distribution alteration caused by shallow trench isolation scaling is responsible for the anomalous RINCE bias dependence in 65 nm technology. 相似文献