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Yb:YAG闪烁晶体的UV发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对不同掺杂浓度Yb:YAG晶体的透过光谱、激发光谱、发射光谱和衰减时间的测量,研究了Yb:YAG晶体的UV发光特性和发光机制.Yb:YAG晶体在紫外波段具有宽的激发带和发射带.最强的发射峰位于320~350nm波长范围,此即为Yb:YAG晶体的闪烁发光峰;次强的发射峰位于500nm附近.Yb:YAG晶体的UV发光衰减时间小于50ns.Yb:YAG晶体的UV发光行为是电子从Yb3+离子的4f壳层向配体O2-的满壳层的分子轨道迁移的结果,属于电荷迁移(CT)发光. 相似文献
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铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶体PMNT,PZNT的生长基元为多种[BO~6]配位八面体。这些同型生长基元受本身稳定性的制约而在熔体中存在的几率不同。相对于[MgO~6]^1^0^-,[ZnO~6]^1^0^-八面体基元来说,[NbO~6]^7^-,[TiO~6]^8^-是更为有利的八面体基元。在基元组装过程中,各种[BO~6]八面体基元在稳定性、尺寸大小与电价上的分异致使生长界面对基元有一定的选择性,从而造成了晶体生长时成分与结构的短程起伏,并为有序畴及其它化学缺陷团簇的形成提供了条件。当加入掺质PbTiO~3时,由于[TiO~6]^8^-与[NbO~6]^7^-两种基元在组装时的类聚性及[TiO~6]^8^-对晶体稳定性的贡献,晶体的微区成分与结构得以调制,焦发石相得以抑制,这构成了用Bridgman法能直接从熔体中生长出纯钙钛矿相PMNT单晶的基础。而[MgO~6]^1^0^-与[ZnO~6]^1^0^-八面体基元的差致使PMNT,PZNT两单晶的生长难度有别,这在选择合适的生长方法时需加以考虑。 相似文献
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利用高分辨电子显微技术和电子衍射,对7.9/70/30PLZT透明铁电陶瓷的显微结构进行了研究。结果表明,在立方α相中存在着一定量的相对定向的极性微区,这些微区的结构正是经极化后呈铁电性的β相的正交结构。在高分辨电子显微镜照片上显现的干涉条纹微区(Moire Pattern)是正交极性微区和立方α相基体这两种结构发生叠栅的结果。同时在这一材料的个别区域发现了沿<111>方向的2×d111的超结构存在,研究结果认为,这一超结构的形成是由于点缺陷的存在而产生的结构自我调整在{111}面发生滑移或旋转的结果。 相似文献
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Yb:YAG晶体的光谱性能 总被引:10,自引:0,他引:10
系统地研究了不同掺杂浓度的Yb:YAG晶体的光谱特性,通过吸收光谱的测量计算了晶体的吸收截面,用对易法计算了晶体的发射截面。在Yb:YAG晶体毛坯中发现Yb^2+和色心,其浓度随Yb:YAG晶体中Yb^3+的增加而增加。经1400℃氧气氛退火后消失。首次用光子激发和X射线激发研究了Yb:YAG晶体的荧光特性。 相似文献
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利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线电子能谱(XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化.结果表明:掺镧后,PbWO4晶体中的正电子捕获中心铅空位(V< sub>Pb)浓度增加,并进一步诱导低价氧浓度的增加.讨论了掺La的作用机制,认为掺 La将抑制晶体中的氧空位,增加铅空位浓度.
关键词:
掺镧钨酸铅晶体
正电子湮没寿命谱
X射线电子能谱
缺陷 相似文献
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