基于一般Ornstein-Uhlenbeck过程的最优log-Sobolev不等式

本文研究了取值于Hilbert空间H且具有唯一不变测度μ的Ornstein-Uhlenbeck过程,利用平稳Gauss过程的log-Sobolev不等式的相关结论,得到了该过程满足log-Sobolev不等式的充分必要条件和最优常数,推广了Gross在对称情形下的结果.     

Lévy过程驱动的BSDE的反比较定理与Jensen不等式

本文研究了由一维Lévy过程驱动的倒向随机微分方程(BSDE)的反比较定理.利用一般g-期望下BSDE的反比较定理的证明方法,推导出了一般f-期望下BSDE的反比较定理,并给出了一般f-期望下Jensen不等式成立的充分必要条件.     

用改进的sol-gel法制备锆钛酸铅薄膜及其物相转化的研究

利用改进的solgel法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.5Ti0.5O3(PZT50/50)薄膜.采用了一种新的方式,从同一前驱体溶液得到了厚度各异的单一退火层.研究了薄膜的结构和性质随单层退火厚度的改变而发生的变化,发现随着单一退火层厚度的降低,薄膜(111)取向的程度增大,同时薄膜的剩余极化和介电常量也逐渐增高.当单一退火层厚度降低到约为40nm时,可得到高度(111)择优取向的PZT薄膜.从薄膜成核机理的基础上讨论了薄膜结构变化的内在因素,认为随单一退火层厚度的增加薄膜由单一的 关键词：     

Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收

讨论了HgCdTe三元半导体在能量大于禁带宽度范围内的本征吸收光谱。经过分析比较实验数据,Kane理论结果以及几种经验公式,指出Anderson从Kane模型获得的理论公式及褚君浩等从实验结果得出的经验公式,最符合HgCdTe禁带以上本征光吸收行为。文中还就外延薄膜样品的本征吸收进行了讨论。 关键词：