ZnO-SnO_2透明导电薄膜的制备及性能研究

采用二步成胶工艺制备ZnO-SnO_2透明导电薄膜,应用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、薄膜分析仪及四探针仪等对薄膜的结构、表面微观形貌、透过率和导电性能进行表征.结果表明,锌锡摩尔比为9/12,退火温度为500 ℃时,薄膜的透过率达90%,电阻率为3.15×10~(-3) Ω·cm.与其它工艺相比,二步成胶工艺所制备出的ZnO-SnO_2透明导电薄膜性能优异.     

AZO(ZnO:A1)电子结构与光学性质的第一性原理计算

计算了不同Al掺杂浓度下ZnO体系电子结构和光学属性.分析了掺杂对AZO(ZnO:A1)晶体结构、能带、态密度、光学性质的影响.所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一原理平面波赝势方法.计算结果表明:Al掺杂ZnO在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子,明显提高了体系的电导率.费米能级进入导带.同时,光学性质的计算表明光学带隙明显展宽,且向低能方向漂移;AZO透明导电材料的光学透过率在可见光范围内高达85%,紫外吸收限随着掺杂浓度的增加而发生蓝移.所有计算表明AzO材料可作为优良的透明导电薄膜材料.     

Sb，In，P掺杂对SnO_2薄膜透明导电性能的影响(英文)

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜,优化了制备工艺参数,获得了最佳制备条件,研究表明,4%的铟掺杂有效地改善了薄膜的内部结构,使得紫外-可见光的透过率显著增加;7%的锑掺杂释放出了更多的载流子,使薄膜的方块电阻降低,2%的磷掺杂因准连续杂质能带的形成进一步提高了薄膜的电导率.Sb、In、P的掺入使得SnO2薄膜的紫外-可见光的透过率达83%,方块电阻达38Ω/□     

太阳CO 4.6微米红外成像观测

太阳红外光谱中蕴含着丰富的物理信息,其中CO 4.6μm波段是具有代表性的分子谱带,其形成于温度极小区附近,对研究太阳物理具有极其重要的意义。为获得CO 4.6μm波段太阳单色像,本文建立了一套全反射太阳红外成像观测系统。该系统采用定天镜跟踪引光,通过成像反射镜将太阳成像于3~5μm波段红外相机的焦平面上,该相机采用的是国产HgCdTe焦平面阵列器件。同时,为提高信噪比,提出了一种有效计算平场提取观测目标的方法,并利用该方法获得了CO 4.6μm波段的太阳单色像。     

液相色谱-串联质谱法测定蔬菜和水果中硝苯菌酯的残留量

建立了一种通过检测硝苯菌酯(2,4-dinitro-6-(1-methylheptyl) phenyl crotonate, 2,4-DNOPC)相应的水解产物2,4-二硝基-6-(1-甲基庚基)苯酚(2,4-dinitro-6-(1-methylheptyl) phenol, 2,4-DNOP)来测定蔬菜和水果中2,4-DNOPC残留量的液相色谱-电喷雾串联质谱(LC-ESI-MS/MS)检测方法。蔬菜和水果样品用丙酮-甲醇-盐酸的混合液进行液-液分配提取,在碱性条件下超声水解后再进行液-液分配提取,然后进行LC-MS/MS测定。2,4-DNOPC在6种蔬菜和水果中的回收率试验结果表明,2,4-DNOPC在甘蓝中的添加回收率为89.7%～93.3%,相对标准偏差(RSD)为6.3%～8.5%;在黄瓜中的添加回收率为87.7%～95.1%, RSD为5.8%～10.4%;在番茄中的添加回收率为89.3%～96.0%, RSD为6.8%～9.2%;在苹果中的添加回收率为92.0%～98.3%, RSD为5.1%～10.3%;在梨中的添加回收率为89.0%～95.0%, RSD为5.3%～10.2%;在葡萄中的添加回收率为81.2%～95.8%, RSD为5.8%～10.4%。2,4-DNOPC在6种蔬菜和水果的最低检测浓度均为0.01 mg/kg。该检测方法样品前处理简单、快速,分析时间短,灵敏度、准确度和精密度均符合农药残留检测要求,适用于蔬菜和水果中硝苯菌酯残留量的检测。     

Hydrothermal synthesis and dielectric properties of chrysanthemum-like ZnO particles

By orthogonal design theory, technological parameters of chrysanthemum-like ZnO particles prepared in a hydrothermal process are optimized. This paper reports a set of technological parameters for growing chrysanthemum-like ZnO particles on a large scale. It investigates the morphologies and crystalline structures of the as-synthesized three-dimensional ZnO particles with a scanning electron microscope, x-ray diffractometer and transmission electron microscope, and the possible growth mechanism on the three-dimensional ZnO particles. The experimental results indicate that the values of ε', ε ' and \tan δ_e gradually increase in the X band with the improvement of the developmental level of chrysanthemum-like ZnO particles, implying that the electromagnetic wave absorbing property depends on the morphologies of three-dimensional ZnO particles.     

后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战

近六十年来,以硅为核心材料的半导体技术,特别是CMOS集成电路技术推动了人类信息社会的深刻变革,但也逐渐接近其物理极限和工程极限,全球半导体产业已经进入后摩尔时代.半导体性碳纳米管具有高迁移率、超薄体等诸多优异的电学特性,因此成为后摩尔时代新型半导体材料的有力候选.基于碳纳米管的碳基电子技术历经二十余年发展,在材料制备、器件物理和晶体管制备等基础性问题中也已经取得了根本性突破,其产业化进程从原理上看已经没有不可逾越的障碍.因此,本文着重介绍了碳基电子技术在后摩尔时代的本征优势,综述了碳基电子技术的基础性问题、进展和下一步的优化方向,及其在数字集成电路、射频电子、传感器、三维集成和特种芯片等领域的应用前景.最后,本文还分析了碳基电子技术产业化进程中的综合性挑战,并对其未来发展做出预测和展望.     

深部砂土三轴高压卸载结构变化的CT研究

用取自山东巨野矿区埋深近 6 0 0m的深部砂土样,在三轴试验机上进行围压为 12MPa的三轴卸载试验,同时用CT装置探测试样在试验全过程中内部结构变化,并对纪录的CT图片进行了计算机图像分析处理,分析了深部砂土在高压卸载条件下变形和破坏结构性变化本质特点。     

成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究

本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体。解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面。然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3mm~3的CdSe中红外波片初胚。以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理。结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2~20μm波段透过率较高(达到70%),满足中红外波片的应用需求。     

Ni 掺杂ZnO纳米线的电子结构与磁性

采用自旋极化密度泛函理论系统研究了Ni掺杂ZnO纳米线的电子结构、磁学和光学性质.磁学性质计算结果显示六种Ni掺杂ZnO纳米线的磁性耦合体系出现了铁磁(FM)、反铁磁(AFM)和顺磁(PM)二种不同的耦合状态.能量计算结果表明Ni原子在纳米线外表面沿[0001]方向替代Zn原子时能量最低,体系的AFM耦合相对稳定,AFM体系表现出金属性.态密度计算结果显示FM耦合在费米能级附近出现了明显的自旋极化现象,发生了强烈的Ni 3d和O 2p杂化效应,掺杂产生的磁矩主要来源于Ni 3d未成对轨道电子和部分O 2p轨道电子的贡献,FM耦合表现出半金属性.另外,光学性质计算结果显示Ni掺杂ZnO纳米线的远紫外吸收峰发生了红移现象,而380 nm附近的近紫外吸收峰发生了明显的蓝移现象,在整个紫外区都表现出了优异的发光性能.以上结果表明Ni掺杂ZnO纳米线是一种很有前途的磁光电子材料.