Rh超薄膜在Mo(111)及W(111)上引起{110}小面再构的可能性

用第一性原理总能计算方法,计算了Mo和W表面吸附金属Rh薄膜前后[111],[110]方向的表面能.计算结果表明,清洁Mo和W的（111）面不会发生{111}小面再构,与实验观察一致,当Rh的覆盖厚度达到一物理单层后,Rh/Mo（111）仍不会形成{110}小面;面Rh/W（111）满足小面再构到{110}的热力学条件,在一定条件下可能形成{110}小面. 关键词：     

我国大学计算物理教学情况

由于计算物理学科在国际和国内的迅速发展,将计算物理学列入高等学校教学内容,已作为一个迫切问题提到日程上来。计算物理学会十分重视这方面的宣传、推广和组织工作。1984年11月计算物理学会在长沙召开了计算物理教材交流会议。当时开设计算物理课程的学校还很少。     

改进的EHMO理论Ⅰ.氢、碱金属和第二周期元素闭壳层同核双原子分子位能曲线

本文结合同核双原子分子电子光谱实验数据,分析了EHMO方法用在同核双原子分子上失败的原因,在H对角矩阵元中引入经验项(I_p~v-Y_p)e~(-a/2R),这相当于在EHMO方法中用经验方法引入了不同原子上的电子间所存在的排斥力(包括核-核、核-电子作用的总结果),因此大大改善了EHM0方法的计算结果。文中列出了氢、碱金属和第二周期元素闭壳层同核双原子分子的位能曲线计算值,得到的平衡核间距和解离能数值与经验值符合良好。     

LATTICE DYNAMICS OF WURTZITE SEMICONDUCTORS GaN AND AlN

The lattice dynamics of wurtzite GaN and AlN is studied within the framework of a rigid-ion model. Short-range interactions up to the third nearest neighbors are described by using a valence-force-field potential and the long-range Coulomb interactions between ions are calculated via an Ewald summation. Phonon dispersion curves, density of states and specific heats are presented.     

小颗粒Si的振动特性及熔化温度

用Stillinger-Weber势计算了Si_n(N=2—7)小颗粒的基态几何结构及基态能量。由Keating模型描述原子间的弹性能,计算了这些结构的振动谱。并从物态方程出发,估计了小颗粒Si的熔化温度,发现Si₄和Si₆的熔化温度相对较高。 关键词：     

AI在GaAs(110)面上的吸附

用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。 关键词：     

CI在Si和Ge(111)面上的化学吸附

考虑了Si(111)和Ge(111)面吸附Cl的几何构形,本文采用集团模型,用电荷自洽的EHMO方法,对Si(111)和Ge(111)面,分别用能量极小的原则,确定了Cl的化学吸附位置。计算结果表明,对于Si(111)面,Cl是在顶位被吸附,形成共价结合,与实验结果一致。对于Ge(111)面,计算表明在顶位和三度开位上都能吸附Cl,与以前结论有一些不同,但本文认为偏振光电子谱的实验结果并不能完全排除Cl在Ge(111)面上顶位吸附的可能性。希望有其他实验能对Cl在Ge(111)面上的吸附作进一步的观察。此外,还计算了Cl在Si(111)面顶位上的吸附和它在Ge(111)面三度开位上的吸附时的状态密度,和实验结果进行了比较,相符甚好。 关键词：     

(Si)n/(Ge)n超晶格几何结构

本文用Keating模型计算了Si_1-xGe_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_1-xGe_x作衬底有利于超晶格的生长。 关键词：     

弦线上驻波的研究

讨论了弦振动横波波动方程,研究了固定线密度时弦振动的张力与波长、张力与频率之间的关系,利用origin软件得出实验曲线,并找出研究张力和波长曲线关系时的最佳频率及研究张力和频率曲线关系时的最佳波长.