Rh超薄膜在Mo(111)及W(111)上引起{110}小面再构的可能性

用第一性原理总能计算方法,计算了Mo和W表面吸附金属Rh薄膜前后[111],[110]方向的表面能.计算结果表明,清洁Mo和W的（111）面不会发生{111}小面再构,与实验观察一致,当Rh的覆盖厚度达到一物理单层后,Rh/Mo（111）仍不会形成{110}小面;面Rh/W（111）满足小面再构到{110}的热力学条件,在一定条件下可能形成{110}小面. 关键词：     

Sb/Si(001)表面的半经验研究

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(001) 衬底上的性质.结果显示,Sb原子在Si(001)表面形成对称的dimer,其键长为0.293nm,表 面以下层的弛豫很小.Sb/Si(001)2×1表面沿着dimer方向的张应力为1.0eV/(1×1cell),而 沿垂直于dimer方向的压应力为-1.1eV/(1×1cell).Sb/Si(001)表面应力的主要贡献来自于 最上面三层表面. 关键词： 表面应力 异质生长 格林函数方法