关于丛属函数的几个不等式

<正> 1.引言.设(?)是单位圆中的正则函数,函数w=F(z)将|z|<1映照成黎曼面S_F.设函数(?)在单位圆中是正则的.假如w=f(z)的一切函数值都落在 S_F,上,那末说 f(z)丛属于 F(z),记此关系为 f(z)(?)F(z).我们知道 f(z)(?)F(z)的充要条件是存在|z|<1上的正则函数ω(z),适合|ω(z)|<1,ω(0)=0,和 f(z)≡F(ω(z)).     

A THEORETICAL MODEL FOR H2 DISSOCIATIVE ADSORPTION ON Cu SURFACES

A theoretical model for describing H₂ dissociative chemisorption on Cu surfaces is proposed. The sticking probability S is calculated as a function of vibrational state, average kinetic energy and incident angle of hydrogen molecular beam. Within the theoretical frame of this model, the different contributions to S from H₂(v = 0) and H₂(v = 1) can be clearly distinguished. The calculated results indicate that vibrational energy significantly promotes the chemisorption of H₂ on Cu surfaces in the region of low translational energy. The equations derived can be used to analyze the experimental data for both pure and seeded molecular beams.     

BAND STRUCTURES OF Si-C AND Si-C-Ge ALLOYS

Band structures of Si-C and Si-C-Ge alloys are calculated by using the ab initio LMTO (linear muffin-tin orbital) method within the framework of atomic-sphere approximation. The effects of different atomic configuration and lattice relaxation on the band structure of alloys are taken into account. The results show that for large concentrations of C in Si and Si-Ge, the band gap increases monotonically, while for small concentrations of C in Si and Si-Ge, the band gap shrinks. The lattice relaxation further reduces the band gap. The possible explanations for the reduction of band gap of Si-C and Si-C-Ge alloya are presented.     

碱金属在GaAs(110)表面上的吸附

本文讨论Li,Na,K,Cs在GaAs(110)表面上的吸附,考虑理想表面和弛豫表面两种情况。计算采用集团模型,用电荷自洽的ExtendedHucheltheory(缩写为EHT)方法进行。结果表明,吸附后表面原子趋向于理想位置,碱金属原子位于垂直于表面沿[001]方向横跨表面Ga原子的对称平面上。碱金属吸附后的费密能级在价带顶以上约0.7eV处,是由表面Ga原子与碱金属原子间的相互作用决定的。而在价带中碱金属原子主要与表面As原子成键。 关键词：     

形变超晶格Si/Ge的能带结构

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)₆/(Ge)₄和(Si)₈/(Ge)₂超晶格在Si_1-xG 关键词：     

GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究

本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs_1-xP_x(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。 关键词：     

GaAs_(1-x)P_x(110)清洁表面结构和电子态的研究

本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs_(1-x)P_x(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。     

Muffin-Tin轨道线性组合方法的初步探讨

本文研究LMTO方法的具体实现,改进了参数的选择,研究了各种参数对自洽收敛和最终结果的影响。计算了双原子分子H₂,C₂和O₂的平衡键长、离解能和波数,并利用Slater过渡态的概念计算了轨道的电离势,所得结果与实验符合较好。 关键词：     

Rh超薄膜在Mo(111)及W(111)上引起{110}小面再构的可能性

用第一性原理总能计算方法,计算了Mo和W表面吸附金属Rh薄膜前后[111],[110]方向的表面能.计算结果表明,清洁Mo和W的（111）面不会发生{111}小面再构,与实验观察一致,当Rh的覆盖厚度达到一物理单层后,Rh/Mo（111）仍不会形成{110}小面;面Rh/W（111）满足小面再构到{110}的热力学条件,在一定条件下可能形成{110}小面. 关键词：