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21.
利用前驱物形貌导向法,成功制备了Co9S8/MoS2异质结构催化剂,该催化剂在碱性析氢反应(HER)中表现出优异的催化活性及稳定性,其在10 mA·cm-2处的过电势仅为84 mV.通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、电子自旋共振(ESR)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)和同步辐射(XAFS)等表征,证明了CoS2/MoS2在H2氛围下煅烧形成Co9S8/MoS2的过程中,CoS2中Co的配位模式从部分八面体向Co9S8中的四面体转变,这种转变可活化MoS2的惰性平面,从而使其更有利于吸附H*.除此之外,接触角数据表明:该催化剂具有良好的亲水性,有利于电解液渗透及气体分子的迅速扩散,从而促进HER反应速率.由于异质结构间具有强烈的相互作用,该催化剂可表现出良好的结构稳定性.本工作基于Co9S8/MoS2异质结构的成功构筑及对其HER催化机理的充分探讨,为后续硫化物异质结及其在电催化中的应用提供了良好的思路和研究基础. 相似文献
22.
对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究. 通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应. 通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型.
关键词:
p型金属氧化物半导体场效应晶体管
60Co γ射线')" href="#">60Co γ射线
电离辐射损伤
低剂量率辐射损伤增强效应 相似文献
23.
本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形
关键词:
60Coγ')" href="#">60Coγ
总剂量辐射损伤效应
SRAM型FPGA
CMOS单元 相似文献
24.
铅、镉等重金属对环境的污染和人体健康的影响很大,当人们食用了含有高浓度铅、镉的食物时,经过血液的运输,使肝脏、脾脏和肾脏都积存了铅、镉,易引起铅、镉中毒。铅中毒会造成贫血、高血压、神经痛、骨质松软、肾炎和分泌失调等病症;镉中毒会首先出现呼吸道刺激症状,口干、流涕、咽痛等,伴 相似文献
25.
26.
27.
After the separation of the donor, the aeceptor, and the σ-type bridge from the π-σ-π system, the geometries of biphenyl, biphenyl anion radical, naphthalene, and naphthalene anion radical are optimized, and then the reorganization energy for the intermolecular electron transfer (ET) at the levels of HF/4-31G and HF/DZP is calculated. The ET matrix elements of the self-exchange reactions of the π-σ-π systems have been calculated by means of both the direct calculation based on the variational principle, and the transition energy between the molecular orbitals at the linear coordinate R=0.5. For the cross reactions, the ET matrix element and the geometry of the transition state are determined by searching the minimum energy splitting △_(min) along the reaction coordinate. In the evaluation of the solvent reorganization energy of the ET in solution, the Marcus' two-sphere model has been invoked. A few of ET rate constants for the intramolecular ET reactions for the π-σ-π systems, which contain 相似文献
28.
The bias dependence of radiation-induced narrow-width channel effects(RINCEs) in 65-nm n-type metal-oxidesemiconductor field-effect transistors(NMOSFETs) is investigated. The threshold voltage of the narrow-width65 nm NMOSFET is negatively shifted by total ionizing dose irradiation, due to the RINCE. The experimental results show that the 65 nm narrow-channel NMOSFET has a larger threshold shift when the gate terminal is kept in the ground, which is contrary to the conclusion obtained in the old generation devices. Depending on the three-dimensional simulation, we conclude that electric field distribution alteration caused by shallow trench isolation scaling is responsible for the anomalous RINCE bias dependence in 65 nm technology. 相似文献
29.
正十一烷/空气在宽温度范围下着火延迟的激波管研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在加热激波管上测量了气相正十一烷/空气混合物的着火延迟时间,着火温度为宽温度范围731-1399 K,着火压力在2.02 × 105和10.10 × 105 Pa附近,化学计量比分别为0.5、1.0和2.0。通过监测管侧壁观测点处的反射激波压力和OH*发射光测出着火延迟时间。实验结果显示:在910 K以上,着火延迟时间随着火温度的降低而变长,从910到780 K,着火延迟时间随着火温度的降低而变短(显示出了负温度系数效应),在780 K以下,着火延迟时间随着火温度的降低再次变长。在所研究的压力下,着火压力的增加使着火时间变短。化学计量比对着火延迟的影响在着火压力为2.02 × 105和10.10 × 105 Pa时是不同的,与在高温区相比,着火延迟在低温区对化学计量比非常敏感。在整个温度范围内,当前实验结果和LLNL(LawrenceLivermore National Laboratory)机理的预测值表现出了很好的一致性。现在的正十一烷/空气的着火数据和先前实验测量的正庚烷/空气、正癸烷/空气和正十二烷/空气的着火延迟时间相比较显示了着火延迟时间随着直链烷碳原子数的增加而减小。敏感度分析显示,高、低温条件下影响正十一烷着火延迟过程的反应是显著不同的。在高温条件下起最大促进作用的反应是H + O2=O+OH,然而在低温条件下,起最大促进作用的反应是过氧十一烷基(C11H23O2)的异构化反应。本文研究首次提供了正十一烷/空气的激波管着火延迟时间。 相似文献
30.
为制备适用于干压成型的氧化铝造粒粉,研究了PEG聚合度对氧化铝造粒粉微观形貌、流动性和松装密度的影响.结果表明PEG的聚合度对氧化铝浆料粘度影响显著,PEG2000-6000是较为理想的粘结剂选择,造粒粉的流动性与环境温度及湿度相关.采用正交实验设计,以造粒粉的流动性和松装密度为评价指标,对PEG聚合度、粘结剂添加量和固含量进行了优选,其影响顺序为PEG聚合度>固含量>粘结剂添加量.以优选参数PEG6000、添加量为4wt;、固含量为80wt;,制备了性能优良的氧化铝喷雾造粒粉. 相似文献