低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品，用原子力显微镜系 统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到：在 玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长；而在单晶硅衬底上，薄膜早期以有限扩散 生长模式生长，当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的 依赖关系表明，在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测 量证实，玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直 接影响反应 关键词： 生长机制 微晶硅薄膜 表面形貌 热丝化学气相沉积     

椭圆曲线签名方案

将椭圆曲线密码系统（ECC）与ElGamal系统进行了比较，在保证签名算法安全性的前提下，对ECC签名方案中的求逆运算和消息恢复问题进行了优化，针对这两个问题分别构造了新的签名方案，通过理论证明和编程模拟实验，解决了ECC签名方案中存在的需要求逆运算和不能实现消息恢复的问题，大大地简化了运算的复杂程度。     

基于ElGamal公钥体制的数字签名研究

利用有向签名和盲签名相结合的方法，在ElGamal公钥体制的基础上提出了一种新型数字签名方案，并对其安全性进行了分析，同时依据初等数论知识从理论上证明了该方案中的可行性，并通过实例验证，在真正意义上实现了电子交易中的匿句特性，并达到了安全性和可操作性的实用要求。     

高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究

采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χ_c随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH₂ 关键词：     

复数图形选择题

备选答案: (A)直线(B)椭圆(C)双曲线(D)圆(E)抛物线(F)线段的垂直平分线。 1.设复数“满呢条件: J二+zJ之·J:一}2二l, 2.设复数z满足条件: !:+5!一1:一5!二s; 3.设复数:满足条件: !二+31!+1一3f{闷o, 4.设复数:满足条件: !:“4一2不}二}二+3一5讨;5.设复数:满足条件,!二+3一石}匕幻6.设复数:满足条件:,.1:一}2+}:+1}“这;7.设复数二满足条件:}二乞{“9.1.(A),5.(D)梦3二(B),4.(F),了。(D)。 .。.幼自内h︸复数图形选择题@刘金龙!江西九江 ~~…     

实验技术共焦扫描光声层析成像技术的研究

报道了一种新的光声层析成像技术--光声傅里叶变换共焦扫描成像技术.并用该技术获得了强散射物质(生物组织)的层析图像,纵向分辨能力小于0.1mm,横向分辨率小于4mm.     

亚强非局域介质中的超高斯空间光孤子族研究

研究了亚强非局域介质中超高斯光束的传播特性.运用变分法,对任意实对称响应函数泰勒级数展开取至四阶,得到了1+1维亚强非局域非线性介质中光束传输的超高斯光束的近似分析解.分析结果表明：束宽解是椭圆雅可比双周期函数,相移、空间啁啾以及临界输入功率都正比于超高斯光束的阶数.提出了超高斯空间光孤子族模型和准方波形空间光孤子的实现可能性.     

丙烯水合醚化反应过程中丙酮生成机理的研究

 在与色－质联用仪相连的微反装置上，考察了Hβ沸石及改性的\r\nHβ沸石催化剂上丙烯水合醚化及异丙醇脱水的反应行为．丙烯水合醚\r\n化反应中有副产物丙酮生成，而异丙醇单独进料时产物中没有发现丙酮\r\n的生成．这表明丙酮并不是异丙醇氧化脱氢的结果，而是一个应予重视\r\n的不利于丙烯水合醚化的副反应．用同位素示踪反应对丙酮的生成机理\r\n进行了探讨，为研制抑制这一副反应的新催化剂提供了参考依据．     

Surface Carbonization of GaN and the Related Structure Evolution during the Annealing Process

To explain the stabilization mechanism of the carbon-ion-implanted GaN under the diamond growth environment,the luminescence characteristics and structure evolution correlative with sites' carbon atoms located for highfluence carbon-ion-implanted Ga N are discussed. GaN is implanted with carbon ion using fluence of 2×10~(17) cm~(-2) and energy of 45 keV. Then the implanted samples are annealed at 800℃ for 20 min and 1 h under the N_2 atmosphere. The luminescence characteristics of carbon-ion-implanted GaN are evaluated by photoluminescence spectrum at wavelength 325 nm. The lattice damage of Ga N is characterized by Raman spectrum and the corresponding vacancy-defect evolution before and after annealing is measured by slow positron annihilation. The results show that most of the carbon atoms will be located at the interstitial sites after carbon ion implantation due to the weak mobility. As the implanted samples are annealed, strong yellow luminescence is emitted and the vacancies for Ga(V_(Ga)) are reduced resulting from the migration of interstitial carbon(C_i) and formation of complexes(CGaand/or C_(Ga)-C_i) between them. As the annealing time is prolonged, the carbon ions accommodated by the vacancies are saturated, vacancy clusters with carbon atoms appear and the concentration of C_(Ga) diminishes, which will have an adverse effect on the diamond film nucleation and growth.     

直流电弧等离子体区域电弧分布特征对自支撑金刚石膜性质的影响

直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜时,电弧区域可分为弧心、弧干和弧边三个区域.本文运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱、正电子湮没寿命谱(PAL)和力学性能实验机研究了同一块自支撑金刚石膜不同区域的生长面形貌、晶体取向、内应力、空位缺陷和断裂强度.结果表明:随着与直流电弧等离子体弧心距离增加金刚石膜生长更稳定,(220)取向晶粒减少,平均空位缺陷减少,内应力和断裂强度呈现先增大后减小的趋势.