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111.
为了进一步研究在近共振电子态和非共振电子态转动能量传递的跃迁几率,以一阶含时波恩近似、各向异性Lennard-Jones相互作用势和直线轨迹近似为基础,我们建立了 的碰撞诱导的电子态和转动态的能量传递模型,通过此模型我们得到了实验温度、转动量子数和折合质量对能量传递的影响。 相似文献
112.
Potential energy curve study on the ^3Π electronic states of GaX (X=F,Cl, and Br) molecules 下载免费PDF全文
The potential energy curves (PECs) of the 3Π states of GaX (X=F, Cl, and Br) molecules are calculated using the multireference configuration interaction method with a large contracted basis set aug-cc-pV5Z. The PECs are accurately fitted to analytical potential energy functions (APEFs) using the Murrell–Sorbie potential function. The spectroscopic parameters for the states are determined using the obtained APEFs, and compared with the theoretical and experimental data available presently in the literature. 相似文献
113.
Multireference configuration interaction study on spectroscopic properties of low-lying electronic states of As2 molecule 下载免费PDF全文
The potential energy curves (PECs) of four electronic states (X1Σ+g , e3△u , a 3 Σ-u , and d 3Πg ) of an As 2 molecule are investigated employing the complete active space self-consistent field (CASSCF) method followed by the valence internally contracted multireference configuration interaction (MRCI) approach in conjunction with the correlation-consistent aug-cc-pV5Z basis set. The effect on PECs by the relativistic correction is taken into account. The way to consider the relativistic correction is to employ the second-order Douglas-Kroll Hamiltonian approximation. The correction is made at the level of a cc-pV5Z basis set. The PECs of the electronic states involved are extrapolated to the complete basis set limit. With the PECs, the spectroscopic parameters (Te , Re , ωe , ωexe , ωeye , αe , βe , γe , and Be ) of these electronic states are determined and compared in detail with those reported in the literature. Excellent agreement is found between the present results and the experimental data. The first 40 vibrational states are studied for each electronic state when the rotational quantum number J equals zero. In addition, the vibrational levels, inertial rotation and centrifugal distortion constants of d 3Πg electronic state are reported which are in excellent agreement with the available measurements. Comparison with the experimental data shows that the present results are both reliable and accurate. 相似文献
114.
根据最新的Cs2分子中间态A1∑+u -b3Πu全局解微扰获得的能级数据, 归属了通过微扰增强红外-红外光学双共振中间态A1∑+u 到上态23△1g的140条碰撞线, 包含之前实验观测到的221条23△1g←A1∑+u← X1∑+g 双共振跃迁[J. Chem. Phys. 128, 204313 (2008)], 重新计算了23△1g态的分子常数和势能曲线(排除54个微扰能级). 本次拟合得到的离心畸变常数和从经验公式计算得到的值相符合. 在亚多普勒激发光谱中,没有分辨出23△1g态的超精细结构. 对23△1g态的超精细结构进行初步计算,比较实验结果给出解释和说明. 相似文献
115.
116.
采用密度泛函理论(DFT)研究了氧吸附后Pt/Cu(001)表面合金的原子结构和表面性质. 计算结果表明, 在Pt/Cu(001)-p(2×2)-O表面最稳定结构中, 衬底表面原子层不发生再构, 氧原子吸附于4重对称的Pt原子谷位, 每个氧原子吸附能约为2.303 eV. 吸附结构的Cu—O和Pt—O键键长分别为0.202和0.298 nm, 氧原子的吸附高度ZCu—O约为0.092 nm. 吸附前后Pt/Cu(001)-1ML(monolayer)表面合金的表面功函数分别为4.678和5.355 eV. 吸附表面氧原子和衬底的结合主要来自氧原子2p轨道和衬底金属原子d轨道的杂化作用, 氧原子吸附形成的表面电子态主要位于费米能级以下约-2.7 eV 处. 相似文献
117.
采用直流电弧法制备单壁碳纳米管样品,用457.5和632.8nm两种不同的激发光分别测得单壁碳纳米管的正常拉曼光谱和共振拉曼光谱.通过理论分析得到了单壁碳纳米管的直径分布,进一步推测了其类型及结构参数;对单壁碳纳米管的正切拉伸模的成分进行了归属.在632.8nm激发波长下得到了IG/ID值随激光功率变化的曲线,认为在2.5mW时,单壁碳纳米管缺陷的结构可能发生了改变.在用457.5nm波长激发的单壁碳纳米管的拉曼光谱中,首次发现了1421cm-1的拉曼谱峰. 相似文献
118.
Based on the first-principles calculations, we firstly predict that RuB2 undergoes a phase transition from the orthorhombic phase to the hexagonal phase with a volume collapse of 1% when the applied pressure is 15. 7 GPa. The values of calculated elastic moduli indicate that RuB2 and RuN2 are low compressibility materials. Based on the calculated electronic density of states and valence charge density distribution, the bonding nature of RuB2 is examined to obtain a deeper insight into the physical origin of the mechanical properties. The metallieity and high elastic moduli of RuB2 and FuN2 suggest that they axe potential hard conductors. 相似文献
119.
Gwang-Hi Jeung 《化学物理学报》2009,22(2):187-190
由电正和电负组元构成的分子的电子态是共价构型和离子构型相互干涉作用的结果. 研究揭示了在Li2H、Li2F和Li4F等小分子中离子-共价耦合的复杂性. 将这一类分析扩展至金属团簇或者金属表面对亲电分子的吸附将会对于观测到的物理和化学性质提供全新的解释. 相似文献
120.
GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关,揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温,压力小于3.3 GPa时,以N陷阱束缚激子的发光过程为主,大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主,并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法,对N和NNi对的压力系数作了模型计算,其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构,尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。 相似文献