分子束外延生长InGaN／A1N量子点的组分研究

报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN／A1N量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法．     

MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究

系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性. 电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度. 另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应测试表明,随着Si掺杂浓度增大,电子浓度相应线性增大,表现出杂质带导电特性,而迁移率则相应减小. 同时,原子力显微镜测试和X射线衍射测试均表明生长温度和掺杂浓度对外延材料的表面形貌和晶体质量有影响,特别是在高掺杂浓度的情况下,样品的表面形貌恶化更严重. 在所研究的 关键词： n型GaN 电子浓度 迁移率     

血样和尿样中毒鼠强气相色谱测定方法的研究及其初步应用

〕本文报道一种血、尿样品里毒鼠强的分离与分析方法。血样加入10W/VNaCl用乙酸乙酯萃取,尿样以X5树脂小柱固相萃取,气相色谱测定。所建方法已用于1例中毒病人血、尿样品的测定,在中毒4天后血中、7天后尿中仍可测出毒鼠强。另外,本方法还用于对治疗该病人的人工炭肾内毒鼠强的测定,根据测定结果对人工炭肾的疗效进行了评价。     

二十六种滥用药物的气相色谱及气相色谱－质谱系统分析方法的研究

 建立了二十六种滥用药物的分离和分析方法。利用气相色谱（ＧＣ）分离和质谱（ＭＳ）差谱技术，二十六种药物都得到有效地分离和检测。此法被证明对中毒者的生物样品进行滥用药物及其代谢物的检测和鉴定是重要的和有效的。     

Weak Gate Effect in 1,3-Benzenedithiol Molecular Device

We introduce a full interaction Hamiltonian method to the generalized quantum chemical approach and apply it to investigate the electron tunneling properties of 1,3-benzenedithiol molecular device. The weak gate effect we calculate is consistent with the experiment. The asymmetric current character mainly comes from the asymmetry of the molecule and the nonlinear responding to the gate electric field.     

Improvement of A1N Film Quality by Controlling the Coalescence of Nucleation Islands in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

The influence of nucleation coalescence on the crystalline quality of A1N films grown on sapphire by plasma- assisted molecular beam epitaxy is investigated. The coalescence speed is controlled by the V/Ⅲ ratio chosen for the growth after nucleation. A slightly Al-rich condition, corresponding to slow coalescence, can significantly reduce the density of edge threading dislocation （TD）, which is found to be dominant in AIN epilayers. The cross-sectional TEM image of the AIN epilayer grown under this condition clearly reveals an automatically formed boundary where an abrupt decrease of edge TD density occurs.     

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiN_x折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO₂/SiN_x材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO₂/SiN_x抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10^-4的反射率     

AIN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

研究了在分子束外延制备的AIN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AIN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AIN的表面粗糙度较小时,尽管AIN模板的位错密度较高((102)面XRD ω扫描半高全宽900-1500 arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRD ω扫描半高伞宽200-300 arcsec,(102)面400-500 arcsec)和表面粗糙度(0.1-0.2 nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AIN中的一部分位错在AIN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AIN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响.得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105-106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AIN代替GaN低温缓冲层所致.     

去质子化精氨酸分子的稳定结构和化学性质

采用从头算方法系统研究了气相去质子化精氨酸的势能面,在B3LYP/6-31G(d)水平,找到了一系列新的稳定构型,其中能量最低的构型比之前报道的低了6.56 kJ/mol. 精氨酸的去质子化发生在羧基端,存在两种同分异构体. 这两种异构体之间存在很高的能垒,因此有着非常不同的红外光谱特征. 理论计算得到的精氨酸的质子解离能和气相酸性与实验值符合很好.