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101.
分片代数曲线足经典代数曲线的推广.利用沿分片代数曲线插值以及分片代数曲线的Nother型定理,给出了一类构造拟贯穿剖分上的二元样条Lagrange插值适定结点组的一种方法,并给出具体算法与实例. 相似文献
102.
表面活性剂对3-甲基吡啶电氧化制取烟酸的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了在阳极液中加入不同类型和不同浓度表面活性剂对3-甲基吡啶电氧化的影响. 结果表明, 十六烷基三甲基溴化铵、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二甲基甜菜碱和山梨醇酐单硬脂酸酯的胶团对3-甲基吡啶电氧化有明显的促进作用. 实验结果还表明, 在低浓度的硫酸为支持电解质阳极液中加入表面活性剂与不加表面活性剂相比, 3-甲基吡啶电氧化制取烟酸的选择性和电流效率明显提高. 相似文献
103.
依据GB/T2912.1-1998标准,用乙酰丙酮分光光度法测定了纺织品中的游离甲醛,详细分析了测定过程中的各个影响因素,对测量结果的不确定度进行了评定,重复测定和称量对不确定度贡献比较大. 相似文献
104.
将双极性半导体钝化膜空间电荷电容等效为钝化膜/溶液界面处电容和内层钝化膜/外层钝化膜界面处的np结电容的串联, 根据前期研究建立的半导体富集态、耗尽态以及反型态空间电荷电容的统一计算公式, 给出了双极性钝化膜Mott-Schottky(M-S)曲线的非线性拟合方法. 并将这一方法应用于镍基合金G3高温高压H2S/CO2腐蚀后的钝化膜半导体特征研究. M-S曲线非线性拟合结果显示, 温度升高外层p型半导体钝化膜多数载流子浓度明显增高, 而内层n型半导体钝化膜的多数载流子浓度基本未变. 通过非线性拟合, 证明本文所给出的M-S曲线非线性拟合方法能够同时给出钝化膜内外层多个半导体性质参数,为揭示钝化膜形成及破坏机制提供更多信息. 结合X射线光电子能谱(XPS)分析, 讨论了钝化膜结构变化机制及np结在抑制腐蚀过程中的作用. 相似文献
105.
106.
本文证明了(i)如果定义在有理数域Q上的椭圆曲线E的挠子群是N阶循环群,且N4,则rank(K2(E))1;(ii)如果定义在有理数域Q上的椭圆曲线E的挠子群是3阶循环群,则最多除去一个R-同构类,均有rank(K2(E))1.同时也给出了rank(K2(EZ))1的充分条件. 相似文献
107.
拟贯穿剖分上分片代数曲线的Nother型定理 总被引:1,自引:0,他引:1
代数曲线的Nother定理是代数几何中经典并且十分重要的结论.作为二元样条的零点集,分片代数曲线是经典代数曲线的推广.分片代数曲线的Nother型定理对研究二元样条空间的Lagrange插值有至关重要的作用.利用拟贯穿剖分的特点、二元样条的性质与代数几何的相关知识,给出了拟贯穿剖分上分片代数曲线的Nother型定理. 相似文献
108.
在本文中我们探讨了由孔德兴、刘克峰及沈明构造的一个新的真空Einstein方程时间周期解的物理性质.通过对这个解的Penrose图进行分析,我们发现这个解与已知的真空Einstein方程的解是不同的. 相似文献
109.
本文研究了拟周期平面Hamilton系统和时逆系统的平衡点的稳定性.在适当的条件下,证明了平衡点的稳定性以及在平衡点附近存在着大量的拟周期解. 相似文献
110.