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本文指出,连续体结构拓扑优化研究方向,从2016年Zhou的研究开始,进入了一个新阶段:离散结构的设计继续从连续体拓扑优化的结果获益,同时连续体拓扑优化的理论可以从离散结构的拓扑优化中受益。借此新阶段,本文针对连续体结构破损-安全的拓扑优化问题,通过几何分析途径,建立了预估破损区域的理性准则,即给出了结构局部破损模式尺寸上、下限及相邻局部破损区域的间距上、下限。以此理性准则,分析了Janson及Zhou给出的破损区域预估分布策略的各自优缺点,并通过算例对于相关策略进行了验证。结果表明:Janson的策略过于保守而导致不必要的极大计算量;Zhou的无缝平铺的策略不能保证所有拓扑生成离散元件通过破损测试,但在多数情况下仍可以得到具有足够冗余的最优拓扑;本文提出的以满足理性准则的方式布置破损区域,可以保证所有拓扑生成离散元件通过破损测试,并保证得到更多冗余的最优拓扑。本文的研究表明,预估破损区域的理性准则条件,为连续体结构破损-安全拓扑优化问题,提供了表述局部破损区域的理论进展。 相似文献
103.
对MgO(110)单晶进行中子辐照,辐照剂量从1.0 × 1016到1.0 × 1020 cm-2。基于黄昆漫散射理论,我们计算了MgO晶体中的立方缺陷和偶极力缺陷引起的X射线漫散射强度分布图。通过X射线漫散射及紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱实验表征了晶体的点缺陷组态,并利用超导量子干涉仪(SQUID)测量了样品的磁性。ω–2θ和摇摆曲线说明MgO单晶经中子辐照后产生了晶格畸变,晶体中存在一定浓度的点缺陷。倒易空间图(RSM)显示中子辐照的MgO单晶存在漫散射现象。与计算得到的漫散射分布图对比分析可知,中子辐照的MgO(110)单晶中产生了弗仑克尔缺陷。UV-Vis吸收光谱表明所有辐照晶体中存在阴离子单空位缺陷。辐照剂量较高(1.0 × 1019和1.0 × 1020 cm-2)的样品中存在O空位的聚集。磁性测量显示中子辐照后的MgO(110)单晶在室温下依然是抗磁性,但在低温下具有铁磁性,最大饱和磁化强度达到0.058 emu·g-1。通过中子辐照的方法,可以使MgO(110)单晶产生点缺陷引起的低温铁磁性。利用F色心交换机制可以解释中子辐照MgO晶体中的O空位缺陷与铁磁性之间的关系。 相似文献
104.
在相转移催化剂存在下,由对苯二酚和2-氯乙醚一步合成对苯二酚二(ω-氯代二甘醇)醚,收率81%。 相似文献
105.
亚硫酸根离子对固定于聚氯乙烯(PVC)膜中的5,10,15,20四苯基卟啉(TPP)/t(2,6二氧异丁基)β环糊精(DOBβCD)有可逆荧光熄灭作用。据此研制成测定亚硫酸根离子浓度的荧光化学传感器,该传感器敏感膜最佳组成质量分数为PVC308%,BOS615%,TPP150%,DOBβCD620%。在pH=65的KOHKH2PO4缓冲溶液底液中测定亚硫酸根离子,其线性响应范围为622×10-6~311×10-4mol/L,检测限为780×10-7mol/L,其响应时间小于40s。其它常见阴离子和阳离子不干扰测定。可用于实际样品中亚硫酸根离子含量的测定。 相似文献
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