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102.
根据Bondy在[4]中的想法:几乎任何一个Hamiltonian图的非平凡的充分条件都可能蕴含着图的泛圈性质,自然有如下猜测,设图G满足定理A的条件,则G是泛圈图或者n=2t,G=Kt,t.[2]证明了这一猜测在t=3时成立,[3]对t=4得到子了一个更强的结果,本文证明此猜测对一般情形(t≥3)均成立。 相似文献
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大尺寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)单晶的生长研究 总被引:3,自引:1,他引:2
随着光纤通讯产业的迅猛发展,市场对3英寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石(分子式为Gd3Ga5O12,简称GGG)的需求量急剧增加。本文从磁光薄膜(YIG以及类YIG)对其外延基底单晶GGG物化性能的要求出发,综述了在利用传统的提拉法生长大尺寸、符合磁光薄膜衬底要求的Gd3Ga5O12单晶的过程中,出现的诸如Ga2O3组分挥发,界面翻转,螺旋生长和晶体的开裂等问题,针对各个问题讨论了它们的形成机制并提出了它们的解决方法。最后,还根据目前磁光膜的发展情况,预见了纯GGG和掺质GGG单晶的研究和发展趋势。 相似文献
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在个人电脑如此普及的今天,文字编辑早就告别了纸与笔,进入了电脑时代,用上了Office等文字编辑软件。各种数学公式用Word中的公式编辑器也可非常方便地输入。可如果要在文章中用到分子结构式、化学方程式,便遇到了难题一没有专业绘制分子结构式的软件。但是作为一个化学教师,日常要写教案、出题都要画结构式,很多教师只好用Windows里的画笔一点一点画出分子结构式,不但不美观,而且非常麻烦。 相似文献
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<正>氧化镓(β-Ga_2O_3)单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上,并且可以采用熔体法生长大尺寸体单晶,因此β-Ga_2O_3已成为超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料之一。由于其在军事、能源、医疗、环境等领域的重要应用价值,近年来,氧化镓材料及器件的研究与应用成为当前美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重 相似文献
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退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响 总被引:4,自引:1,他引:3
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强. 相似文献