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101.
102.
采用时域有限差分方法,模拟研究在本征吸收层引入锥形二维光子晶体(2D PC)后,其结构参数变化对单结微晶硅电池各膜层吸收的影响规律.研究表明,2D PC的纵横比(高度与周期之比)对电池本征吸收具有决定性影响.周期小于1μm时,本征吸收随着纵横比的增大先上升后下降,纵横比为1时达到最大值;周期大于1μm时,本征吸收达到最大值的纵横比小于1,且周期越大,实现本征吸收最大化的纵横比越小.当周期为0.5μm,纵横比为1时,锥形2D PC电池的本征吸收达到峰值,短路电流密度为27.8 mA/cm2;与平面结构相比,短路电流密度提升5.8 mA/cm~2,相对增加27%.该研究突破了以往认为绒面陷光效果主要取决于绒面形貌横向特征尺寸的观点,对实验获取最佳的周期或随机绒面陷光结构具有指导意义. 相似文献
103.
利用全相对论扭曲波方法和研究电子碰撞激发过程的计算程序REIE06系统计算了类锌Au~(49+)离子从基态(3s~23p~63d~(10)4s~2)的4s、3d、3p和3s电子激发到4 l(l=p、d、f)和5 l(l=s、p、d、f)的碰撞激发强度,研究了在不同入射电子能量下碰撞强度的变化规律,通过对类锌Au~(49+)离子涉及金激光等离子体M带谱,3d→4f和3d→5f电子碰撞激发速率的计算,分析了等离子体中电子温度对碰撞过程的影响.部分计算结果与其它理论及实验结果进行了比较,取得了很好的一致性. 相似文献
104.
Influence of the total gas flow rate on high rate growth microcrystalline silicon films and solar cells 下载免费PDF全文
This paper reports that high-rate-deposition of microcrystalline
silicon solar cells was performed by very-high-frequency
plasma-enhanced chemical vapor deposition. These solar cells, whose
intrinsic μ c-Si:H layers were prepared by using a different total gas
flow rate (Ftotal), behave much differently in performance,
although their intrinsic layers have similar crystalline volume
fraction, opto-electronic properties and a deposition rate of ~
1.0~nm/s. The influence of Ftotal on the micro-structural
properties was analyzed by Raman and Fourier transformed infrared
measurements. The results showed that the vertical uniformity and
the compact degree of μ c-Si:H thin films were improved with
increasing Ftotal. The variation of the microstructure was
regarded as the main reason for the difference of the J--V
parameters. Combined with optical emission spectroscopy, we
found that the gas temperature plays an important role in
determining the microstructure of thin films. With Ftotal
of 300~sccm, a conversion efficiency of 8.11% has been obtained
for the intrinsic layer deposited at 8.5~\AA/s (1~\AA=0.1\,nm). 相似文献
105.
106.
以高纯AlCl3和Li3N为反应原料,NaCl和KCl为混合熔盐,使用微波熔盐沉积法在700℃制备出A1N纳米晶.利用XRD、SEM、EDS等对纳米晶的物相、形貌进行了定性和定量表征,并使用PL测试了材料的光学性质,分析了主要缺陷类型.XRD测试结果表明,实验获得产物为六方纤锌矿结构的AlN.使用Scherrer公式估算了AlN 产物的晶粒平均粒度大小约为35.6 nm,表明所得确为AlN纳米晶.SEM观测到的纳米晶形貌为方形,分布均匀且晶粒形状几近,平均粒度约为35 nm.EDS测试结果显示AlN纳米晶中Al和N的原子相对百分含量为50.521;和49.479;,其化学配比几近于1∶1物质的量比.室温PL测试发现发光中心在435 nm,缺陷主要是杂质缺陷类型.以上结果充分表明微波熔盐沉积法是一种制备AlN纳米晶的有效方式. 相似文献
107.
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜.使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定性和定量表征.XRD测试结果表明,实验获得产物为黄铜矿结构AgGaS2,并观测到(112)面和(224)面.使用Scherrer公式估算了AgGaS2产物的晶粒平均粒度大小约为30 nm.SEM观测到的AgGaS2纳米薄膜外形均匀一致,沉积紧密,薄膜沉积的纳米平均颗粒直径约为18~ 26 nm.EDS测试结果显示AgGaS2纳米薄膜中Ag、Ga和S三元素的原子相对百分含量为25.12;,26.66;和49.93;,其化学计量比几近于1∶1∶2物质的量比.通过紫外可见透过光谱得到截止波长为470.1 nm,禁带宽度为2.64 eV.室温PL测试发现发光中心在456 nm,与AgGaS2晶体发光中心相比产生了约40nm的蓝移.以上结果充分表明SILAR法是一种制备AgGaS2纳米薄膜的有效方式. 相似文献
108.
泊洛沙姆F127和丹皮酚对GMO液晶相变的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对GMO/H2O, GMO/F-127/H2O和GMO/paeonol/H2O三种体系的液晶特性进行了考察, 结合粘度及偏光纹理绘制相图, 运用“drying”方法的原理鉴别了反相胶束和立方相液晶, 并采用临界堆积参数p值理论探讨水溶性和脂溶性物质引起液晶相变的机理. 结果表明水溶性泊洛沙姆F127可使层状液晶区域变宽, 立方相液晶区域变窄|脂溶性丹皮酚可使层状液晶和立方相液晶区域变窄, 反相六角相液晶变宽. 本研究通过对单油酸甘油酯(GMO)液晶特征的研究, 为其作为载体的应用提供了理论基础. 相似文献
109.
通过苯并咪唑-5,6-二羧酸和间氨基苯磺酸的缩合得到有机物3-(5,7-dioxoimidazo[4,5-f]isoindol-6(1H,5H,7H)-yl) benzenesulfonic acid (DIBS),进而通过在不同温度下重结晶获得2种固态相: DIBS (10℃)和DIBS (60℃)。DIBS (10℃)具有寿命为721.55 ms的绿色室温磷光,而DIBS (60℃)的黄绿色余辉由寿命分别为259.78和336.33 ms的延迟荧光和室温磷光组成。2种相的不同发光行为可归因于DIBS分子在2种相中不同的构型及堆积结构。有趣的是,在研磨或加热刺激下,DIBS (10℃)可转变为DIBS (60℃),显示出罕见的余辉刺激响应行为。 相似文献
110.