非线性拟抛物型积分微分方程的初边值问题和初值问题

本文研究非线性拟抛物积分微分方程的初边值问题和初值问题。运用Galerkin方程结合能量估计证明了问题的整体强解的生存性、唯一性和稳定性，最后在一定条件下讨论了初边值问题整体解的不存在性和爆破问题。     

超声波电机驱动的精密位移机构

精密位移机构既是重要的运动执行元件，也是对工艺系统误差进行动态、静态补偿的元件。目前常见的精密位移机构一般利用弹性变形、机械传动、电磁力和压电陶瓷、电致伸缩和磁致伸缩等方式实现，这些方法都难以同时具有高频响、大行程、高精度的特点，有的还需中间的传动机构，结构复杂，精度难以提高，存在电磁干扰等问题。     

几种5,5-取代的乙内酰脲之合成

乙内酰脲衍生物广泛应用于α-氨基酸的合成中,若干5,5-取代乙内酰脲衍生物又用作抗惊厥、安眠及治疗癫痫的药物。本文报告一些5,5-取代乙内酰脲的合成,它们可作为进一步合成α-烴基-β-(3,4-二羥苯基)-α-丙氨酸(a-alkyl Dopa)的中间体;此类氨基酸之一α-甲基-β-(3,4-二羥苯基)-α-丙氨酸已证实有降低血压的效能。作者等将高藜芦酸(Ⅰ)用酸酐及相应的羧酸配盐处理制得3,4-二甲氧基苄基酮类(Ⅱ),然后利用Bucherer反应将(Ⅱ)制成相应的5,5-取代乙内酰脲(Ⅲ):     

用电子探针定量分析超轻元素中的几个问题

碳，硼，氮及氧等元素在电子探针分析中常称之为超轻元素，这些元素的定量分析还存在许多包括测量和定量修正方面的困难。本文就质量吸收系数的不准确，超轻元素谱线的化学位移，及重元素的Ｌ，Ｍ及Ｎ系谱线对其干扰等方面的问题进行研究和讨论，并分别提出了解决这些问题的方法。选择合适的标样是获得准确定量分析结果的关键。     

脉冲氧碘化学激光器的动力学模拟研究

根据氧碘化学激光器的反应机理建立了一维预混脉冲出光理论模型,从理论上研究了碘原子密度、单重态氧密度及产率、其他组分密度和光学参量(输出耦合率、增益长度等)对单脉冲能量及脉宽的影响.分析了影响单脉冲能量和激光脉宽的内部动力学过程.讨论了出光过程中增益开关效应.计算的结果为优化脉冲氧碘化学激光器提供了理论依据.     

弱吸收基底上弱吸收薄膜的光学常数计算方法

采用一种相对简单而又精确的光度法来计算弱吸收基底上弱吸收薄膜的光学常数,为低损耗紫外薄膜的设计与实现提供了理论基础。采用JGS1型熔融石英基底,制备了MgF2与LaF3材料的单层膜,获得了JGS1型熔融石英基底及MgF2与LaF3薄膜的光学常数色散曲线。结果显示:在200 nm左右处,JGS1型熔融石英基底的吸收已经比较明显,消光系数在10-8量级,因此,应考虑基底的弱吸收,以提高薄膜光学常数的计算精度。     

2-羟基-1-萘醛缩2-氨基-4-硝基苯酚亚胺的合成及其阴离子识别性能

以2-羟基-1-萘醛和2-氨基-4-硝基苯酚为原料,通过缩合反应合成了阴离子识别受体2-羟基-1-萘醛缩2-氨基-4-硝基苯酚亚胺（R）,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和IR表征。采用UV-Vis和¹H NMR等研究了受体R对阴离子的识别性能。结果表明：受体R在乙腈中对F^-、 H₂PO₄^-和AcO^-表现出良好的UV0Vis识别能力,且对上述阴离子表现出裸眼识别性能。通过核磁滴定、紫外滴定、络合常数及Job曲线等对受体R的识别机理进行了研究。结果表明：受体R与阴离子通过分子间氢键结合形成主客体配合物,对F^-具有更好的结合能力（络合常数为2.503 × 10⁴ L/mol）,与阴离子以比例1/1相互结合。     

Au_(38)团簇上小分子H_2O和O_2共同吸附的第一性原理研究

利用密度泛函理论(DFT)计算的方法,对O_2,H_2O单独吸附和共吸附在Au_(38)团簇上的吸附性质进行了结构,能量和电子分析.计算结果表明,O_2倾向于吸附在edge位,H_2O则倾向于吸附在top位.Au(100)表面较之Au(111)表面更有利于O_2,H_2O的吸附,这与实验结果相符合.H_2O和O_2共吸附研究表明,H_2O的存在促进了O_2的吸附.Mulliken和分态密度(PDOS)分析得出:在共吸附中,H_2O将部分电子转移给了O_2,促进了O_2的活化与解离,并生成了类似H_2O_2的中间态,从而为催化氧化反应提供了O活性物种.     

Optical and magnetic properties of InFeP layers prepared by Fe~+ implantation

InFeP layers are prepared by ion implantation of InP with 100-keV Fe＋ ions to a dose of 5 ×10^16 cm-2 and investigated by optical, magnetic, and ion beam analysis measurements. Photoluminescence measurements show a deep-level peak at 1.035 eV due to Fe in InP and two exciton-related luminescences at 1.426 eV and 1.376 eV in the implanted samples annealed at 400℃. Conversion electron Mossbauer spectroscopy reveals a doublet corresponding to Fe3＋ ions in the indium sites. Atomic force microscopy and magnetic force microscopy show that magnetic clusters are formed in the annealing process. The magnetization-field hysteresis loops show ferromagnetic properties persisting up to room temperature with a coercive field of 100 0e （10e = 79.5775 A-m-1）, saturation magnetization of 4.35 × 10-5 emu, and remnant magnetization of 4.4× 10 6 emu.